公开(公告)号：CN112437901A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201980048330.9

申请日：2019-07-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 上林哲 ,  水落龙太 ,  佐久间大辅 ,  远藤雅久 ,  西田登喜雄 ,  远藤贵文 ,  染谷安信 ,  远藤勇树 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，[在式(1)中，A1表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]。

公开(公告)号：CN109689779B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201780055819.X

申请日：2017-09-08

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC: C08L35/06 ,  B05D1/38 ,  B05D7/24 ,  B32B27/30 ,  C08K5/06 ,  C08L53/00 ,  C09D125/04 ,  C09D153/00 ,  C09D179/08 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及用于使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层相分离的上层膜形成用组合物，包含：(A)包含(a)来自马来酰亚胺结构的单元结构和来自苯乙烯结构的单元结构的共聚物、和(B)作为溶剂的碳原子数8～16的醚化合物。本发明的上层膜形成用组合物对疏水性溶剂显示良好的溶解性，能够不使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层溶解、膨润等地引起嵌段共聚物的垂直排列。

公开(公告)号：CN111492311A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880081945.7

申请日：2018-12-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  染谷安信 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08F8/14 ,  C08F24/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：分子内包含至少1个缩醛结构的化合物、或其聚合物；以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN109075060A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780016010.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  堀胜 ,  关根诚

IPC: H01L21/3065 ,  C08G12/08 ,  C08G65/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。