半导体装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111433908A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201780096353.8

    申请日:2017-10-27

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置具有:在表面形成有槽(M)的金属部件(3)、设置在槽(M)的内部且表面的X轴方向的热传导率比在表面上与X轴方向正交的Y轴方向的热传导率高的热传导部件、以及设置在金属部件(3)的表面且至少一部分与热传导部件(2)相接的半导体元件(1)。使热传导部件(2)的Y轴方向的长度(L6)相对于半导体元件(1)的Y轴方向的长度(L5)的比率(L6/L5)为40%,优选为70%~95%。

    电力变换装置
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107710575B

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201580080255.6

    申请日:2015-05-22

    Abstract: 电力变换装置具备对来自栅极驱动电路(11)的驱动信号作用,调整半导体元件的栅极电压的栅极电压调整机构(检测电路(12)),所述栅极驱动电路(11)向并联设置的多个半导体元件(Q1~Q2)的各栅极发送驱动信号。栅极电压调整机构将基于由流到多个半导体元件的1个中的电流引起的磁束与由流到其他半导体元件中的电流引起的磁束之差产生的感应电压向多个半导体元件的至少1个栅极发送的栅极电压上叠加。

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