接合体和弹性波元件
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110463038B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201880001047.6

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 对于包括:包含多晶陶瓷材料或单晶材料的支撑基板、压电性单晶基板和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体,提高接合层处的绝缘性,并且提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度。接合体5包括:支撑基板1、压电性单晶基板4和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层2A。接合层2A具有Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)的组成。

    接合体和弹性波元件
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075758B

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201780013563.6

    申请日:2017-02-22

    Abstract: 在包含陶瓷的支撑基板上设置接合层,将接合层和压电性单晶基板接合时,使压电性单晶基板与接合层之间的接合强度提高,同时防止接合层与支撑基板之间的剥离。接合体8具有:包含陶瓷的支撑基板1;在支撑基板1的表面1a设置的接合层3A,接合层3A包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质;和与接合层3A接合的压电性单晶基板6A。支撑基板1的表面1a的算术平均粗糙度Ra为0.5nm~5.0nm。

    弹性波装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105340178B

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201480036216.1

    申请日:2014-06-05

    Abstract: 一种弹性波装置(10),是端面反射型的弹性波装置,在压电基板(12)与支撑基板(14)相接合而成的近长方体状复合基板(15)中的压电基板(12)上,配置有一对相互插入的IDT电极(16)、(18)。压电基板(12)的侧面中的与弹性波传播方向正交的第1侧面(12a)的缺口尺寸,在弹性波波长λ的1/10以下。压电基板(12)的侧面中的与弹性波传播方向平行的第2侧面(12b)的缺口尺寸,大于第1侧面(12a)的缺口尺寸,例如在波长λ的1/2以上、50倍以下。

    热电元件
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103493231B

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201180015491.1

    申请日:2011-10-20

    CPC classification number: H01L37/02 G01J5/0225 G01J5/024 G01J5/34 H01L37/025

    Abstract: 热电元件(10)包括:为具有作为结晶轴的X轴、Y轴和Z轴钽酸锂单晶基板的热电基板(20)、设于该热电基板(20)的表面的表面电极(41,42)、和与各表面电极(41、42)成对的背面电极(51、52)。热电基板(20)为将钽酸锂的单晶以绕与沿电极的面的方向一致的X轴、从Y轴开始向Z轴方向仅转动切割角θ后的角度切出的Y切割板,切割角θ为30~60°、120~150°。热电基板(20)的厚度优选为10μm以下,更优选为5~10μm。

    热电元件及其制造方法
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102822646B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201280001000.2

    申请日:2012-02-16

    CPC classification number: H01L37/02 G01J5/0225 G01J5/024 G01J5/34 H01L37/025

    Abstract: 本发明涉及一种热电元件(10),该热电元件(10)包括:热电基板(20);由表面电极(41)、背面电极(51)、受光区域(21)构成的受光部(61);由表面电极(42)、背面电极(52)、受光区域(22)构成的受光部(62)。其中,由于与空洞(38)相对的部分的空洞相对区域(26)产生有弯曲部,因此较之于无弯曲的情况,受光部(61、62)的受光面积增大。因此,不会令热电元件(10)的较无弯曲的情况变大,并提升检测灵敏度。

    兰姆波装置
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101741344B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN200910221852.2

    申请日:2009-11-18

    CPC classification number: H03H9/02574 H03H9/02228

    Abstract: 本发明提供一种频率的不均小的兰姆波装置。兰姆波装置(102)具有压电体薄膜(106)、设置于上述压电体薄膜(106)的主表面上的IDT电极(108)、支持上述IDT电极(108)与压电体薄膜(106)的层叠体(104)且形成有隔离层叠体(104)的空腔(180)的支持结构体(122)。选择压电体薄膜(106)的膜厚h以及IDT电极(108)的电极条的间距p,使得相对于压电体薄膜(106)的膜厚h的音速v分散性小的兰姆波在目标频率下被激发。

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