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公开(公告)号：CN111052413B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880052333.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。
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公开(公告)号：CN107208312B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201680004629.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 自立基板包括第一氮化物层和第二氮化物层，该第一氮化物层是通过氢化物气相生长法或氨热法培养得到的且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物，该第二氮化物层通过钠助熔剂法在第一氮化物层上培养得到且包含从由镓、铝以及铟构成的组中选择的一种以上元素的氮化物。第一氮化物层中，排列有多个在第一氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第二氮化物层中，排列有多个在第二氮化物层的一对主面间延伸的单晶粒子，第一氮化物层的厚度大于第二氮化物层的厚度。
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公开(公告)号：CN105102695B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480019026.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/208 , H01L33/32 , C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20
CPC classification number: H01L33/32 , C30B19/02 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/20
Abstract: 当在具备蓝宝石基板、以及在蓝宝石基板上通过结晶生长的氮化镓结晶层的复合基板中，在其上形成由13族元素的氮化物形成的功能层时，抑制功能层的偏差。复合基板(4)具备蓝宝石基板(1A)、以及在蓝宝石基板(1A)上设置的氮化镓结晶层(3)。复合基板(4)的翘曲度为，每5.08cm，+40μm以上、+80μm以下。
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公开(公告)号：CN103429800B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201280014356.X
申请日：2012-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , H01L31/1856
Abstract: 使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。
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公开(公告)号：CN103620096B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380001907.3
申请日：2013-03-29
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L31/03044 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 通过助熔剂法在熔融液内制造第13族元素氮化物的方法，熔融液通过令碱金属与碱土金属中的至少一种原料、第13族元素原料以及液体锗原料组合物加热而生成。由此，通过助熔剂法在熔融液内制造第13族元素氮化物晶体时，可以抑制得到的第13族元素氮化物晶体的载离子浓度等特性的面内分布。
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公开(公告)号：CN114341410B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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公开(公告)号：CN111886368B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201980018739.6
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的13族元素氮化物结晶层中，能够降低表面的位错缺陷，改善功能层的成品率及效率。包含多晶13族元素氮化物的13族元素氮化物层由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶。13族元素氮化物层具有上表面和底面，所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为20000秒以下1500秒以上。
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公开(公告)号：CN111094638B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201880059295.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
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公开(公告)号：CN111094638A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059295.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
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公开(公告)号：CN105793476B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480064895.3
申请日：2014-12-04
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/02 , H01L33/20
Abstract: 在氮化镓基板的表面3a对与氮化镓基板的带隙相对应的波长的阴极发光峰强度进行测定时，0.1mm×0.1mm的测定视野中的阴极发光峰强度的最大值为阴极发光峰强度的平均值的140％以上。
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