公开(公告)号：CN105051862B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480016581.6

申请日：2014-10-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02 ,  C04B35/115

CPC classification number: H01L21/683 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777

Abstract: 一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。

公开(公告)号：CN105981132A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580006859.6

申请日：2015-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  岩崎康范

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/86 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1203

Abstract: 半导体用复合基板的操作基板4包括：基底基板，该基底基板由多晶材料构成，及单组分且高纯度的非晶质层3，该非晶质层3设置在基底基板1上，具有耐化学腐蚀性。

公开(公告)号：CN105190838A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201580000420.2

申请日：2015-01-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/16 ,  C04B35/115 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B37/001 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/588 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0649 ,  Y10T428/24355

Abstract: 半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。

公开(公告)号：CN105051862A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480016581.6

申请日：2014-10-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02 ,  C04B35/115

CPC classification number: H01L21/683 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777

Abstract: 一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。

公开(公告)号：CN111492577B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201880052320.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC: H03H9/25 ,  B32B9/00 ,  C30B29/30 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H10N30/88 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H10N30/07 ,  H10N30/086 ,  H03H3/08

Abstract: 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。

公开(公告)号：CN112074622A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201980026669.9

申请日：2019-02-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  高垣达朗

IPC: C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L41/187 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2A而接合于支撑基板3时，即便对得到的接合体进行加热处理时，也不会发生接合体破损或压电性材料基板1(1A)剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，所述压电性材料基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2A，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a相接。在接合层2A设置有从压电性材料基板1(1A)朝向支撑基板3延伸的空隙22、23。空隙22、23的支撑基板侧末端22b的宽度t2相对于空隙22、23的压电性材料基板侧末端22a、23a的宽度t1的比率(t2/t1)为0.8以下。

公开(公告)号：CN111492577A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880052320.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC: H03H9/25 ,  B32B9/00 ,  C30B29/30 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L41/053 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/31 ,  H01L41/337 ,  H03H3/08

Abstract: 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。

公开(公告)号：CN105190839B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201580000704.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02 ,  C04B35/115 ,  C04B37/02

Abstract: 构成处理基板的透光性多晶氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，透光性多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下。处理基板的接合面侧的表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔数量为表面区域中所含的大小为0.1μm以上、0.3μm以下的气孔数量的0.5倍以下。

公开(公告)号：CN105074868B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480009140.3

申请日：2014-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  服部良祐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。

公开(公告)号：CN105144851B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201580000543.6

申请日：2015-02-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/111 ,  H05K3/00

Abstract: 提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。