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公开(公告)号：CN111052415A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052347.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。
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公开(公告)号：CN111052413A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052333.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。
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公开(公告)号：CN114341410B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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公开(公告)号：CN105191511B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580000703.7
申请日：2015-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , H05K3/00
Abstract: 本发明提供排列有导体用的贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～300μm，贯通孔2的直径W为20μm～100μm，绝缘基板(1)由氧化铝烧结体形成。氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，平均粒径为2～50μm。
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公开(公告)号：CN105190839A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201580000704.1
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/115 , C04B37/02
Abstract: 构成处理基板的透光性多晶氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，透光性多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下。处理基板的接合面侧的表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔数量为表面区域中所含的大小为0.1μm以上、0.3μm以下的气孔数量的0.5倍以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102731072B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210088751.4
申请日：2012-03-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/10 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/645 , B28B1/002 , B28B3/025 , B32B18/00 , C04B35/111 , C04B35/5626 , C04B35/62695 , C04B35/63456 , C04B35/63488 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/604 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , H01L21/6833
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘的制法及静电卡盘，该静电卡盘的制法包含：(a)在将静电电极前体(24)可装卸地安装于内面的第1成型模(31)中，流入含有陶瓷粉体、溶剂、分散剂及胶凝剂的陶瓷料浆，使胶凝剂进行化学反应而使陶瓷料浆凝胶化后进行脱模，由此制作在第1陶瓷成型体(41)中埋入静电电极前体(24)的带埋入电极陶瓷成型体(41X)的工序；(b)制作第2陶瓷成型体(42)的工序；(c)使用带埋入电极陶瓷成型体(41X)和第2陶瓷成型体(42)来制作层叠煅烧体(50)，热压烧成该层叠煅烧体的工序。
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公开(公告)号：CN104835770A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510174096.8
申请日：2012-03-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/624 , C04B35/10
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘，其是内置有静电电极的静电卡盘，在观察纵截面时，所述静电电极的端面为平面或膨胀面，且该膨胀面的上角、膨胀顶端和下角所连成的角度θ为160°≦θ＜180°。
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公开(公告)号：CN102731072A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210088751.4
申请日：2012-03-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , H01L21/683
CPC classification number: C04B35/645 , B28B1/002 , B28B3/025 , B32B18/00 , C04B35/111 , C04B35/5626 , C04B35/62695 , C04B35/63456 , C04B35/63488 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/604 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , H01L21/6833
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘的制法及静电卡盘，该静电卡盘的制法包含：(a)在将静电电极前体(24)可装卸地安装于内面的第1成型模(31)中，流入含有陶瓷粉体、溶剂、分散剂及胶凝剂的陶瓷料浆，使胶凝剂进行化学反应而使陶瓷料浆凝胶化后进行脱模，由此制作在第1陶瓷成型体(41)中埋入静电电极前体(24)的带埋入电极陶瓷成型体(41X)的工序；(b)制作第2陶瓷成型体(42)的工序；(c)使用带埋入电极陶瓷成型体(41X)和第2陶瓷成型体(42)来制作层叠煅烧体(50)，热压烧成该层叠煅烧体的工序。
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公开(公告)号：CN111052413B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880052333.5
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。
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公开(公告)号：CN105051862B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480016581.6
申请日：2014-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/115
CPC classification number: H01L21/683 , C04B35/111 , C04B35/115 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6025 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/945 , C04B2235/963 , C30B29/06 , H01L21/02002 , H01L21/2007 , H01L27/12 , H01L29/16 , Y10T428/21 , Y10T428/219 , Y10T428/24777
Abstract: 一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。
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