公开(公告)号：CN106935664A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611001547.9

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基；R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

公开(公告)号：CN103155166B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201180048985.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN103688341B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280035500.8

申请日：2012-07-17

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN103155164B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180048863.0

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN103201849B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180054497.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN105518828A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480047084.2

申请日：2014-08-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成组合物、使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的形成方法、带n型扩散层的半导体基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子、分散介质和有机金属化合物。

公开(公告)号：CN105489662A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510849338.9

申请日：2012-07-17

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN105448677A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510959055.X

申请日：2012-07-24

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/36 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有半导体层和杂质扩散层，所述杂质扩散层含有：选自K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及Lu中的至少一种金属原子；以及选自n型杂质原子及p型杂质原子中的至少一种杂质原子。

公开(公告)号：CN105047545A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510323373.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN104488069A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380036945.2

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  吉田诚人 ,  仓田靖 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  早坂刚

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C18/1216 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  C23C18/10

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。