公开(公告)号：CN107004500A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580067655.3

申请日：2015-12-04

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 三野修嗣

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/24 ,  C22C33/02 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  B22F3/00 ,  C22C38/00

CPC classification number: H01F1/0577 ,  B22F3/24 ,  B22F7/06 ,  B22F7/062 ,  B22F7/064 ,  C22C28/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0536 ,  H01F41/02 ,  H01F41/0293

Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法，包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在有RLM合金(RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)粉末和RH氧化物(RH为Dy和/或Tb)粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金含有50原子％以上的RL，且上述RLM合金的熔点在上述热处理温度以下，热处理在RLM合金粉末和RH氧化物粉末以RLM合金﹕RH氧化物＝9.6﹕0.4～5﹕5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体表面的状态下进行。

公开(公告)号：CN106688065A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580048790.3

申请日：2015-09-08

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 三野修嗣

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C22C28/00 ,  C22C33/02 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  C22C38/00

CPC classification number: H01F41/0293 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/1017 ,  B22F3/24 ,  B22F3/26 ,  B22F5/00 ,  B22F7/02 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/355 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C21D9/0068 ,  C22C28/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  C23C10/30 ,  H01F1/057 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02 ,  B22F1/0011 ,  B22F1/0059 ,  B22F2201/10 ,  C22C1/0416 ,  C22C1/0425

Abstract: 包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在RLM合金(RL是Nd和/或Pr，M是选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)的粉末和RH化合物(RH是Dy和/或Tb，RH化合物是选自RH氟化物、RH氧化物、RH氧氟化物中的1种或2种以上)的粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金包含65原子％以上的RL，且上述RLM合金的熔点在上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH化合物的粉末以RLM合金：RH化合物＝9.6：0.4～5：5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。