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公开(公告)号：CN100543846C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710085598.9
申请日：2003-04-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0055 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/241 , G11B7/257 , G11B7/268
Abstract: 在一个单面多层结构的相位变化光盘中初始化第一和第二信息层时，第一和第二信息层的薄膜结构，会在初始化处发生错误。一种光信息记录介质，其中，在至少一个信息层的结晶区域与无定型区域之间的界面处，即在面向一个信息层初始化起始位置的另一个信息层位置的区域内，在预结晶记录层的激光束波长下的反射率小于在上述波长下另一个信息层之其他区域的反射率。
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公开(公告)号：CN101496104A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780012407.4
申请日：2007-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的信息记录介质在基板(1)上设有N个信息层(N是2以上的整数)。通过对各信息层(11，12)照射激光光束(4)来进行信息的记录和再生。当上述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次为第1信息层～第N信息层时，N个信息层中包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层(135)、反射层(132)和透过率调节层(131)。透过率调节层(131)含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)。透过率调节层(131)中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101336453A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680052095.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质，包含：能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子：GeαBiβTeγM100－α－β－γ(原子％)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge－Bi－Te－M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。
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公开(公告)号：CN100338671C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200380101217.1
申请日：2003-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/006 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括设置在衬底上的多个信息层以及设置在彼此相邻的信息层之间的光学分离层，并且通过激光束的照射记录或再现信息。在多个信息层中，设置在最靠近激光束入射侧的信息层作为第一信息层，与第一信息层接触而配置的光学分离层作为第一光学分离层时，第一信息层包括记录层、调节第一信息层的透光率的透光率调节层以及设置在透光率调节层与第一光学分离层之间的低折射率层。
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公开(公告)号：CN101013576A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710085598.9
申请日：2003-04-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0055 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/241 , G11B7/257 , G11B7/268
Abstract: 在一个单面多层结构的相位变化光盘中初始化第一和第二信息层时，第一和第二信息层的薄膜结构，会在初始化处发生错误。一种光信息记录介质，其中，在至少一个信息层的结晶区域与无定型区域之间的界面处，即在面向一个信息层初始化起始位置的另一个信息层位置的区域内，在预结晶记录层的激光束波长下的反射率小于在上述波长下另一个信息层之其他区域的反射率。
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公开(公告)号：CN1312674C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN03800795.9
申请日：2003-04-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0055 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/241 , G11B7/257 , G11B7/268
Abstract: 在一个单面多层结构的相位变化光盘中初始化第一和第二信息层时，第一和第二信息层的薄膜结构，会在初始化处发生错误。一种光信息记录介质，其中，在至少一个信息层的结晶区域与无定型区域之间的界面处，即在面向一个信息层初始化起始位置的另一个信息层位置的区域内，在预结晶记录层的激光束波长下的反射率小于在上述波长下另一个信息层之其他区域的反射率。
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公开(公告)号：CN1723496A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200380105446.0
申请日：2003-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明提供一种具有氧化钛层的多层记录介质，是在氧化铌、氧化硅或以它们为主成分的第1电介质层上形成氧化钛或以氧化钛为主成分的第2电介质层。这是因为在多层记录介质中，当使用单叶式溅射装置形成氧化钛层时，引氧化钛层的膜厚偏差使得透过率产生较大偏差。另外，在使用单叶式溅射装置时，在装载闭锁室和形成透过率调节层的容器之间至少设置一个用于促进从基板的水和氧气的脱气的容器。
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