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公开(公告)号：CN101971284B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200980109131.0
申请日：2009-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/12 , G09G3/2022 , G09G3/2927 , G09G3/296 , G09G2310/066 , H01J11/40
Abstract: 一种等离子显示装置，在保护层周边部配置由阴极发光的发光光谱表示所希望特性的MgO单结晶构成的结晶粒子，在初始化期间，通过具有初始化期间前半部、和初始化期间后半部的驱动方式，进行图像显示，其中，在初始化期间前半部对第2电极施加从第一电压缓慢上升到第二电压的电压，在初始化期间后半部施加从第三电压缓慢下降到第四电压的电压。
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公开(公告)号：CN101595547B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200780039020.8
申请日：2007-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供通过改善保护层的放电特性，从而即使是在高精细单元结构中也能够获得优异的图像显示性能的PDP及其制造方法。具体地说，用氧化镁膜层(81)和氧化镁结晶颗粒群(16)构成的氧化镁结晶颗粒层(82)构成保护层(8)。氧化镁结晶颗粒群(16)根据利用氧化镁前体烧结的制作方法制作，而且使其具有这样的特性，即比例a/b为1以上，其中a表示CL测定中200nm以上、不足300nm的波长区域的光谱积分值，b表示300nm以上、不足550nm的波长区域的光谱积分值。
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公开(公告)号：CN101790769B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880024419.3
申请日：2008-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示面板，它通过对荧光体层进行改质来抑制初始化亮点的发生，同时消除各色放电单元间的放电特性的差异，可望发挥优异的图像显示性能。提供除了解决上述存在问题外，在前面板侧也利用在放电空间发生的紫外线发光，促进可见光发光的发生，可望提高辉度的等离子体显示面板。具体地说，如下所述构成，即荧光体层(14)通过配设荧光体成分和氧化镁微粒群(16)而构成，上述氧化镁微粒群(16)主要配设在该荧光体层，为赋予二次电子发射特性而露出于层的内部以及面临放电空间的表面(140)。氧化镁微粒群(16)由具有以下结晶构造的氧化镁微粒(16a～16d)构成，该结构造是被由(100)面及(111)面构成的特定的2种取向面、或由(100)面、(110)面、(111)面构成的特定的3种取向面包围的结晶结构。
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公开(公告)号：CN101563748B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200780046327.0
申请日：2007-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J11/02
Abstract: 本发明的目的在于提供通过改善保护层的放电特性，从而即使是在高精细单元结构中也能够发挥优异的图像显示性能的PDP及其制造方法。具体地说，用氧化镁膜层(81)和氧化镁结晶颗粒群(16)构成的氧化镁结晶颗粒层(82)构成保护层(8)。氧化镁结晶颗粒群(16)根据利用氧化镁前体烧结的制作方法制作，而且使其具有这样的特性，即比例a/b为1.2以上，其中a表示CL测定中650nm以上、未满900nm的波长区域的光谱积分值，b表示300nm以上、未满550nm的波长区域的光谱积分值。
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公开(公告)号：CN101231928B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810001266.2
申请日：2003-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种由第一衬底和第二衬底组成的等离子显示板，所述第一衬底和第二衬底通过放电空间彼此面对并密封在一起。在第一衬底上的保护层主要由氧化镁组成，包括在禁带区域中创建第一能级的物质或结构，该区域位于导带附近，还包括在禁带的另一区域中创建第二能级的物质或结构，该另一区域位于价带附近。在驱动期间，电子占据第二能级，在第一能级中几乎不存在电子，或者电子由于负电荷态能够很容易占据第一能级，没有降低MgO的绝缘电阻。这维持了壁电荷保持并降低了放电不规律和着火电压Vf。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101138063B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680007629.2
申请日：2006-04-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种PDP(21)，其具备形成多个显示电极(4)，且以第一电介质层(6)及保护膜(7)覆盖显示电极(4)的前面板(22)；和具有沿与显示电极(4)正交的方向形成、并以第二电介质层(基底电介质层(9))覆盖的多个地址电极(10)的背面板(23)，其中，保护膜(7)形成为具有粒状的结晶集合而成的结构，结晶的粒径大，且邻接的结晶间的空隙小。
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公开(公告)号：CN101496127A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028715.6
申请日：2007-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/40 , C01F5/02 , C01F5/06 , C01F5/08 , C01F5/12 , C01P2002/77 , C01P2002/90 , C01P2004/03 , C01P2004/38 , C01P2004/41 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , H01J9/02 , H01J11/12
Abstract: 本发明，第一，通过改良保护层，实现低电压下的良好的驱动，同时解决“放电延迟”和“放电延迟对温度的依赖性”两个问题。又，第二，除了解决上述各课题外，通过抑制“放电延迟对空间电荷的依赖性”，提供能发挥优异的显示性能的等离子体显示面板。为此，在本发明中，准备纯度为99.95％以上的醇镁(Mg(OR)2)或乙酰丙酮镁，在该水溶液中添加少量酸，加水使其分解，制作作为氧化镁前体的氢氧化镁凝胶。将其在空气中以700℃以上的温度烧结，制作包含具有由(100)面、(110)面、(111)面包围的具有NaCl结晶结构的氧化镁微粒(16a～16d)的粉末。然后，将其涂布于电介质层(7)或表面层(8)上，形成氧化镁微粒群(16)。
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公开(公告)号：CN101496126A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028644.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/40 , C01F5/02 , C01F5/06 , C01F5/08 , C01F5/12 , C01P2002/77 , C01P2002/90 , C01P2004/03 , C01P2004/38 , C01P2004/41 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , H01J9/02 , H01J11/12
Abstract: 本发明，第一，通过改良保护层，实现低电压下的良好的驱动，同时解决“放电延迟”和“放电延迟对温度的依赖性”两个问题。又，第二，除了解决上述各课题外，通过抑制“放电延迟对空间电荷的依赖性”，提供能发挥优异的显示性能的等离子体显示面板。为此，在本发明中，准备纯度为99.95％以上的醇镁(Mg(OR)2)或乙酰丙酮镁，在该水溶液中添加少量酸，加水使其分解，制作作为氧化镁前体的氢氧化镁凝胶。将其在空气中以1500℃以上的温度烧结，制作包含具有由(100)面以及(111)面包围的具有NaCl结晶结构的氧化镁微粒(16a～16d)的粉末。然后，将其涂布于电介质层(7)或表面层(8)上，形成氧化镁微粒群(16)。
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公开(公告)号：CN1585069A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410057670.3
申请日：2004-08-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/12 , C09K11/025 , C09K11/7734 , H01J11/42
Abstract: 本发明提供一种新型的PDP及其制造方法，利用例如氟化物的物理蒸镀，按照包覆荧光体微粒(7)的方式形成含氟预涂层，并向该预涂层供给氟，从而形成包覆荧光体微粒(7)的包覆层(8)。将所得到的带包覆层(8)的荧光体微粒(7)形成糊剂状，并涂布在位于基板(1)上的邻接的棱(4)之间，形成荧光体层(5)，制造PDP。根据本发明的PDP制造方法，能够实现对湿气、氧、等离子体等周围环境具有高的耐受性、特别是耐水性、和高的紫外线透射性的含氟包覆层。能够得到亮度高且亮度劣化小PDP。
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公开(公告)号：CN1353453A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01142771.X
申请日：2001-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L21/3211 , H01L21/32135 , H01L21/67069 , H01L27/3244 , H01L51/0024
Abstract: 在沟道蚀刻型底部栅极薄膜晶体管的制造中,可防止蚀刻步骤中沟道的蚀刻损害,提高晶体管的性能。通过使用电阻加热金属的接触触媒反应,由生成的氢原子团或氟原子团等非离子性激发子来进行沟道蚀刻,从而解决上述问题。另外,代替沟道蚀刻,通过由接触分解电阻加热金属中所含的氮原子的化学分子生成的含氮非离子性分解生成物来氮化沟道正上方的源极、漏极半导体薄膜来解决。
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