公开(公告)号：CN1185662A

公开(公告)日：1998-06-24

申请号：CN97126412.0

申请日：1997-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西谷干彦 ,  根上卓之 ,  小原直树 ,  和田隆博 ,  桥本泰宏

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 在把P型黄铜矿结构半导体做成光吸收层的薄膜太阳电池中,在P型黄铜矿结构半导体薄膜和n型结构半导体薄膜之间,形成电阻率比该P型黄铜矿结构半导体还要大的材料。在混合Ⅲb族元素盐(例如:lnCl3)、含Ⅵb族元素的有机化合物(例如:CH3CSNH2)、酸(例如:HCl)的溶液中,浸P型黄铜矿结构半导体(例如:CulnSe2),以此形成该材料。