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公开(公告)号：CN1976869B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200680000344.6
申请日：2006-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B82B1/00 , H01L21/336 , B82B3/00 , H01L29/06 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/1292 , H01L29/0673 , H01L29/775 , H01L29/78603 , H01L29/78696 , H01L51/0048 , Y10S977/882
Abstract: 本发明涉及将碳纳米级管、半导体纳米级导线等的微细结构体排列到基板之上的方法、和具备基于该方法而配置的微细结构体的基板。该方法的发明包括：在基板(1)形成槽(2)的工序、向所述槽内滴下分散有微细结构体(3)的溶液(6)的工序、和使所述溶液蒸发而在所述槽内自组织排列所述微细结构体的工序。通过该发明的方法排列微细结构体的基板，能够用于场效应晶体管或传感器。
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公开(公告)号：CN100479220C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN03803585.5
申请日：2003-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/00 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/45 , C08G61/12 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13439 , C08G61/122 , G02F1/1343 , G02F2001/136295 , G02F2202/022 , H01L51/0021 , H01L51/0035
Abstract: 本发明的有机电子器件包括衬底、至少两个在衬底上形成的电极、在衬底上形成的并且与电极电连接的导电有机薄膜，以及涂布所述电极的至少一部分的涂布薄膜。所述导电有机薄膜是包含可共轭键合基团的有机分子的聚合物，并且每个有机分子的一端化学键合到衬底的表面上，而有机分子中的可共轭键合基团与其它可共轭键合基团聚合，形成共轭键链。所述涂布薄膜将电极电连接到导电有机薄膜上，并且实现了比在电极和导电有机薄膜直接连接情况中更小的连接电阻。可以使用由选自金、铂和银的金属组成的薄膜、导电聚合物薄膜，或者化学键合到电极上的单分子薄膜作为所述涂布薄膜。
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公开(公告)号：CN1723581A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001895.5
申请日：2004-05-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/8875 , H01M4/8605 , H01M4/8636 , H01M4/8652 , H01M4/8882 , H01M4/90 , H01M4/905 , H01M4/921 , H01M2004/8684 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种即使在更低温下(例如200℃～600℃的范围，优选400℃～600℃的范围)发电性能也优良的固体氧化物型燃料电池及其制备方法。该固体氧化物型燃料电池含有阳极、阴极、夹在阳极和阴极之间的第一固体氧化物，阳极含有金属粒子(2)、阳极催化剂(1)和离子传导体(3)，金属粒子(2)的表面粘附有阳极催化剂(1)，第一固体氧化物和离子传导体(3)是具有选自氧化物离子传导性和氢离子传导性中的任一种离子传导性。
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公开(公告)号：CN1683567A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510067373.1
申请日：2005-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 美浓规央
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: B01L3/5088 , B01J19/0046 , B01J2219/00283 , B01J2219/00317 , B01J2219/0036 , B01J2219/00364 , B01J2219/00378 , B01J2219/00382 , B01J2219/00385 , B01J2219/00432 , B01J2219/00441 , B01J2219/00497 , B01J2219/00527 , B01J2219/00576 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00659 , B01J2219/00677 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/00734 , B01J2219/00743 , B01L3/5085 , B01L2200/12 , B82Y30/00 , C03C17/38 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B60/14 , G01N21/253
Abstract: 一种试料检查装置100，包括具有试料载置面F1的基板1，该试料载置面F1设置有用于各自独立收容含有应分析测定对象物的多个液滴的多个凹部3。试料载置面F1至少被划分为被疏水性的单分子膜2被覆的第1区域F11、和内部没有被单分子膜2被覆且具有亲水性的多个第2区域F12。各凹部3的底面由第2区域F12形成，各凹部3的包含全部内侧面的全部外周部分由被覆第1区域F11的单分子膜2形成。膜2使用有机分子形成并且通过共价键固定在面F1上。
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公开(公告)号：CN1661139A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410103657.7
申请日：2004-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B29/58 , C30B7/00 , Y10T428/31663
Abstract: 一种结晶用基板及其制造方法，在基材的表面接触有机分子，且该有机分子，在其一方末端含有能够与所述基材表面形成共价键的末端键合官能基、在另一方末端含有对液体显示非亲合性的官能基；通过使所述有机分子的末端键合官能基和所述基材表面的活性氢反应形成共价键，而在所述基材表面形成对所述液体显示非亲合性的单分子膜，由此制造结晶用基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103338629B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201280006662.9
申请日：2012-07-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种人造土壤构造体及其形成方法，该人造土壤构造体具备：挡水层(2)，其配置在土壤层上，由经过了防水处理的防水砂构成；保水层(1)，其配置在挡水层上，由未经过防水处理而能够保水的砂构成；带有防水功能的土壤体(4)，其配置于挡水层的一部分且贯通挡水层，与土壤层和保水层接触且由经过了防水处理的砂构成，并且，挡水层的水渗入压比所述带有防水功能的土壤体的水渗入压高。
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公开(公告)号：CN102781845B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201180011522.6
申请日：2011-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C02F1/043 , C02F1/14 , C02F2103/08 , Y02A20/128 , Y02A20/129 , Y02A20/142
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用淡水化装置淡化盐水的方法。淡水化装置在容器的内部具备通气性片、拨水颗粒层、槽层，槽层位于容器的下部，通气性片夹持在拨水颗粒层和槽层之间。通气性片具备贯通孔，拨水颗粒层由密集的多个拨水性颗粒构成，拨水性颗粒的表面具备拨水膜。通过如下工序来淡化盐水：向容器中注入盐水，使盐水配置在拨水颗粒层的表面上的工序；加热盐水，使得上述盐水蒸发形成水蒸气的工序；和将水蒸气液化，在槽层得到淡水的工序。
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公开(公告)号：CN103338629A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006662.9
申请日：2012-07-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种人造土壤构造体及其形成方法，该人造土壤构造体具备：挡水层(2)，其配置在土壤层上，由经过了防水处理的防水砂构成；保水层(1)，其配置在挡水层上，由未经过防水处理而能够保水的砂构成；带有防水功能的土壤体(4)，其配置于挡水层的一部分且贯通挡水层，与土壤层和保水层接触且由经过了防水处理的砂构成，并且，挡水层的水渗入压比所述带有防水功能的土壤体的水渗入压高。
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公开(公告)号：CN101461047B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780020883.0
申请日：2007-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0558 , C30B7/005 , C30B29/54 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的制造方法是具备含有有机半导体材料的结晶的半导体层的半导体元件的制造方法。该制造方法包括(i)在基板(基材)(11)上形成框架(frame)体(12)的工序和(ii)在框架体(12)的内侧形成半导体层(结晶(13))的工序。工序(ii)包括将含有有机半导体材料和液体介质的溶液(21)(液体)配置于框架体(12)的内侧并由溶液(21)形成结晶(13)的结晶形成工序。
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公开(公告)号：CN101461047A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020883.0
申请日：2007-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0558 , C30B7/005 , C30B29/54 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的制造方法是具备含有有机半导体材料的结晶的半导体层的半导体元件的制造方法。该制造方法包括(i)在基板(基材)(11)上形成框架(frame)体(12)的工序和(ii)在框架体(12)的内侧形成半导体层(结晶(13))的工序。工序(ii)包括将含有有机半导体材料和液体介质的溶液(21)(液体)配置于框架体(12)的内侧并由溶液(21)形成结晶(13)的结晶形成工序。
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