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公开(公告)号：CN100527497C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200310114186.5
申请日：2003-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M8/00
CPC classification number: H01M4/96 , H01M4/8652 , H01M4/9083 , H01M4/92 , H01M4/926
Abstract: 本发明涉及一种燃料电池，其通过向一个电极提供燃料并向另一个电极提供氧化剂来发电。在该燃料电池中，在至少一个电极的至少一个表面上形成一催化剂层。所述催化剂层是一仅包括催化剂颗粒的层、一包括催化剂颗粒和其它颗粒的混合物的层、或者是一至少载有催化剂颗粒的多孔薄膜层，并且一种作为电解质的带有一离子传导官能团的分子(12)通过化学键与所述催化剂颗粒(11)、所述其它颗粒和所述多孔薄膜中的至少一种的表面相连。至少一个电极具有一薄膜电解质、催化剂和导电物质，由此抑制电解质从电极部件中的催化剂层洗脱并防止伴随的电压降低。
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公开(公告)号：CN100488777C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200580000759.9
申请日：2005-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/04586 , B41J2/01 , B41J2/04556
Abstract: 提供液滴配置装置及液滴配置方法。液滴配置装置具有：喷墨头(1)；基板(13)，接受从喷墨头(1)吐出的液滴(2)；从喷墨头(1)的喷嘴孔或其周边向基板(13)照射或反射光的装置；位置移动装置(10)，控制喷墨头(1)与基板(13)的相对位置；控制装置(9)，吐出来自喷墨头(1)的液体；将识别喷墨头(1)的位置的受光元件(6)配置在从喷墨头(1)观察时的基板(13)的后方；基板(13)至少具有使从喷嘴孔或其周边向基板(13)的照射光或反射光进入到受光元件(6)中的程度的透明度；受光元件(6)检测从喷嘴孔或其周边向基板(13)的照射光或反射光。由此，即使喷墨头与基板的距离较短也能够正确地调整喷墨头与基板的相对位置。
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公开(公告)号：CN100445432C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200410103657.7
申请日：2004-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B29/58 , C30B7/00 , Y10T428/31663
Abstract: 一种物质的结晶方法，其包括：液滴形成工序，通过将在溶剂中溶解了被结晶的物质得到的溶液滴下到结晶用基板上而形成略球状的液滴，所述结晶用基板，在基材的表面通过选自-SiO-键以及-SiN-键中的至少一个键结合有机分子膜，该有机分子膜对所述溶液显示非亲合性，且所述结晶用基板的表面呈具有多个凸部的凹凸形状；和溶剂蒸发工序，在所述液滴形成工序后，使所述溶剂从所述液滴蒸发。这种结晶方法，可以抑制微晶的产生，更稳定且高效地进行结晶。
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公开(公告)号：CN1976869A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200680000344.6
申请日：2006-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B82B1/00 , H01L21/336 , B82B3/00 , H01L29/06 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/1292 , H01L29/0673 , H01L29/775 , H01L29/78603 , H01L29/78696 , H01L51/0048 , Y10S977/882
Abstract: 本发明涉及将碳纳米级管、半导体纳米级导线等的微细结构体排列到基板之上的方法、和具备基于该方法而配置的微细结构体的基板。该方法的发明包括：在基板(1)形成槽(2)的工序、向所述槽内滴下分散有微细结构体(3)的溶液(6)的工序、和使所述溶液蒸发而在所述槽内自组织排列所述微细结构体的工序。通过该发明的方法排列微细结构体的基板，能够用于场效应晶体管或传感器。
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公开(公告)号：CN1384497A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02119213.8
申请日：2002-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B7/26 , Y10T428/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供的是在光盘表面上形成防污染膜、难以污染、即使污染易于去除的光信息记录介质及其制造方法。一种光记录介质,在光信息记录介质的基体(11)上至少具有反射膜(17)、记录膜(14)和保护膜(16),保护膜(16)在与基体(11)相对侧表面上形成,在基体(11)和保护膜(16)中至少一个的外层上形成硬涂敷树脂层(17),在硬涂敷树脂层(17)的外层上,形成由以一般式R4－m－nSiR’mZn－(其中R是含有3～25个碳原子碳链基的基,Z为O、N或S,n为1、2或3,R’是氢原子或1～3个碳原子的烷基,m为0、1或2)表示有机硅烷分子形成的化学吸附膜(18)、其与硬涂层(17)形成共价键。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1086726C
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：CN97110013.6
申请日：1997-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/00 , C09D5/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y40/00 , F28F17/005 , F28F2245/02 , Y10T428/2936 , Y10T428/2995 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及拒水性覆膜、其制法和装置。在基体材料的表面上形成含微晶聚合物的、表面凸凹的超拒水性薄膜，它可防止热交换器的散热片冻结。微晶聚合物至少含有氟化碳基。将CF3(CF2)7-(CH2)2-SiCl3调制成溶于非水系环己甲基三硅氧烷中的覆膜形成溶液，用毛刷将此溶液涂布在铝制散热片11上。然后在室温、相对湿度约75%的气氛中使该溶剂蒸发，使残留在散热片上的CF3(CF2)7-(CH2)2-SiCl3迅速水解，空气中的水分与-SiCl3基进行脱盐酸反应，在散热片11上形成微晶聚合物12。由此形成表面粗糙1-40μm、对水的接触角约171°的覆膜。
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公开(公告)号：CN1167131A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：CN97110013.6
申请日：1997-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/00 , C09D5/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y40/00 , F28F17/005 , F28F2245/02 , Y10T428/2936 , Y10T428/2995 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678
Abstract: 在基体材料的表面上形成包含微晶聚合物的、表面凸凹的薄膜，上述微晶聚合物至少含有氟化碳基，该薄膜是超拒水性的，例如容易除去空调机的结露水，防止热交换器的散热片冻结。将CF3(CF2)7-(CH2)2-SiCl3在非水系环己甲基三硅氧烷中以10％(体积)的浓度稀释，调制成覆膜形成溶液，用毛刷将上述覆膜形成溶液涂布在铝制散热片11上，形成1—10μm厚度。然后在室温、相对湿度约75％的氛围中使环己甲基三硅氧烷蒸发，以氛围中的水分使残留在散热片上的CF3(CF2)7-(CH2)2-SiCl3迅速进行水解，使空气中的水分与-SiCl3基进行脱盐酸反应，在散热片11上形成微晶聚合物12。能够形成1—40μm范围的表面粗糙(凸凹)、对水的接触角约171°的覆膜。
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公开(公告)号：CN103384643A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280010337.X
申请日：2012-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B33/126 , C01B33/1585 , C01B33/163 , Y02P20/544
Abstract: 本发明中公开的二氧化硅多孔体的制造方法包括以下工序：准备包含硅醇盐和溶剂的原料溶液的工序，其中，所述硅醇盐以相对于四甲氧基硅烷的质量1二异丁基二甲氧基硅烷的质量为0.25以上且1以下的质量比包含二异丁基二甲氧基硅烷及四甲氧基硅烷；将包含促进硅醇盐的水解及缩聚的催化剂、且pH为8.9以上且11.3以下的水溶液添加到原料溶液中而得到湿润凝胶的工序；将湿润凝胶进行清洗的工序；和将清洗的湿润凝胶在超临界条件下干燥的工序。
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公开(公告)号：CN103080008A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040135.5
申请日：2011-11-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B33/16 , C01B33/12 , H04R23/008
Abstract: 一种二氧化硅多孔体，其是三维地连接二氧化硅粒子(6)而成的二氧化硅多孔体(5)，该二氧化硅多孔体具有包含比空气的平均自由行程小的第1细孔和比上述第1细孔大的第二细孔的贯通孔，具有100kg/m3以上且300kg/m3以下的密度，在构成上述二氧化硅粒子的二氧化硅的硅上键合有异丁基。
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公开(公告)号：CN100502007C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN02823913.X
申请日：2002-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , H01L51/0094
Abstract: 本发明提供非易失性存储器，其在基板上至少含有第一电极(71)、与第一电极(71)隔离的第二电极(72)、将第一电极(71)和第二电极(72)电连接的导电性有机薄膜(73)。导电性有机薄膜(73)具有显示第一电阻值的第一电状态和显示第二电阻值的第二电状态，从第一电状态转变到第二电状态的第一阈值电压与从第二电状态转变到第一电状态的第二阈值电压不同，第一电状态或第二电状态保持在第一阈值电压和第二阈值电压的范围内。导电性有机薄膜(73)和基材表面以共价键结合。在导电性有机薄膜(73)上可以连接二极管(74)。这样，便提供了能够利用导电性有机薄膜(73)的电阻值的变化进行记录的写入和读出，而且容易集成化的非易失性存储器。
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