公开(公告)号：CN1228543A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：CN99103654.9

申请日：1999-03-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川一文 ,  野村幸生 ,  大竹忠

IPC: G02B1/10 ,  G02F1/13

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G02F1/133719 ,  G02F1/133788

Abstract: 提供一种洗涤液利用率高,组成分子取向性优良的取向性化学吸附单分子膜的制造方法。准备表面亲水性的基材1,使含有碳链或硅氧烷键合链的硅烷系表面活性剂与此表面接触,借助两者起化学反应使该硅烷系表面活性剂分子的一端与该基材1结合而形成单分子膜,该基材在朝向指定方向的状态下用有机溶剂4蒸气进行蒸气洗涤,此时借助凝结在基材1表面上的有机溶剂41的液流使该单分子膜的组成分子取向。

公开(公告)号：CN103153868B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201280003145.6

申请日：2012-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  宫田伸弘 ,  羽藤一仁

IPC: C01G33/00 ,  B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  B01J37/02 ,  B01J37/10 ,  C01B3/04 ,  H01M8/06 ,  C23C16/40 ,  H01M8/10

CPC classification number: C25B11/0447 ,  B01J35/004 ,  C01B13/0207 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  H01M8/0656 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/368 ,  Y02E60/50

Abstract: 本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。

公开(公告)号：CN102369312B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080009866.9

申请日：2010-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑羽智宏 ,  野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  德弘宪一 ,  谷口昇 ,  羽藤一仁 ,  德满修三

IPC: C25B9/00 ,  C01B3/04 ,  C25B1/04

CPC classification number: C25B1/003 ,  C01B3/042 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/368

Abstract: 氢气生成装置(100)具有：框体(1)，其内部能够保持液体且至少一部分能够透光；电解液，其被保持在框体(1)的内部且含有水；光电极(2)，其配置在框体(1)的内部，具有与所述电解液相接的第一面，并通过照射透过框体(1)的光来分解所述水而产生气体；导电体(3)，其在框体(1)的内部相对于光电极(2)配置在与所述第一面相反侧的第二面侧的区域，且具有与所述电解液相接的面，并且该导电体(3)与光电极(2)电连接。在导电体(3)与所述电解液相接的所述面上设有沿产生的所述气体流动的方向延伸的槽部(3a)。

公开(公告)号：CN102575361B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201080046454.2

申请日：2010-11-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑羽智宏 ,  野村幸生 ,  羽藤一仁 ,  谷口升 ,  铃木孝浩 ,  德弘宪一

IPC: C25B9/00 ,  B01J35/02 ,  C01B3/04 ,  C25B1/02 ,  H01M8/06 ,  H01M14/00

CPC classification number: C25B1/003 ,  C01B3/042 ,  H01M8/0606 ,  H01M14/005 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02E60/50 ,  Y02P20/135

Abstract: 本发明的光电化学电池(100)具备：半导体电极(120)，该半导体电极(120)包括导电体(121)、具有纳米管阵列构造的第一n型半导体层(122)、以及第二n型半导体层(123)；与导电体(121)连接的对电极(130)；与第二n型半导体层(123)以及对电极(130)接触的电解液(140)；以及用于容纳半导体电极(120)、对电极(130)以及电解液(140)的容器(110)。将真空能级作为基准，(I)第二n型半导体层(123)的传导带以及价电子带的带边能级分别比第一n型半导体层(122)的传导带以及价电子带的带边能级大，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级比第二n型半导体层(123)的费米能级大，并且，(III)导电体(121)的费米能级比第一n型半导体层(122)的费米能级大。

公开(公告)号：CN103582608A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201380001465.2

申请日：2013-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木孝浩 ,  野村幸生 ,  羽藤一仁 ,  德弘宪一 ,  田村聪

IPC: C01B3/04 ,  H01M8/06 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  H01M8/10 ,  H01M8/12

CPC classification number: C25B1/10 ,  C01B3/042 ,  C25B1/003 ,  C25B1/02 ,  C25B1/04 ,  C25B1/06 ,  C25B9/00 ,  C25B9/10 ,  C25B9/18 ,  C25B15/08 ,  H01M8/0656 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02E60/368 ,  Y02E60/50

Abstract: 本发明提供氢生成单元、氢生成设备及使用该氢生成设备的能量系统。本发明的氢生成单元设有贯通框体的电解液供给孔、电解液排出孔、第一氢流通孔及第二氢流通孔，在设置氢生成单元时，电解液供给孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧，第一氢流通孔配置成比电解液供给孔靠铅垂上侧，第二氢流通孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧。利用本结构，能大幅降低与电解液及氢有关的配管长度及歧管数量，能简单且合理地将氢生成单元彼此连结。

公开(公告)号：CN102686314A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180004738.X

申请日：2011-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木孝浩 ,  野村幸生 ,  田村聪 ,  羽藤一仁 ,  谷口升 ,  德弘宪一 ,  宫田伸弘

IPC: B01J27/24 ,  B01J23/20 ,  B01J23/648 ,  B01J35/02 ,  C01B3/04 ,  C01G33/00 ,  H01M8/00 ,  H01M8/06

Abstract: 本发明提供一种光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统。本发明的光半导体的制造方法包括：混合工序，制作包含铌化合物和还原防止剂的混合物，该铌化合物至少在组成中含有氧；氮化工序，使所述混合物与氮化合物气体进行反应，从而使所述混合物氮化；和洗净工序，从通过所述氮化工序得到的试样中，利用洗净液溶解铌氮氧化物以外的化学种，分离出铌氮氧化物。本发明的光半导体实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。

公开(公告)号：CN102421942A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020692.6

申请日：2010-06-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  德弘宪一 ,  黑羽智宏 ,  谷口升 ,  羽藤一仁 ,  德满修三

IPC: C25B9/00 ,  C25B1/04 ,  C01B3/04 ,  H01M8/06

CPC classification number: C01B3/042 ,  C25B1/003 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02P20/135

Abstract: 本发明提供一种光电化学单元。所述光电化学单元(1)具备：光半导体电极(第一电极)(3)，其包括导电基板(3a)及配置在导电基板(3a)上的作为光半导体层的n型半导体层(3b)；对电极(第二电极)(4)，其与光半导体电极(3)的导电基板(3a)侧的面对置配置且与导电基板(3a)电连接；电解液(11)，其与n型半导体层(3b)的表面及对电极(4)的表面接触且含有水；容器(2)，其收容光半导体电极(3)、对电极(4)及电解液(11)；供给口(5)，其用于向容器内部供给水；离子通过部(12)，其使离子能够在n型半导体层(3b)的表面侧的区域A中的电解液与相对于光半导体电极(3)而与区域A相反侧的区域B中的电解液之间移动。

公开(公告)号：CN102369312A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080009866.9

申请日：2010-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑羽智宏 ,  野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  德弘宪一 ,  谷口昇 ,  羽藤一仁 ,  德满修三

IPC: C25B9/00 ,  C01B3/04 ,  C25B1/04

CPC classification number: C25B1/003 ,  C01B3/042 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/368

Abstract: 氢气生成装置(100)具有：框体(1)，其内部能够保持液体且至少一部分能够透光；电解液，其被保持在框体(1)的内部且含有水；光电极(2)，其配置在框体(1)的内部，具有与所述电解液相接的第一面，并通过照射透过框体(1)的光来分解所述水而产生气体；导电体(3)，其在框体(1)的内部相对于光电极(2)配置在与所述第一面相反侧的第二面侧的区域，且具有与所述电解液相接的面，并且该导电体(3)与光电极(2)电连接。在导电体(3)与所述电解液相接的所述面上设有沿产生的所述气体流动的方向延伸的槽部(3a)。

公开(公告)号：CN102334230A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009672.9

申请日：2010-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  宫田伸弘 ,  羽藤一仁

IPC: H01M14/00 ,  H01M8/00 ,  H01M8/06

CPC classification number: H01M14/005 ,  C25B1/003 ,  H01G9/205 ,  Y02E10/542 ,  Y02E60/364 ,  Y02P20/135

Abstract: 本发明提供一种光电化学元件和使用该光电化学元件的能量系统，该光电化学元件(100)具备：半导体电极(120)，包括基板(121)、在基板(121)上配置的第一n型半导体层(122)、在第一n型半导体层(122)上彼此分离开配置的第n型半导体层(123)和导电体(124)；异性极(130)，与导电体(124)电连接；电解液(140)，与第n型半导体层(123)和异性极(130)的表面接触；以及容器(110)，收容半导体电极(120)、异性极(130)和电解液(140)，在半导体电极(120)中，以真空能级为基准，(I)第二n型半导体层(123)中的传导带和价电子带的带边能级分别大于第一n型半导体层(122)中的传导带和价电子带的带边能级，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级大于第二n型半导体层(123)的费米能级，(III)导电体(124)的费米能级大于第一n型半导体层(122)的费米能级。光电化学元件(100)通过对第二n型半导体层(123)照射光而产生氢。

公开(公告)号：CN1246143C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN99810979.7

申请日：1999-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野村幸生 ,  小川一文 ,  大竹忠 ,  武部尚子

IPC: B32B9/00 ,  G02F1/1337

CPC classification number: C08J7/047 ,  C03C17/42 ,  C03C2217/76 ,  C08J7/04 ,  C08J2483/00 ,  G02F1/133719 ,  G02F1/133788

Abstract: 本发明特征在于，在基材表面上接触含有X-(SiOX2)n-SiX3(其中，X是选自卤素、烷氧基或者异氰酸酯基的至少一种的官能团，n是0以上的整数)表示的、可水解的化合物的底层溶液，在低于300℃的温度下干燥，形成底层，在该底层的表面上接触含有硅烷类化合物的溶液，化学吸附硅烷类化合物分子后，将该基材在300℃以上的温度下烧结。由此可以提高由以改变基材表面性质为目的的硅烷类化合物形成的功能性膜的防水性、耐久性、耐热性。