公开(公告)号：CN108290377A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680067430.2

申请日：2016-11-22

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 西尾昌二 ,  森孝博

IPC: B32B9/00 ,  B32B7/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的课题是提供气体阻隔性及光学各向异性得到了改善的气体阻隔性膜。该气体阻隔性膜在基材上具有气体阻隔层，上述气体阻隔层至少在厚度方向上沿厚度方向连续地具有5nm以上的混合区域，该混合区域是含有非过渡金属M1及过渡金属M2的区域，上述过渡金属M2对于上述非过渡金属M1的原子数比的值(M2/M1)在0.02～49的范围内，上述基材在23℃·55％RH的环境下测定光波长590nm处的延迟值Ro的绝对值在0～30nm的范围内。

公开(公告)号：CN106536192A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038447.0

申请日：2015-06-24

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 森孝博

IPC: B32B27/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: B32B27/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明提供一种具有高的气体阻隔性和优异的气体阻隔性的面内均匀性的气体阻隔性膜。此外，本发明提供一种在高温高湿环境下的耐久性优异的电子设备。一种气体阻隔性膜，其在基材上依次具有锚固涂层、与上述锚固涂层接触且通过真空成膜法形成的气体阻隔层，上述锚固涂层是对含有聚硅氮烷的层施加能量来进行改性处理而得到的层，且在将上述锚固涂层的厚度设为A(nm)、将上述锚固涂层整体的氮原子相对于硅原子的原子比(N/Si)设为B时，A×B≤60。

公开(公告)号：CN105143509A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201380074861.8

申请日：2013-03-21

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 森孝博

IPC: C23C16/54 ,  C23C14/02 ,  C23C14/56 ,  C23C16/02 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01L51/5237 ,  C23C16/30 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  C23C16/545 ,  H01L51/524

Abstract: 本发明的目的是提供具有高的气体阻隔性、且具有良好的平面性的气体阻隔性膜。本发明是具有基材和气体阻隔性层的气体阻隔性膜的卷体，气体阻隔性层含有硅原子、氧原子和碳原子，将从气体阻隔性层的表面起的距离设为X值，将碳原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计量的比率设为Y值的碳分布曲线具有极大值和极小值，基材的与配置有气体阻隔性层的一侧为相反侧的面具有500～10000个/mm2的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0～500个/mm2的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B，并且基材的按照JIS K-7136测定而得的雾度为1％以下，气体阻隔性膜在特定条件下测定的平面性指标在0～5的范围。