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公开(公告)号：CN116157911A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180059759.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及电容器。第一晶体管具有在关闭状态时保持对应于通过第一晶体管供应到第三晶体管的栅极的第一数据的第一电位的功能。电容器具有根据对应于供应到一个电极的第二数据的电位变化而将在第三晶体管的栅极中保持的第一电位变为第二电位的功能。第二晶体管具有使第三晶体管的源极和漏极中的一个的电位成为对应于第二晶体管的栅极电位的电位的功能。第三晶体管具有使对应于第三晶体管的栅极电位的输出电流流过源极和漏极中的另一个的功能。当第三晶体管在亚阈值区域中工作时，输出电流流过。
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公开(公告)号：CN114175617A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054318.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/232
Abstract: 提供一种具有新颖结构的摄像装置。本发明是一种具有设置有多个像素的摄像区域的摄像装置。摄像区域所包括的多个像素包括第一像素及第二像素。摄像装置具有选择第一或第二区域的功能。第一区域包括与第二区域相同数量的像素，第一区域至少包括第一及第二像素，第二区域至少包括第二像素，第一区域或第二区域所包括的像素具有输出各自所取得的摄像信号的功能。摄像装置同时读出第一区域所包括的像素输出的摄像信号进行运算来生成第一图像数据。摄像装置通过同时读出第二区域所包括的像素输出的摄像信号进行运算来生成第二图像数据。第一成像图像可以使用第一图像数据及第二图像数据生成。
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公开(公告)号：CN114026592A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080043825.5
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06Q50/10 , G06F3/01 , G06F3/16 , G06F3/0482 , G06V20/20 , G06V10/82 , G06F16/583 , G06F16/538
Abstract: 提供一种信息处理系统、信息处理装置及信息处理方法，该信息处理系统包括：具备显示单元及拍摄单元的可穿戴装置；以及通过网络与可穿戴装置连接的数据库，其中，数据库包括食谱、烹调方法及关于材料的信息中的至少一个，可穿戴装置通过拍摄单元检测第一材料，可穿戴装置通过数据库收集关于第一材料的信息，当在拍摄单元所拍摄的范围的特定区域中存在有第一材料时，在显示单元上显示关于第一材料的信息，当在特定区域中不存在有第一材料时，在显示单元上不显示关于第一材料的信息。
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公开(公告)号：CN110537369B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201880025822.1
申请日：2018-04-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种从低分辨率的图像数据生成高分辨率的图像数据的图像处理方法及一种通过该图像处理方法工作的图像接收装置。本发明的一个方式是一种从低分辨率的图像数据生成高分辨率的图像数据的图像处理方法，其中，通过分割低分辨率的图像数据来生成多个第一图像数据，将多个第一图像数据的相邻的两个中的一个作为第二图像数据，将另一个作为第三图像数据，通过由像素数据补充第二图像数据的周围来生成第四图像数据，像素数据包括第三图像数据的一部分，进行将第四图像数据作为输入的卷积神经网络，卷积神经网络输出第五图像数据，并且，通过结合多个第五图像数据来生成高分辨率的图像数据。此外，本发明的一个方式是一种通过该图像处理方法工作的图像接收装置。
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公开(公告)号：CN105789321B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610175016.5
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请题为“半导体装置的制造方法”。在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜，然后进行热处理。通过该热处理，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。通过设置金属氧化物膜，可以防止在晶体管中的氧化物半导体膜的背沟道侧产生寄生沟道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789321A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610175016.5
申请日：2011-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请题为“半导体装置的制造方法”。在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜，然后进行热处理。通过该热处理，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。通过设置金属氧化物膜，可以防止在晶体管中的氧化物半导体膜的背沟道侧产生寄生沟道。
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公开(公告)号：CN105609566A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610184323.X
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者-25℃至-150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。
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公开(公告)号：CN105590964A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510993428.5
申请日：2011-01-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66742
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
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公开(公告)号：CN102511082B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201080041841.7
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者-25℃至-150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。
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公开(公告)号：CN102687275B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180005276.3
申请日：2011-01-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
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