公开(公告)号：CN102177577B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN200980139868.7

申请日：2009-10-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67161 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6776 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。

公开(公告)号：CN102187010B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200980140705.0

申请日：2009-10-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  斋藤一也

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。

公开(公告)号：CN103422066A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310178846.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大谷佑介 ,  新井真 ,  仓田敬臣 ,  佐藤重光

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。

公开(公告)号：CN102187008A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980140711.6

申请日：2009-10-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  斋藤一也

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。溅射装置(100)具有传送机构、第1溅射靶(Tc1)、第2溅射靶(Tc2～Tc5)、溅射机构。传送机构配置在真空槽的内部，将支承基板的支承机构沿着平行于所述被处理面的传送面直线运动地进行传送。第1溅射靶(Tc1)对着传送面且与之相隔第1间隔。第2溅射靶配置在第1溅射靶的基板的传送方向的下游侧，对着传送面且与之相隔比第1间隔小的第2间隔。溅射机构使所述第1溅射靶(Tc1)与第2溅射靶(Tc2～Tc5)产生溅射。采用这样的溅射装置(110)，对衬底层的损伤小，能够制造出成膜特性良好的薄膜。

公开(公告)号：CN102177577A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980139868.7

申请日：2009-10-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 仓田敬臣 ,  清田淳也 ,  新井真 ,  赤松泰彦 ,  石桥晓 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  佐藤重光 ,  菊池正志

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/67161 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6776 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。