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公开(公告)号：CN103422066B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310178846.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种溅射法，其在对靶进行溅射成膜时，可有效地抑制产生薄膜厚度分布和薄膜质量分布的起伏，其以各靶31～34的与基板W的相对面侧为上，通过配置在各靶下方的磁铁单元41～44在各靶的上方形成隧道状的漏磁场M1、M2，在溅射中，使各磁铁单元同步地在X方向上以规定的冲程对靶做相对的往复运动，并使基板在X方向以规定的冲程对靶做相对的往复运动，使各磁铁单元和基板向相反方向移动，设置从往复运动的起点到折返位置为止的时间相等。
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公开(公告)号：CN102097270B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010580566.8
申请日：2010-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J23/087 , H01J37/34
Abstract: 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置，其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域，使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上，所述磁铁组设置在靶的下侧，在靶的上方形成隧道形的磁力线，所述磁铁组包括：沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁，以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁，用以改变靶一侧的极性，还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部，即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。
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公开(公告)号：CN102165570A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137929.6
申请日：2009-08-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/336 , H01L21/203 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法以及制造装置，其可在活性层不暴露在大气环境中的情况下保护该活性层不被蚀刻剂侵蚀。本发明一个实施方式所述的场效应晶体管的制造方法包括：采用溅射法在基材上(10)形成活性层(15)(IGZO膜15F)的工序，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分；采用溅射法在上述活性层上形成阻挡层(阻挡层形成膜16F)，该阻挡层用来保护上述活性层不被蚀刻剂侵蚀；以所述阻挡层作为掩膜对上述活性层进行蚀刻加工。采用溅射法形成阻挡层时，在形成活性层后可在该活性层不暴露在大气中的情况下形成阻挡层，所以能防止大气中的水分或杂质附着在活性层的表面而引起薄膜质量变差的情况出现。
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公开(公告)号：CN1842919A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000956.0
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。
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公开(公告)号：CN111684100A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980006665.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种能够抑制蒸镀材料的大飞散角度所产生的影响的蒸镀装置。本发明的一方式的基板保持装置，具有蒸发源、支撑机构、限制板以及腔体。蒸发源收纳蒸镀材料，并具有加热蒸镀材料的加热机构。支撑机构在与蒸发源相向的位置支撑蒸镀对象物。限制板被配置在相对于蒸发源与所述蒸镀对象物的中点靠蒸镀对象物侧的位置，限制蒸镀材料的飞散路径。腔体收纳蒸发源、支撑机构以及限制板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107429387B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201680015597.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。
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公开(公告)号：CN102187010A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980140705.0
申请日：2009-10-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。
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公开(公告)号：CN100550426C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580000956.0
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。
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公开(公告)号：CN111684100B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201980006665.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种能够抑制蒸镀材料的大飞散角度所产生的影响的蒸镀装置。本发明的一方式的基板保持装置，具有蒸发源、支撑机构、限制板以及腔体。蒸发源收纳蒸镀材料，并具有加热蒸镀材料的加热机构。支撑机构在与蒸发源相向的位置支撑蒸镀对象物。限制板被配置在相对于蒸发源与所述蒸镀对象物的中点靠蒸镀对象物侧的位置，限制蒸镀材料的飞散路径。腔体收纳蒸发源、支撑机构以及限制板。
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公开(公告)号：CN107429387A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015597.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。
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