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公开(公告)号:CN104518245A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410654056.9
申请日:2014-08-20
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H03L7/26 , G04F5/145 , H05B3/26 , H05B2203/002 , H05B2203/007 , H05B2203/013
Abstract: 一种加热器基板、碱金属电池单元和原子振荡器。一种用于加热包括碱金属的碱金属电池的加热器基板,包括:形成在围绕碱金属被封装了的碱金属封装部分的区域中的第一加热器布线;形成在围绕碱金属封装部分的区域中并且在第一加热器布线内部的第二加热器布线;以及形成在第一加热器布线外部的第三加热器布线。在第一加热器布线中流动的第一电流被分成在第二加热器布线中流动的第二电流和在第三加热器布线中流动的第三电流。第一电流的方向与第二电流的方向和第三电流的方向相反。
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公开(公告)号:CN102439806B
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201080022491.X
申请日:2010-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种制造表面发射激光器的方法,包括层叠透明介电层在层叠体的上表面上;形成第一抗蚀剂图案在介电层的上表面上,第一抗蚀剂图案包括限定台地结构的外周的图案和保护与发射区域中包括的相对高反射率部分和相对低反射率部分中的一个相对应的区域的图案;通过利用第一抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻介电层;以及形成包括与整个发射区域相对应的区域的第二抗蚀剂图案。这些步骤在形成台地结构之前执行。
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公开(公告)号:CN102122793A
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN201110003470.X
申请日:2011-01-10
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18394 , B41J2/471 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S2301/14 , H01S2301/18
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备。所述表面发射激光器元件包括发射激光束的发射区域和高反射率区域,该高反射率区域包括具有第一折射率的第一电介质膜和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二电介质膜,所述第一电介质膜和第二电介质膜叠置在所述发射区域内,以提供高反射率。在表面发射激光器元件中,所述高反射率区域形成在包括发射区域的中心部分的区域内,并且被构造成在平行于发射区域的平面内的两个正交方向上具有形状各向异性。
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公开(公告)号:CN101582562A
公开(公告)日:2009-11-18
申请号:CN200910139045.6
申请日:2009-05-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备。在表面发射激光器元件中,在衬底上,该衬底的主表面的法线方向是倾斜的,包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称,并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称,电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在-Y方向大于在+X和-X方向。
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