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公开(公告)号：CN105190854A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480024713.X
申请日：2014-03-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/368 , C09D1/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02628 , C09D1/00 , C09D5/24 , H01L21/02565 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 提供用于形成金属氧化物膜的涂布液，其含有：铟化合物；选自镁化合物、钙化合物、锶化合物、和钡化合物的至少一种；选自含有其氧化数的最大正值为IV的金属的化合物、含有其氧化数的最大正值为V的金属的化合物，和含有其氧化数的最大正值为VI的金属的化合物的至少一种；以及有机溶剂。
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公开(公告)号：CN104823270A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380062543.X
申请日：2013-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78606 , G09G3/30 , G09G3/344 , G09G3/348 , G09G3/3696 , G09G3/38 , G09G2300/0426 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L29/7869
Abstract: 提供场效应晶体管，其包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。
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公开(公告)号：CN106876475B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201611122623.1
申请日：2016-12-08
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 一种场效应晶体管包括：栅电极，其被配置为施加栅极电压；源电极和漏电极，其被配置为将电流送出；有源层，其被置于邻近所述源电极和所述漏电极并由氧化物半导体形成；以及栅极绝缘层，其被置于所述栅电极与所述有源层之间。其中，所述栅极绝缘层包含顺电性非晶氧化物，其包含作为碱土金属的A族元素以及作为从由Ga、Sc、Y，以及镧系元素组成的所述族中选择的至少一个的B族元素，以及其中，所述有源层具有4.0×1017/cm3或更高的载流子密度。
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公开(公告)号：CN110752255A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910662255.7
申请日：2019-07-22
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及一种金属氧化物、场效应晶体管及其制造方法。所述效应晶体管包括源电极和漏电极、栅电极、有源层和栅极绝缘层，所述制造场效应晶体管的方法包括蚀刻栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层是包含A元素和选自B元素和C元素中的至少一种的金属氧化物，A元素是选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te中的至少一种，B元素是选自由Ga、Ti、Zr和Hf中的至少一种，C元素是选自由元素周期表中的第2族元素中的至少一种，当形成选自由源电极和漏电极、栅电极和有源层中的至少一种时，使用蚀刻溶液A，并且当蚀刻栅极绝缘层时，使用蚀刻溶液B，蚀刻溶液B是与蚀刻溶液A类型相同的蚀刻溶液。
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公开(公告)号：CN105684135B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201480059693.X
申请日：2014-10-23
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 场效应晶体管，包括：基体材料；钝化层；在它们之间形成的栅绝缘层；源电极和漏电极，其形成为与所述栅绝缘层接触；在至少所述源电极和所述漏电极之间形成的且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触的半导体层；和与所述栅绝缘层接触且经由所述栅绝缘层面对所述半导体层的栅电极，其中所述钝化层包含第一钝化层和形成为与该第一钝化层接触的第二钝化层，所述第一钝化层包含含有Si和碱土金属的第一复合金属氧化物，且所述第二钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合金属氧化物。
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公开(公告)号：CN105261649B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510408238.2
申请日：2015-07-13
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明涉及涂布液、场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统。所述场效应晶体管包括：配置成施加栅电压的栅电极；配置成取出电流的源电极和漏电极；由n‑型氧化物半导体形成且与所述源电极和所述漏电极接触地设置的有源层；以及设置在所述栅电极和所述有源层之间的栅绝缘层，其中所述n‑型氧化物半导体包括选自Re、Ru、和Os的至少一种作为掺杂剂。
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公开(公告)号：CN109216443A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811116958.1
申请日：2014-07-25
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/45 , H01L29/786
Abstract: 为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×1017cm-3或更大。
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公开(公告)号：CN108780756A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017476.8
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 提供了一种用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中的前沟道或后沟道，所述方法包括：氧化物层形成步骤，用于形成是第二氧化物层的前体的第二前体层，以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层相邻，然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层，其中所述氧化物层形成步骤包括如下限定的处理(I)和(II)中的至少一个：(I)处理：用于涂覆能够形成第一氧化物前体并含有溶剂的涂布液；然后除去溶剂，由此形成第一前体层；和(II)处理：用于涂覆能够形成第二氧化物前体并含有溶剂的涂布液；除去溶剂，由此形成第二前体层。
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公开(公告)号：CN107017308A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611103021.1
申请日：2016-12-05
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 一种阻气叠层，包括基板和形成在基板的表面中的至少一个上的阻挡层。阻挡层包括含硅和碱土金属的复合氧化物。
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公开(公告)号：CN106972062A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610991447.9
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管,显示元件，显示装置,系统,以及场效应晶体管的制造方法。本发明的课题在于,抑制对半导体层或基板产生损害，防止薄膜晶体管的特性及均一性降低。场效应晶体管包括：栅电极；源电极和漏电极，用于根据向上述栅电极施加电压，取出电流；半导体层，与上述源电极和上述漏电极相接配置，在上述源电极和上述漏电极之间形成沟道；作为栅绝缘膜的第一绝缘层，位于上述半导体层和上述栅电极之间；以及第二绝缘层，覆盖上述半导体层表面的至少一部分；上述第二绝缘层包括含有硅和碱土类金属的金属氧化物。
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