公开(公告)号：CN110024089B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201780073946.2

申请日：2017-11-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀 ,  安藤友一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。

公开(公告)号：CN106098787B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201610525944.X

申请日：2011-02-15

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  曾根雄司 ,  安部由希子

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L21/02

Abstract: 所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。

公开(公告)号：CN105849914B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201480071319.1

申请日：2014-12-16

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安部由希子 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

Abstract: p‑型氧化物半导体，其包括：包含铊(Tl)的金属氧化物，其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。

公开(公告)号：CN103460389B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201280016806.9

申请日：2012-03-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安部由希子 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  松本真二 ,  兽根雄司 ,  高田美树子 ,  早乙女辽一

IPC: H01L29/24 ,  C01G3/00 ,  G09G3/30 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36 ,  H01L21/338 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/242 ,  C01F5/06 ,  C01F11/04 ,  C01G3/02 ,  C01P2002/02 ,  G09G3/32 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78693

Abstract: p型氧化物，其为非晶的并且由如下组成式表示：xAO·yCu2O，其中x表示AO的摩尔比例和y表示Cu2O的摩尔比例，并且x和y满足以下表达式：0≤x

公开(公告)号：CN106611795A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610915838.2

申请日：2016-10-20

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 早乙女辽一 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  平野由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/344 ,  G09G3/348 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2310/0264 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/786 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，显示元件，图像显示装置,系统以及场效应晶体管的栅绝缘层的组成物。提供难以产生因热处理而引起的在栅电极、源电极、漏电极和栅绝缘膜之间的剥离的场效应晶体管。本发明的场效应晶体管包括：用于施加栅电压的栅电极；用于取出电流的源电极和漏电极；与上述源电极和漏电极邻接设置的半导体层；以及设于上述栅电极和上述半导体层之间的栅绝缘层；上述场效应晶体管的特征在于:上述栅绝缘层包括含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。

公开(公告)号：CN104617150A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510004823.6

申请日：2011-02-15

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  曾根雄司 ,  安部由希子

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41

Abstract: 所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。

公开(公告)号：CN104094407A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280068524.3

申请日：2012-11-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安部由希子 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  高田美树子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一

IPC: H01L29/24 ,  C01G30/00 ,  G02F1/1365 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/247 ,  C01G19/00 ,  C01G30/00 ,  C01P2002/72 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/861

Abstract: 提供p-型氧化物，其包括氧化物，其中所述氧化物包括：Cu；和元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，和其中所述p-型氧化物是非晶的。

公开(公告)号：CN104081510A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280068540.2

申请日：2012-11-28

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 中村有希 ,  植田尚之 ,  安部由希子 ,  曾根雄司 ,  松本真二 ,  高田美树子 ,  早乙女辽一

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。

公开(公告)号：CN102782858A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080064709.8

申请日：2010-12-22

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 曾根雄司 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子

IPC: H01L29/786 ,  C01F17/00 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/15 ,  G02F1/167 ,  G02F1/17 ,  G09G3/30 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/1635 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3648 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/7881

Abstract: 场效应晶体管包括：基板；在该基板上形成的源极电极、漏极电极和栅极电极；半导体层，当向栅极电极施加预定电压时，通过该半导体层在该源极电极和漏极电极之间形成沟道；以及栅极绝缘层，提供在该栅极电极和该半导体层之间。该栅极绝缘层由包括一种或两种或更多种碱土金属元素以及从由Ga、Sc、Y和除了Ce之外的镧系元素构成的组中选择的一种或两种或更多种元素的非晶复合金属氧化物绝缘膜形成。

公开(公告)号：CN102326192A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008782.3

申请日：2010-02-18

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 松冈康司 ,  山贺匠 ,  村上明繁 ,  植田尚之

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136263

Abstract: 一种显示装置，包括：衬底；扫描线和信号线的矩阵，形成在衬底上；开关元件，形成在由相互交叉的扫描线和信号线限定的像素区域中；第一绝缘膜，形成在扫描线、信号线和开关元件上；以及显示元件，由开关元件驱动。像素区域位于显示区域中，并且第一绝缘膜在显示区域外侧的外部区域中在扫描线或信号线之上具有开口。