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公开(公告)号：CN100413998C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN03818927.5
申请日：2003-08-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C28/00
Abstract: 提供制造耐热性特别优良的以α型晶体结构主体的氧化铝被膜的方法，其中包括：1)在具有由以Al和Ti为必要金属成分与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜的叠层被膜上，氧化该硬质被膜而形成氧化物含有层，在该氧化物含有层上形成以α型晶体结构为主体的氧化铝被膜的方法；2)在形成由氧化物生成的标准自由能大于铝的金属与B、C、N、O等的化合物构成的硬质被膜之后，氧化该硬质被膜的表面而形成氧化物含有层，接着，伴随该氧化物含有层表面的氧化物的还原，同时形成氧化铝被膜。
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公开(公告)号：CN104507839B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380041892.3
申请日：2013-07-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
CPC classification number: B32B37/20 , B32B17/064 , B32B37/1018 , B32B2457/20 , B65H18/00 , B65H39/16 , B65H41/00 , B65H2801/61 , C23C14/562
Abstract: 提供一种在重叠在保护片上而卷取时将玻璃薄膜适当地冷却来抑制损坏的玻璃薄膜输送装置。将长尺寸的玻璃薄膜连续地输送的玻璃薄膜输送装置（100）包括：开卷部（2），从卷将玻璃薄膜开卷；玻璃薄膜输送部（3），将从开卷部（2）开卷后的玻璃薄膜输送；卷取部（4），一边在由玻璃薄膜输送部（3）输送来的玻璃薄膜上层叠保护片一边卷取为卷状；和层叠辊（12），设在卷取部4）之前。层叠辊（12）的表面温度比保护片的温度高，使保护片升温，促进保护片含有的气化成分的蒸发。蒸发的气化成分积存在层叠辊（12）与保护片之间及保护片与玻璃薄膜之间，作为热传递介质发挥功能，将玻璃薄膜的温度适当地降低。
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公开(公告)号：CN104854256A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380066932.X
申请日：2013-11-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: B05C1/003 , B05C1/10 , B05C1/12 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/46 , C23C16/545 , D21F5/022 , H05B3/0095
Abstract: 提供一种能够不使基材的输送品质下降而对于基材确保宽广的温度控制域的基材输送辊（2a）。基材输送辊（2a）设置在对薄膜基材（W）的表面实施成膜处理的成膜装置（1）中，通过绕中心轴旋转来输送薄膜基材（W），包括：中央部段（13a），位于沿着上述中心轴的轴向上的中央部，具有第1外周面；端部段（12a、12b），位于中央部段（13a）的轴向的两外侧，具有与基材（W）接触的第2外周面，第2外周面具有比第1外周面大的直径；中央部升降温介质机构，使中央部段（13a）的温度变化；和两端部升降温机构，使上述各端部段（12a、12b）的温度与上述中央部段（13a）独立地变化。
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公开(公告)号：CN104507839A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380041892.3
申请日：2013-07-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
CPC classification number: B32B37/20 , B32B17/064 , B32B37/1018 , B32B2457/20 , B65H18/00 , B65H39/16 , B65H41/00 , B65H2801/61 , C23C14/562
Abstract: 提供一种在重叠在保护片上而卷取时将玻璃薄膜适当地冷却来抑制损坏的玻璃薄膜输送装置。将长尺寸的玻璃薄膜连续地输送的玻璃薄膜输送装置（100）包括：开卷部（2），从卷将玻璃薄膜开卷；玻璃薄膜输送部（3），将从开卷部（2）开卷后的玻璃薄膜输送；卷取部（4），一边在由玻璃薄膜输送部（3）输送来的玻璃薄膜上层叠保护片一边卷取为卷状；和层叠辊（12），设在卷取部（4）之前。层叠辊（12）的表面温度比保护片的温度高，使保护片升温，促进保护片含有的气化成分的蒸发。蒸发的气化成分积存在层叠辊（12）与保护片之间及保护片与玻璃薄膜之间，作为热传递介质发挥功能，将玻璃薄膜的温度适当地降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101755071B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880025385.X
申请日：2008-05-29
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 玉垣浩
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3405 , C23C14/352 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅射装置，通过抑制能够旋转的圆筒状标靶的轴向端部的局部消耗，使该圆筒状标靶的腐蚀区域均匀化，能够提高其使用寿命。该装置具备分别包括能够旋转的圆筒状标靶(13)和配置在其内侧的磁场发生部件(14)的一对溅射蒸发源(2)，以及将圆筒状标靶(13)作为阴极向其供给放电电力的溅射电源(3)。两圆筒状标靶(13)配置成其中心轴彼此相互平行，各磁场发生部件(14)产生具有穿过圆筒状标靶(13)的表面而相互吸引的磁力线的磁场。
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公开(公告)号：CN102131956A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133523.0
申请日：2009-08-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种送出单元、卷取单元的更换作业较容易的连续成膜装置。该连续成膜装置具备真空腔室(1)、成膜辊(2)、对卷挂在其上的被成膜材从侧方供给成膜物质的蒸发源(7L1、7L2、7R)、和将上述被成膜材对上述成膜辊(2)供给的送出单元(3)及将成膜后的被成膜材卷取的卷取单元(4)。真空腔室(1)具有用于蒸发源的送入及送出的蒸发源用开口、将其开闭的蒸发源用门部(16L、16R)、与上述蒸发源用开口另外地设置的用于送出单元(3)及卷取单元(4)的送出及送入的被成膜材用开口、和将其开闭的被成膜材用门部(17L、17R)。
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公开(公告)号：CN1952205B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200610131894.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/32761 , H01J2237/0206
Abstract: 一种电弧离子镀设备包括：真空室、用于使基质在真空室内垂直于其高度方向进行移动的旋转台、用于通过金属离子清洁基质表面的用于进行轰击的电弧蒸发源和用于在所述基质表面上沉积金属离子的沉积组电弧蒸发源。所述沉积组电弧蒸发源包括相对于被设定在所述旋转台上的所述基质进行布置的多个蒸发源，且所述用于进行轰击的电弧蒸发源相对于所述基质进行布置，并且成形以使得其在真空室高度方向上的长度等于沉积组电弧蒸发源的上端和下端之间的长度。根据这种结构，在进行轰击时几乎不能在基质中产生温度过度升高或在基质上发生异常放电，由此导致工艺可控性得到改进。
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公开(公告)号：CN1952205A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610131894.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/32761 , H01J2237/0206
Abstract: 一种电弧离子镀设备包括：真空室、用于使基质在真空室内垂直于其高度方向进行移动的旋转台、用于通过金属离子清洁基质表面的用于进行轰击的电弧蒸发源和用于在所述基质表面上沉积金属离子的沉积组电弧蒸发源。所述沉积组电弧蒸发源包括相对于被设定在所述旋转台上的所述基质进行布置的多个蒸发源，且所述用于进行轰击的电弧蒸发源相对于所述基质进行布置，并且成形以使得其在真空室高度方向上的长度等于沉积组电弧蒸发源的上端和下端之间的长度。根据这种结构，在进行轰击时几乎不能在基质中产生温度过度升高或在基质上发生异常放电，由此导致工艺可控性得到改进。
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公开(公告)号：CN1243847C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN02811894.4
申请日：2002-06-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/511 , B01J19/08 , C03B37/018 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , C03B37/0183 , C03B37/01884 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32522 , H05B6/701 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
Abstract: 是从设置在环状波导管(5)的内周壁的天线(20)向配置在环状波导管(5)的内侧的反应室(2)内提供微波功率，并在前述反应室(2)内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，在该装置上，在前述环状波导管(5)与反应室(2)之间配置冷却装置(27)，是将前述环状波导管(5)的温度保持在低温的构成。
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