一种高灵敏双法诺共振折射率传感器

    公开(公告)号:CN114720427A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210361354.3

    申请日:2022-04-07

    Abstract: 本发明提供的是一种高灵敏双法诺共振折射率传感器,属于微纳光电领域,解决对环境折射率进行探测灵敏度低的问题。本发明的一种高灵敏双法诺共振折射率传感器,所述折射率传感器由多个折射率传感器单元周期性排列组成,单个器件包括基底1、金属膜2、介质层3、小金属环4、大金属环5。使折射率传感器具有高灵敏度和高品质因数,可对生物传感等被测环境折射率的微小变化实现高灵敏度检测。

    一种基于对称金属条带结构的等离子体粒子传送带

    公开(公告)号:CN114436205A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111586024.6

    申请日:2021-12-21

    Abstract: 一种基于对称金属条带结构的等离子体粒子传送带,由介质基底和周期性排列的对称金属条带构成。一个周期结构的基本单元是由金对称条、银对称条、铝对称条排列形成。每个对称金属条带,由两个相同材料的金属条组成。整个结构放置折射率为1.33的水溶液中,入射光为振动方向沿着y轴的垂直向下的线偏振平面光。在不同波长入射光的照射下,对称金属条带会产生等离子体共振形成强烈的近场增强。水溶液中透明纳米粒子会被吸引到电场梯度最大的地方,实现捕获。不同材料的对称金属条带具有不同的共振频率。通过切换入射光的波长,就可以切换相邻的捕获位置,实现粒子的传送。该发明在微纳操纵,生物传感等领域具有重要的应用前景。

    一种基于银开口谐振环超表面的中红外超宽带吸波器

    公开(公告)号:CN113708084A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202110888673.5

    申请日:2021-08-01

    Abstract: 本发明公开一种基于银开口谐振环超表面的中红外超宽带吸波器,其中包括开口谐振环、硅层、氮化硅层、二氧化硅层、金属银镜组成。开口谐振环在氮化硅层表面呈方阵形式排列,并被硅层所覆盖。本发明吸波器具有超宽带的吸波范围,大于90%吸收率的绝对带宽为14.5um(9.1um~23.6um),相对带宽约为88.7%,涉及波段为红外光谱中红外范围。本发明结构简单、材料成本低,能够将光场有效的束缚在器件内部,且能在气体至大部分液体折射率环境中使用,具有应用范围广、鲁棒性好、易于小型化和高集成度等特点,在中红外完美吸波器件中有潜在的应用价值。

    一种基于双折射的石墨烯-金涂覆的PCF折射率传感器

    公开(公告)号:CN113514401A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110782532.5

    申请日:2021-07-12

    Abstract: 本发明设计了一种基于D型石墨烯‑金涂覆的PCF折射率传感器,该传感器由一段包层区域抛磨掉部分形成的D型PCF、金薄膜和石墨烯材料组成。本发明主要利用石墨烯材料提高金薄膜表面分子吸附来提高传感器的灵敏度。PCF的结构利用双折射效应,增强光激发SPR,金薄膜作为等离子材料激发SPR效应。通过准确测量共振波长的变化,就能得到金薄膜表面未知溶液折射率的变化,来实现传感检测。该传感器的优点在于结构简单能够获得高灵敏度,低损耗,外部传感能够实时检测。

    一种内嵌扇形金属谐振腔MIM可调谐等离子体滤波器

    公开(公告)号:CN110890612B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN201911019948.0

    申请日:2019-10-24

    Abstract: 本发明为涉及微纳光电子技术领域的一种内嵌扇形金属谐振腔MIM可调谐等离子体滤波器。本发明整体为在矩形金属薄膜上镂空两个矩形波导和一个内嵌对称扇形金属纳米圆形谐振腔组成。研究发现通过改变扇形共振腔角度θ、半径R、耦合距离d、共振腔内的介质折射率n等主要参数可以有效提高该结构的透射特性,可高效实现可调谐窄带带通滤波特性。与其他SPPs带通滤波器相较而言,本发明滤波器可实现在800nm~1450nm范围带通滤波,透射率最高可达75%,品质因子最高可达到70,拥有更加优越的滤波性能。对结构参量优化,共振波长可分布在光通信的850nm和1310nm通信窗口,为设计和实现光通信领域下一代等离子体滤波器提供重要的理论依据并具有潜在的应用价值。

    一种具有后脉冲校正功能的单光子探测系统

    公开(公告)号:CN111121986B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201911356404.3

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明提供的是一种具有后脉冲校正功能的单光子探测系统。其特征是:它由偏置电压产生电路1、单光子雪崩光电二极管2、被动淬灭读出电路3、后脉冲校正电路4和单光子计数器5组成,其中被动淬灭读出电路3由第一电阻31和第一电压比较器32组成,后脉冲校正电路4由脉冲校正控制及产生电路41、N型场效应晶体管42、第二电压比较器43、第三电压比较器44、第二电阻45和电容46组成。本发明可用于消除后脉冲效应对单光子探测器系统的影响,可广泛用于激光雷达测距,荧光寿命探测,医学成像等极微弱光探测的领域。

    一种基于布拉格光纤端面金孔阵列结构的折射率传感器

    公开(公告)号:CN108956530B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201810336557.0

    申请日:2018-04-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于布拉格光纤端面金孔阵列结构的折射率传感特性,包括光纤体及光纤端面上的传感体,其中传感体由金属薄膜以及开设在金属薄膜上的圆孔狭缝阵列结构组成,这些个圆孔狭缝单元均贯通开设在金属薄膜上,并以周期性排布,每个圆孔狭缝单元尺寸和形状完全相同,圆孔狭缝结构单元内部均填满了外界介质。金属薄膜以及开设在金属薄膜上圆孔狭缝构成统一整体的传感体。本发明光纤传感器结构在近红外频段内具有较好的透射峰以及保持良好传感特性,并且通过改变相关结构参数可以达到调整光谱的偏移距离和透射峰的位置。从而可以实现灵敏度为156±5nm/RIU,使之在光纤传感器具有利用率高、使用范围广、检测精度高、易于加工等一系列优势。

    一种基于H型阵列的全介质超表面颜色滤波器

    公开(公告)号:CN112558209A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011495449.1

    申请日:2020-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于H型阵列的全介质超表面颜色滤波器。所述滤波器结构为:在衬底上刻蚀介质纳米阵列,其中纳米阵列的单元结构为H型介质纳米结构。该结构由两个长度宽度相等且对称平行的介质矩形块,一个垂直于两个平行矩形块正中且宽度与之相等的介质矩形块构成。在本发明实例中,衬底材料为二氧化硅,介质纳米阵列材料为硅,厚度为75nm,阵列x方向填充因子为0.55,y方向填充因子为0.9。利用光激发硅纳米结构的电与磁的Mie共振,以及共振波长与硅纳米结构形状尺寸的强相关特性,本发明可通过按比例缩放结构大小、改变H型介质纳米结构中矩形块的长与宽来调控滤出颜色,其滤出的颜色具有极高的饱和度。

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