公开(公告)号：CN104795357A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510030429.X

申请日：2015-01-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 船矢琢央 ,  五十岚孝行

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种制造半导体器件的方法。提供了一种具有得到改善的可靠性半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成第一线圈。形成第二绝缘膜，以便用以覆盖第一绝缘膜和第一线圈。在第二绝缘膜之上，形成焊盘。在第二绝缘膜之上，形成具有使部分焊盘暴露出来的开口的多层膜。在多层绝缘膜之上，形成第二线圈。将第二线圈放置在第一线圈之上。第二线圈和第一线圈彼此磁耦合。多层膜包括二氧化硅膜、在二氧化硅膜之上的氮化硅膜、和在氮化硅膜之上的树脂膜。

公开(公告)号：CN103887287A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310712188.8

申请日：2013-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 船矢琢央 ,  鴫原宏美 ,  鴫原久雄

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/1203 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。

公开(公告)号：CN101512758B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200780032766.6

申请日：2007-09-04

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 森健太郎 ,  山道新太郎 ,  菊池克 ,  村井秀哉 ,  船矢琢央 ,  前田武彦 ,  本多广一 ,  小川健太 ,  塚野纯

IPC: H01L23/12 ,  H05K3/46

Abstract: 一种布线板复合体，其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此，在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体，并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。