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公开(公告)号：CN101536181B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200780041277.7
申请日：2007-10-09
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。
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公开(公告)号：CN102646628A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210097778.X
申请日：2007-10-09
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。
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公开(公告)号：CN101356641B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200680050392.6
申请日：2006-12-20
IPC: H01L23/12
Abstract: 半导体搭载用布线基板(5)，至少具有：绝缘膜(1)；在绝缘膜(1)中形成的布线(2)；多个电极凸台(4)，这些电极凸台(4)在绝缘膜(1)的正反两面中露出表面地设置，而且其侧面的至少一部分被绝缘膜(1)埋设；以及连接布线(2)与电极凸台(4)的过孔(3)。用第1材料来形成连接布线(2)与电极凸台(4)的过孔(3)。将在绝缘膜(1)中形成的布线(2)彼此连接的至少一个过孔(3a)，包含与第1材料不同的第2材料。半导体搭载用布线基板(5)有利于在半导体器件的高集成化、高速化或多功能化情况下的端子数量的增加及端子间隔的狭小间距化，特别是能够在基板两面高密度而且高精度地搭载半导体器件、可靠性也优异。
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公开(公告)号：CN101320716B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810125539.4
申请日：2008-06-10
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L2221/68345 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/15174 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 在设置有定位标记的支撑基板上定位透明基板，并提供剥离材料。然后，定位半导体元件使得电极端子面朝上，且之后去除支撑基板。在剥离材料上形成绝缘树脂以覆盖半导体元件；且之后形成通孔、布线层、绝缘层、外部端子和阻焊剂。然后，通过使用剥离材料，从半导体器件上剥离透明基板。因而，能够高精度地安装芯片，在制造过程中在基底上安装芯片期间不需要提供定位标记，并且能够容易地去除基底。结果，能够以低成本制造具有高密度和薄外形的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101512758B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200780032766.6
申请日：2007-09-04
Abstract: 一种布线板复合体，其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此，在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体，并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101507373A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031703.9
申请日：2007-06-29
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
CPC classification number: H05K3/205 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L23/498 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48472 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H05K3/244 , H05K3/423 , H05K2201/0338 , H05K2201/098 , H05K2201/09845 , H05K2203/0376 , H05K2203/0384 , H05K2203/0733 , H05K2203/1476 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种布线板，具有：绝缘层，以使其被绝缘层相互绝缘的方式形成的多个布线层，以及在绝缘层中形成以连接布线层的多个通道。在布线层当中，在绝缘层一个表面内形成的表面布线层包括从那个表面暴露的第一金属膜，和嵌入绝缘层并堆叠在第一金属膜上的第二金属膜。第一金属膜的边缘在第二金属膜的扩展方向上从第二金属膜的边缘凸出。如此设计嵌入绝缘层的布线层的形状，可以获得高可靠性的布线板，该布线板可以有效地防止制造过程中的侧蚀刻，并能适合于小型化和高致密度的布线封装。
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公开(公告)号：CN101512758A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032766.6
申请日：2007-09-04
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
Abstract: 一种布线板复合体，其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此，在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体，并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN1658998A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813071.8
申请日：2003-07-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: B23K35/26
CPC classification number: B23K35/262 , H05K3/3463
Abstract: 本发明提供了与以往的Sn－37重量％Pb共晶系焊锡具有相同的操作性、使用条件和接合可靠性的无铅焊锡。通过规定为含有7－10重量％锌、0.001－6重量％铋、0.001－0.1重量％银且剩余部分由锡组成的组成，其固相线温度在Sn－37重量％Pb共晶系焊锡的熔点以上，液相线温度和Sn－37重量％Pb共晶系焊锡的熔点的差为约10－20℃，因此可以使用与使用以往的Sn－37重量％Pb共晶焊锡时相同的回流炉，安装电子器件。另外，银可提高焊锡的拉伸强度，抑制生成不希望的金属互化物。因此，不需要重新引入可以在基板整个表面上均匀加热的回流炉，并可获得具有比使用Sn－37重量％Pb共晶焊锡时更为优良的机械强度的、接合可靠性高的电路基板装置。
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公开(公告)号：CN110349932B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910645110.6
申请日：2014-01-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L25/16 , H01L27/06 , H01L27/12 , H10B80/00
Abstract: 使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2)；形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3)；形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(DM4)比线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大(DM4>DM3)。另线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大于等于位于线圈(CL1)与线圈(CL2)间的层间绝缘膜(IL3)的膜厚与层间绝缘膜(IL4)的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈(CL2)与布线(M4)间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域(1A)和周边回路形成区域(1B)的密封环形成区域(1C)，实现耐湿性的提高。
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公开(公告)号：CN108807208A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810383978.9
申请日：2013-03-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L27/06
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/06 , H01L27/0617 , H01L27/0688 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015
Abstract: 公开了一种半导体装置。在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。
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