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公开(公告)号：CN102540729A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110315277.X
申请日：2011-10-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/094
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂，所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中，Ar、R1至R3以及n如在详细描述中所定义。此外，提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号：CN102516503A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110305955.4
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G61/10 , G03F7/11 , Y10S438/952
Abstract: 提供了芘主链聚合物和含有该芘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式C表示的芘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。
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公开(公告)号：CN101370854B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780002634.9
申请日：2007-01-15
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/20 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/3121
Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为-(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102227458A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980148064.3
申请日：2009-12-01
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C08L65/00 , C08G61/02 , C08G73/1039 , C08G73/1067 , C08G2261/3424 , C08L79/08 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明提供一种用于平版印刷方法的具有良好抗反射性的下层组合物。该组合物具有优异的光学特性、机械特性，及蚀刻选择性，且可使用旋涂方法涂敷。有利地，该组合物可应用于短波长平版印刷方法并显示最少的剩余酸。
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公开(公告)号：CN102060981A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010566229.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101470352A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810187921.8
申请日：2008-12-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性能的硬掩模组合物。该硬掩模组合物适合用于平版印刷术，提供了优异的光学和机械性能，并表现出高的蚀刻选择性。另外，通过旋涂技术能够容易地施加该硬掩模组合物。使用硬掩模组合物形成的硬掩模层可与集成电路制造工艺相容。有利地，该硬掩模组合物用于短波长平版印刷术。具有抗反射性能的硬掩模组合物及采用该组合物图案化材料的方法。
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公开(公告)号：CN102227458B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200980148064.3
申请日：2009-12-01
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C08L65/00 , C08G61/02 , C08G73/1039 , C08G73/1067 , C08G2261/3424 , C08L79/08 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明提供一种用于平版印刷方法的具有良好抗反射性的下层组合物。该组合物具有优异的光学特性、机械特性，及蚀刻选择性，且可使用旋涂方法涂敷。有利地，该组合物可应用于短波长平版印刷方法并显示最少的剩余酸。
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公开(公告)号：CN102060980B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201010242377.X
申请日：2010-07-29
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G2261/3424 , C08G2261/45 , C08G2261/76 , C08L65/00 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶下层聚合物、含有这种光刻胶下层聚合物的光刻胶下层组合物以及图案化器件的方法。该聚合物包括由以下化学式1表示的重复单元和/或由以下化学式2表示的重复单元。[化学式1] [化学式2]在以上化学式1或2中，每一取代基与在详细描述中定义的取代基相同。
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