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公开(公告)号：CN100352019C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410048416.7
申请日：2004-06-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤泽秀树
IPC: H01L21/321 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/49838 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2223/5448 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/81121 , H01L2224/81801 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供一种不受对准标记的配置位置制约，而能将突出电极接合在呈放射状延伸的引导电极上的半导体模块、电子设备、电子仪器、半导体模块的制造方法。在薄膜基板(1)上设置对准标记(11a、11b)，以便不同于半导体芯片(5)上设置的对准标记(12a、12b)的配置位置，通过实测对准标记(11a、11b)间的距离，从而求得薄膜基板(1)的伸缩量，根据薄膜基板(1)的伸缩量，挪动半导体芯片(5)并配置在薄膜基板(1)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1328788C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200410045259.4
申请日：2004-06-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤泽秀树
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/321
CPC classification number: H01L23/49572 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/45565 , H01L2224/4847 , H01L2224/48599 , H01L2224/48799 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/49173 , H01L2224/49431 , H01L2224/85399 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/83851 , H01L2224/45644
Abstract: 本发明提供一种使延伸为放射状的引导电极与突出电极之间的间隙增加的半导体装置、半导体模块、电子设备、电子仪器及半导体模块的制造方法。使外侧的突出电极(42b′)偏向锯齿状排列的内侧的突出电极(42a)的排列，并进行排列，在将外侧的突出电极(42b′)的位置挪向突出电极(42b″)的位置的同时，使突出电极(42a、42b)的接合面为正方形。
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公开(公告)号：CN1253932C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN03104133.7
申请日：2003-02-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤泽秀树
CPC classification number: H01L24/12 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11822 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83907 , H01L2224/90 , H01L2224/92125 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1579 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括把半导体芯片(10)安装在基板(20)上。在安装工序中，把半导体芯片(10)的电极(12)和在基板(20)上所形成的引线(22)对向设置。电极(12)在与引线(22)的接合部分的至少一部分上具有含有焊料(18)的焊盘凸起。在电极(12)和引线(22)的两方的周围设置绝缘材料(30)后，使焊料(18)溶化，把电极(12)和引线(22)接合。从而可实现高可靠性接合的半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1707786A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074293.9
申请日：2005-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/70 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L24/02 , H01L23/3157 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，包括：形成了元件(12)的半导体部分；形成于半导体部分(10)上的绝缘层(20)；形成于绝缘层上的电极焊盘(30)；由在设置在绝缘层的接触孔内形成的导电材料构成，且用于与电极焊盘电连接的接触部(54)；按照在电极焊盘的第一部分(32)上具有开口部(62)，并且覆盖在第二部分(34)上的形式形成的钝化膜(60)；按照大于钝化膜的开口部，且一部分覆盖到钝化膜上的形式形成的凸块(70)；和介于在电极焊盘和凸块之间的阻挡层(64)。接触部在与凸块重叠的范围内避开电极焊盘的第一部分，而与第二部分连接。这样，可以提高电连接可靠性。
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公开(公告)号：CN1440065A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03104133.7
申请日：2003-02-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤泽秀树
CPC classification number: H01L24/12 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11822 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83907 , H01L2224/90 , H01L2224/92125 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1579 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括把半导体芯片(10)安装在基板(20)上。在安装工序中，把半导体芯片(10)的电极(12)和在基板(20)上所形成的引线(22)对向设置。电极(12)在与引线(22)的接合部分的至少一部分上具有含有焊料(18)的焊盘凸起。在电极(12)和引线(22)的周围设置绝缘材料(30)后，使焊料(18)溶化，把电极(12)和引线(22)接合。从而可实现高可靠性接合的半导体装置及其制造方法和电子机器。
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公开(公告)号：CN1116697C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN97191085.5
申请日：1997-06-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤泽秀树
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49572 , H01L21/4821 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H05K1/0266 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是将导体图形复制到安装电子元件的膜载体上的方法，利用在涂敷了光致抗蚀剂的膜载体上备有导体图形和2个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模，预备性地复制掩模图形，测定被复制了的位置重合用的标记相对于膜载体的基准坐标的位置与设计位置的偏移，调节掩模相对于膜载体的位置，其后将所述掩模图形正式复制到膜载体上。此外，公开了备有用于实施所述方法的导体图形和2个以上的导体图形的位置重合用的标记的掩模。还公开了在导体层表面除了导体图形以外复制了对于膜的2个以上的导体图形的位置重合用的标记的膜载体。
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