公开(公告)号：CN112514074A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980049315.6

申请日：2019-07-19

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 村田贤一 ,  定荣正大 ,  高桥新吾

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

Abstract: 根据本发明的实施方案的摄像元件包括：半导体基板，其具有布置有多个像素的有效像素区域和设置在所述有效像素区域周围的周边区域；有机光电转换部，其设置在所述半导体基板的光接收表面侧，且包括第一电极、第二电极、电荷累积层和有机光电转换层，所述第一电极包含多个电极，所述第二电极与所述第一电极相对设置着，所述电荷累积层和所述有机光电转换层按此顺序层叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且延伸得遍及于所述有效像素区域上；以及第一氢阻隔层，其覆盖所述有机光电转换层的上方、所述有机光电转换层的侧面和所述电荷累积层的侧面。

公开(公告)号：CN112119500A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201980031496.X

申请日：2019-04-19

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 定荣正大 ,  村田贤一 ,  古闲史彦 ,  八木岩 ,  平田晋太郎 ,  富樫秀晃 ,  齐藤阳介

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L27/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H04N5/374

Abstract: 提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法，固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时，能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。提供了这样的固态摄像元件，其包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上；及控制单元，被设置成与第一光电转换单元层叠，且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管，其中，第一光电转换单元包括：第二电极；第一光电转换膜，设置在第二电极的上方，并且将光转换为电荷；以及第一电极，设置在第一光电转换膜上，多个像素晶体管包括放大晶体管，放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出，并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成。

公开(公告)号：CN104396018B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201380034772.0

申请日：2013-06-27

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 定荣正大

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/286 ,  H01L51/42

Abstract: 提供了能提高图像质量的固态图像拾取装置、其制造方法和电子设备。一种固态图像拾取装置包括像素部，该像素部包括多个像素，该多个像素的每一个包括一个或多个有机光电转换部，其中该像素部包括有效像素区域和光学黑色区域，并且光学黑色区域的有机光电转换部包括在光入射侧上的遮光膜和缓冲膜。

公开(公告)号：CN119092520A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411071073.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  八木岩 ,  定荣正大 ,  古闲史彦 ,  村田贤一 ,  平田晋太郎 ,  齐藤阳介 ,  古川明

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32 ,  H10K39/38 ,  H10K71/00 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。

公开(公告)号：CN118648116A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202380020369.6

申请日：2023-02-02

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 高口辽太郎 ,  定荣正大 ,  铃木凉介 ,  八木岩 ,  平田晋太郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H04N25/70 ,  H10K30/60

Abstract: 本公开一个实施方案的第一光电转换元件包括：并排布置的第一和第二电极；被布置为与第一及第二电极相对的第三电极；设置于第一及第二电极与第三电极之间的光电转换层；设置于第一及第二电极与光电转换层之间的氧化物半导体层；以及设置于光电转换层与氧化物半导体层之间的保护层。保护层包括含有作为共同元素的氧(O)、元素X及元素Y且从氧化物半导体层侧起依次层叠的第一层和第二层。当元素X和元素Y各者的组成比被定义为元素X和元素Y各者的原子数除以元素X和元素Y的合计原子数、第一层中的元素X和元素Y各者的组成比被称为Rx1和Ry1、且第二层中的元素X和元素Y各者的组成比被称为Rx2和Ry2时，第一层及第二层满足Rx1>Rx2≥0且0≤Ry1

公开(公告)号：CN118511278A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280087541.5

申请日：2022-12-27

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 定荣正大

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的固态摄像装置包括：氧化物半导体层，其被布置于基板上方；光电转换层，其被层叠于所述氧化物半导体层的与所述基板相反的一侧上；和绝缘分离体，其在像素之间被布置于所述氧化物半导体层中，所述绝缘分离体包括绝缘体。

公开(公告)号：CN112514072B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201980048579.X

申请日：2019-06-20

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 林利彦 ,  定荣正大 ,  村田贤一 ,  平田晋太郎

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32 ,  H01L31/10 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够进一步提高可靠性的固态摄像元件。提供了一种固态摄像元件，其从光入射侧起依次至少设置有第一光电转换部和形成有第二光电转换部的半导体基板。所述第一光电转换部至少按说明的顺序包括第一电极、光电转换层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第二电极。所述第一氧化物半导体层的膜密度高于所述第二氧化物半导体层的膜密度。

公开(公告)号：CN112189259B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201980032708.6

申请日：2019-05-10

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 定荣正大 ,  村田贤一

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H10K39/32

Abstract: 本发明的成像元件包括：第一电极11；与第一电极11隔开配置的电荷累积用电极14；与第一电极11接触并经由绝缘层形成在电荷累积用电极14上方的光电转换层13；和形成在光电转换层13上的第二电极12。所述绝缘层的位于电荷累积用电极14和光电转换层13之间的部分包括第一区域82a1和第二区域82a2，所述绝缘层的在第一区域82a1中的部分由第一绝缘层82A1形成，所述绝缘层的在第二区域82a2中的部分由第二绝缘层82A2形成，并且形成第二绝缘层82A2的材料的固定电荷的绝对值小于形成第一绝缘层82A1的材料的固定电荷的绝对值。

公开(公告)号：CN109585478A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811381397.8

申请日：2014-09-05

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 定荣正大 ,  泷本香织

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L51/44

Abstract: 一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。

公开(公告)号：CN109360835A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811381399.7

申请日：2014-09-05

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 定荣正大 ,  泷本香织

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。