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公开(公告)号：CN119069495A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411069531.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76 , H04N25/778 , H04N25/17 , H04N25/79
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN118805452A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025203.3
申请日：2023-03-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本发明实施方案的光电转换元件设置有：平行设置的第一电极和第二电极；与所述第一电极和所述第二电极相对设置的第三电极；设置在所述第一电极和所述第二电极与所述第三电极之间的光电转换层；以及设置在所述第一电极和所述第二电极与所述光电转换层之间，并且包括从所述第一电极和第二电极一侧连续层叠的第一层和第二层的半导体层，所述第一层的厚度小于所述第二层的厚度并且为3nm以上且5nm以下。
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公开(公告)号：CN112424939B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/70 , H04N25/76
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN109360835B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201811381399.7
申请日：2014-09-05
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。
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公开(公告)号：CN116686097A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180081142.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。
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公开(公告)号：CN112424939A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN118922006A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411004526.7
申请日：2019-07-03
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H10K39/32 , H10K19/20 , H10K30/65 , H01L27/146
Abstract: 摄像元件10包括光电转换部，该光电转换部包括相互层叠起来的第一电极21、含有有机材料的光电转换层23A、和第二电极22。在第一电极21和光电转换层23A之间，从所述第一电极侧形成有氧化物半导体层23C和氧化膜23B。
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公开(公告)号：CN118471998A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410661238.2
申请日：2019-06-20
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光检测装置和电子装置。光检测装置至少包括：从光入射侧起依次的第一光电转换部和半导体基板，其中，所述第一光电转换部至少依次包括第一电极、光电转换层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第二电极，并且所述第一氧化物半导体层的膜密度高于所述第二氧化物半导体层的膜密度。
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公开(公告)号：CN114930205A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008197.1
申请日：2021-02-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本公开一个实施方案的多层膜通过交替层叠介电层和半导体层而获得，在所述半导体层中，在用作作为复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm～10μm、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。
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公开(公告)号：CN114616672A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075661.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种能够实现进一步提高图像质量的固态成像器件。固态成像器件包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上方且将光转换为电荷；和第二光电转换单元，设置在第一光电转换单元上方且将光转换为电荷。第一光电转换单元和第二光电转换单元均至少包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的光电转换膜。第二光电转换单元的第一电极和形成在半导体基板中的电荷积累单元经由至少穿过第一光电转换单元的导电部彼此电连接。导电部的外周的至少一部分布置有绝缘膜部。绝缘膜部包括至少一层的绝缘膜，并且该至少一层的绝缘膜具有与电荷累积单元中累积的电荷相同类型的固定电荷。
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