公开(公告)号：KR1019970052595A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052096

申请日：1995-12-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: H01L21/302

公开(公告)号：KR1019970052594A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052095

申请日：1995-12-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권 ,  양승수

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 광로조절장치의 희생막 평탄화방법에 관한 것으로서, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 패시베이션막이 형성된 구동기판의 상부에 식각정지막과 제1희생막을 순차적으로 적층하여 형성하는 공정과, 상기 제1희생막을 상기 구동기판의 낮은 부분을 제외한 나머지 부분에 형성된 것을 제거하여 패턴을 형성하는 공정과, 상기 보호막과 제1희생막의 상부에 제2희생막을 형성하고 상기 제2희생막을 연마하는 공정을 구비한다. 따라서, 균열을 방지하면서 희생막의 표면을 평탄화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970051873A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052091

申请日：1995-12-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권 ,  양승수

IPC: G02F1/015

公开(公告)号：KR1019960028120A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034974

申请日：1994-12-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 미세패턴의 형성공정에서 포토레지스트의 노광후에 추가로 베이킹 처리를 행하므로써 고해상도의 미세패턴을 얻을 수 있도록 된 광로조절장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 제조방법은, 미세패턴이 형성될 미세패턴형성구조를 준비하는 제1공정과, 상기 미세패턴형성구조상에 포토레지스트를 균일하게 도포하는 제2공정, 상기 포토레지스트를 저온에서 베이킹처리하고 나서 노광하는 제3공정, 상기 노광된 포토레지스트를 소정 온도에서 베이킹처리하는 제4공정 및 상기 포토레지스트를 현상처리한 다음에 세정 및 건조하고 나서 고온에서 베이킹 처리하는 제5공정 및 상기 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 미세패턴 형성구조를 에칭해서 미세패턴을 형성하는 제6공정을 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020000044194A

公开(公告)日：2000-07-15

申请号：KR1019980060685

申请日：1998-12-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 이종권 ,  구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of an active matrix type TMA device is provided to improve the production yield by applying the substrate bias voltage simultaneously at the impurity doped area and the lower electrode layer of the actuator. CONSTITUTION: A device comprises a semiconductor substrate(10), a membrane(20), a common line(22), an active element forming layer(12), a micro-mirror forming layer(16), a post(26), a lower electrode layer(28), a supporter(34), a second contact hole(44), a source line(60), and a gate line(62). A manufacturing method comprises the steps of: forming an impurity doped area of the second conductive type in which the substrate bias voltage is applied; covering the resulted material with the protection layer; forming a membrane on the protection layer; forming the first contact hole in order to expose the impurity doped area of second conductive type; and forming a common line and the lower electrode layer simultaneously on the membrane.

Abstract translation: 目的：提供一种有源矩阵型TMA器件的制造方法，以通过在致动器的杂质掺杂区域和下电极层处同时施加衬底偏置电压来提高产量。 构成：器件包括半导体衬底（10），膜（20），公共线（22），有源元件形成层（12），微镜形成层（16），柱（26）， 下电极层（28），支撑件（34），第二接触孔（44），源极线（60）和栅极线（62）。 一种制造方法包括以下步骤：形成施加衬底偏置电压的第二导电类型的杂质掺杂区域; 用保护层覆盖所得材料; 在保护层上形成膜; 形成第一接触孔以暴露第二导电类型的杂质掺杂区域; 并在膜上同时形成共同的线和下电极层。

公开(公告)号：KR100257605B1

公开(公告)日：2000-06-01

申请号：KR1019970075141

申请日：1997-12-27

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film actuated mirror array is to prevent the electrical short between an upper electrode and a lower electrode when forming an etching stop layer. CONSTITUTION: An active matrix(100) includes the first metallic layer(105) extended from a source and a drain of a transistor, the first passivation layer(110) formed on the first metallic layer, the second metallic layer(115) formed on the first passivation layer, the second passivation layer(120) formed on the second metallic layer, and an etching stop layer(125) formed on the second passivation layer. An actuator(200) includes a supporting layer(140) with one side contacted with a drain pad of the first metallic layer and an air gap(185) interposed between the other side and the first metallic layer, a lower electrode(145) formed on the supporting layer, a transformed layer(150) formed on the lower electrode, an upper electrode(155) formed on the transformed layer, and a via contact(165) formed in a via hole(160) vertically formed from one side of the transformed layer to a drain pad of the first metallic layer through the lower electrode, the supporting layer, the etching stop layer, and the second and first passivation layers.

Abstract translation: 目的：制造薄膜致动反射镜阵列的方法是在形成蚀刻停止层时防止上电极和下电极之间的电短路。 构成：有源矩阵（100）包括从晶体管的源极和漏极延伸的第一金属层（105），形成在第一金属层上的第一钝化层（110），形成在第一金属层 第一钝化层，形成在第二金属层上的第二钝化层（120）和形成在第二钝化层上的蚀刻停止层（125）。 致动器（200）包括：一侧与第一金属层的排水焊盘接触的支撑层（140）和介于另一侧和第一金属层之间的气隙（185），形成的下电极（145） 在支撑层上，形成在下电极上的变换层（150），形成在变换层上的上电极（155）和形成在从一侧垂直形成的通孔（160）中的通孔接触件（165） 通过下电极，支撑层，蚀刻停止层以及第二钝化层和第一钝化层将经转化的层转变成第一金属层的漏极焊盘。

公开(公告)号：KR100256793B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019970057102

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A thin-film micromirror array-actuated(TMA) manufacturing method is provided to prevent a hydrogen fluoride vapor from permeating an active matrix or an active layer through an Iso-Cut part during the etching process of a sacrificial layer, thereby minimizing the damage of the active matrix or the active layer. CONSTITUTION: An Iso-Cut part region of the etch passivation layer(130) is formed by laminating a silicon nitride or an amorphous silicon on an etch stop layer(125) in the thickness of 1.5 to 2.0 micrometer by a plasma enhanced CVD method. The silicon nitride or the amorphous silicon with an excellent etching resistance against hydrogen fluoride vapor is formed by reacting a reaction gas composed of only a nitrous oxide and a silane except for an ammonia. The Iso-Cut part region of the etch passivation layer(130) remains and the etch stop layer(125) is exposed through the etched other region, after the patterning of the etch passivation layer(130) using a mask for covering only the Iso-Cut part region of the etch passivation layer(130). A sacrificial layer(135) is formed on the exposed etch stop layer(125) and the etch passivation layer(130). An air gap is formed in the position of the sacrificial layer(135) by etching the sacrificial layer(135) with the hydrogen fluoride vapor. At this time, the etch passivation layer(130) shields the lower of the Iso-Cut part region.

Abstract translation: 目的：提供薄膜微镜阵列致动（TMA）制造方法，以在牺牲层的蚀刻工艺期间防止氟化氢蒸气通过异切部分渗入有源基体或活性层，从而最小化 有源矩阵或有源层的损坏。 构成：蚀刻钝化层（130）的等截面部分区域通过等离子体增强CVD方法在1.5至2.0微米的厚度上在蚀刻停止层（125）上层压氮化硅或非晶硅而形成。 通过使仅由一氧化二氮组成的反应气体和除了氨以外的硅烷反应，形成对氟化氢蒸气具有优异耐蚀刻性的氮化硅或非晶硅。 蚀刻钝化层（130）的等截面部分区域保留，并且蚀刻停止层（125）通过蚀刻的其它区域曝光，在蚀刻钝化层（130）图案化之后，使用掩模仅覆盖Iso - 蚀刻钝化层（130）的部分区域。 在暴露的蚀刻停止层（125）和蚀刻钝化层（130）上形成牺牲层（135）。 通过用氟化氢蒸气蚀刻牺牲层（135），在牺牲层（135）的位置上形成气隙。 此时，蚀刻钝化层（130）屏蔽等截面部分区域的下部。

公开(公告)号：KR100251110B1

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019970025926

申请日：1997-06-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film type light road controller is provided to reduce a crack of a strain layer generated from a supporting unit of an actuator by reducing a layer difference of a supporting unit of an actuator and controlling an inclination. CONSTITUTION: The first photoresist is coated on a sacrifice layer(120) to form a supporting unit of an actuator(200). An opening is formed in the first photoresist with patterning the first photoresist. A drain pad in the sacrifice layer(120) is firstly etched to a specific depth using the first photoresist as the fist mask. The second photoresist is coated on the first etched sacrifice layer(120). An etching preventing layer(115) is partly exposed with secondly etching inside of the first etched sacrifice layer using the second photoresist as the second mask. The third photoresist is coated on the sacrifice layer etched as a stair shape. An opening larger than the first mask is formed in the third photoresist with patterning the third photoresist.

Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜型光路控制器的方法，通过减少致动器的支撑单元的层差并控制倾斜来减少由致动器的支撑单元产生的应变层的裂纹。 构成：将第一光致抗蚀剂涂覆在牺牲层（120）上以形成致动器（200）的支撑单元。 在第一光致抗蚀剂中形成开口，图案化第一光致抗蚀剂。 首先使用第一光致抗蚀剂作为第一掩模，将牺牲层（120）中的漏极焊盘蚀刻到特定的深度。 第二光致抗蚀剂涂覆在第一蚀刻牺牲层（120）上。 使用第二光致抗蚀剂作为第二掩模，用第二蚀刻牺牲层的内部二次蚀刻部分地暴露防蚀层（115）。 将第三光致抗蚀剂涂覆在被刻蚀为阶梯形状的牺牲层上。 在第三光致抗蚀剂中形成大于第一掩模的开口，图案化第三光致抗蚀剂。

公开(公告)号：KR100243861B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960042758

申请日：1996-09-25

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 희생층 형성공정 후 미세패턴형성공정을 통하여 패터닝하기 전에 희생층 상에 산화보호막이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것으로, 매트릭스 형태로 형성된 능동 소자, 패시베이션층 및 식각 스톱층을 구비한 구동 기판과 상기 구동 기판의 상부에 소정 두께의 절연물질을 적층하여 희생층을 형성하는 공정을 포함하여 복수개의 층을 캔틸레버 구조로 액츄에이터를 형성하는 공정을 구비한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 희생층의 미세패턴형성공정을 통하여 패터닝하기전에 희생층상에 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)를 이용하여 실리콘산화물로 이루어진 산화보호막을 형성하여, PSG재질의 희생층과 공기중의 수분과의 반응으로 발생하는 인산의 형성을 차단하여 희생층 자체� �� 손상을 막고 또한 미세패턴형성공정을 통한 패터닝시 이용되는 감광층과의 접착력을 향상시켜 박막형 광로조절장치의 공정수율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있는 유용한 것이다.

公开(公告)号：KR1019990061416A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019970081675

申请日：1997-12-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 구명권

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 구동기판 상부에 형성된 패드와 TCP(Tape Carrier Package)의 패드간의 접촉 불량을 방지할 수 있는 박막형 광로조절장치에 관한 것이다.
본 발명에서는 구동기판의 상부에 형성된 패드와 TCP의 패드간의 접촉 불량을 방지하기 위해서 패드의 상부에 전기 도전성 접착성 물질로 접착층을 형성한다. 그리고, 접착층의 상부에 종래에 비해 두껍게 접속층을 형성한다. 다음, 접속층의 상부에 금속구를 장착한 후, 금속구와 TCP의 패드를 접촉시켜 구동기판의 패드와 TCP의 패드의 접촉불량을 방지한다.