公开(公告)号：KR100256873B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019970057099

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A thin-film micromirror array-actuated(TMA) manufacturing method planarizes the surface of the second passivation layer to compensate the step caused by an active matrix, thereby improving the planarization rate of a sacrificial layer to be removed in the following process and securing the uniformity of overall residual thickness of the sacrificial layer. CONSTITUTION: The second passivation layer(120) for protecting a MOS transistor-inlaid active matrix(100) and the resultants formed on the active matrix(100) is formed on the second metal layer(115). The second passivation layer(120) is polished to planarize the uneven surface thereof due to the active matrix(100) by using a CMP method until the second metal layer(115) acting as a CMP stop layer is exposed. After the CMP process is finished, the second passivation layer(120) performs the role for preventing the active matrix(100) and the second metal layer(115) from being etched by a BrF3 or a XeF2 during the etching process of a sacrificial layer. After the second passivation layer(120) is planarized, the sacrificial layer of poly silicon is formed on the second passivation layer(120) to form an air gap.

Abstract translation: 目的：薄膜微镜阵列致动（TMA）制造方法平面化第二钝化层的表面以补偿由有源矩阵引起的步骤，从而提高在以下过程中待除去的牺牲层的平坦化速率， 确保牺牲层的总剩余厚度的均匀性。 构成：在第二金属层（115）上形成用于保护MOS晶体管镶嵌的有源矩阵（100）的第二钝化层（120）和形成在有源矩阵（100）上的结果。 通过使用CMP方法，由于有源矩阵（100）而抛光第二钝化层（120）以平坦化其不平坦表面，直到暴露出作为CMP停止层的第二金属层（115）为止。 在CMP工艺完成之后，第二钝化层（120）在牺牲层的蚀刻工艺期间执行防止有源矩阵（100）和第二金属层（115）被BrF 3或XeF 2蚀刻的作用 。 在第二钝化层（120）被平坦化之后，多晶硅的牺牲层形成在第二钝化层（120）上以形成气隙。

公开(公告)号：KR100256796B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019970057108

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A thin-film micromirror array-actuated(TMA) manufacturing method planarizes the surface of the second sacrificial layer in a low temperature, thereby improving the level parameter, minimizing the thermal damage of an actuator and an active matrix and preventing the damage of the active matrix, an active layer and a mirror during the removing process of the first sacrificial layer and the second sacrificial layer. CONSTITUTION: After the first sacrificial layer(155) is formed on the whole surface of an active matrix(100), an actuator(210) including a supporting layer(165), a bottom electrode(170), an active layer(175) and a top electrode(180) is formed on the first sacrificial layer(155). The second sacrificial layer(215) for facilitating the lamination of a metal layer to form a mirror and a post(220) is formed on the actuator(210). The second sacrificial layer(215) is so sufficiently laminated with a photo resist(PR), a spin on glass(SOG) or a spin on polymer(SOP) as to cover perfectly the top electrode(180) by a spin coating method. In this case, the surface of the second sacrificial layer(215) is planarized in a low temperature without the planarization process. The mirror is formed on the second sacrificial layer(215), then the second sacrificial layer(215) is removed by using an oxygen plasma and the first sacrificial layer(155) is removed by using a bromine fluoride or a xenon fluorine.

Abstract translation: 目的：薄膜微镜阵列致动（TMA）制造方法在低温下对第二牺牲层的表面进行平面化，从而改善水平参数，最小化致动器和有源矩阵的热损伤并防止损坏 在第一牺牲层和第二牺牲层的去除过程期间的有源矩阵，有源层和反射镜。 构成：在有源矩阵（100）的整个表面上形成第一牺牲层（155）之后，包括支撑层（165），底部电极（170），有源层（175） 并且在所述第一牺牲层（155）上形成顶部电极（180）。 用于促进层压金属层以形成反射镜的第二牺牲层（215）和柱（220）形成在致动器（210）上。 第二牺牲层（215）与光致抗蚀剂（PR），玻璃上的旋涂（SOG）或聚合物上的旋涂（SOP）充分地层压，以通过旋涂法完全覆盖顶部电极（180）。 在这种情况下，第二牺牲层（215）的表面在没有平坦化处理的低温下被平坦化。 反射镜形成在第二牺牲层（215）上，然后通过使用氧等离子体去除第二牺牲层（215），并且通过使用溴氟化物或氙氟去除第一牺牲层（155）。

公开(公告)号：KR1019990084636A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980016542

申请日：1998-05-08

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 매끈하고 균일한 제2 희생층을 용이하게 형성할 수 있게 하는 공정에 의한 박막형 광로 조절 장치가 개시되어 있다. 상기 공정에 의하면, 모스 트랜지스터의 액티브 매트릭스의 상부에 제1 희생층, 제1 층, 하부 전극층, 제2 층 및 상부 전극층을 순차적으로 형성한다. 상기 각 층들을 순차적으로 패터닝하여 제1 및 제2 상부 전극, 제1 및 제2 변형층, 제1 및 제2 하부 전극부, 하부 전극 연결부, 제1 및 제2 하부 전극 돌출부 및 공통 전극 라인을 형성한다. 상기 제1 층을 패터닝하여 지지 부재를 형성한 후, 상기 제1 및 제2 상부 전극, 제1 및 제2 변형층, 제1 및 제2 하부 전극부, 하부 전극 연결부, 제1 및 제2 하부 전극 돌출부의 일부 및 지지 부재 중 지지층의 일부를 덮도록 절연층을 형성하고, 절연층을 패터닝하여 제1 및 제2 상부 전극의 일부를 노출시킨다. 비어 홀을 형성한 후, 제1 및 제2 상부 전극 연결 부재 및 비어 컨택을 동시에 형성한 후, 거울을 형성하여 상기 박막형 광로 조절 장치를 완성하게 된다. 상부 및 하부 전극 상에서 제2 희생층 물질이 매끈하고 균일하게 성장할 수 있으며, 희생층 제거시, 잔류 불순물에 의한 상부 및 하부 전극의 단락과, 희생층 식각 용액에 의한 상부 및 하부 전극의 손상을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990039329A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970059376

申请日：1997-11-12

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 거울의 손상을 방지하여 입사되는 광의 광효율을 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시된다. 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하고 패터닝한 후, 희생층의 상부에 지지층, 하부 전극, 변형층, 그리고 상부 전극을 차례로 적층한다. 상기 상부 전극, 변형층, 하부 전극 및 지지층을 차례로 패터닝하여 액츄에이터를 형성하고 패터닝된 지지층의 상부에 알루미늄을 사용하여 거울을 형성한다. 그리고, 희생층을 65∼73％ 정도의 농도를 갖는 플루오르화 수소(HF) 증기를 사용하여 제거한다. 따라서, 거울의 구성 물질인 알루미늄에 대한 플루오르화 수소의 식각 선택성이 향상되어 희생층을 식각하는 동안 거울이 손상을 받지 않게 된다. 그러므로, 광원으로부터 입사되는 광의 광효율을 높일 수 있으며, 스크린에 투영되는 화상의 화질을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990035340A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970057136

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 형성된 희생층을 XeF
2 또는 BrF
3 가스로 제거하여 에어갭을 형성한다. 종래의 박막형 광로조절장치에서 희생층은 인의 농도가 높은 인실리케이트유리로 형성한 후 불산가스로 제거하였으므로, 강산인 불산가스에 의해 구동기판의 하부가 손상되는 것을 방지하기 위하여 별도의 식각 방지층을 형성하였다. 그러나, 식각 방지층은 고온 공정에 의해 형성되므로 구동기판에 내장된 트랜지스터가 고온에 의해 손상되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 박막형 광로조절장치는 희생층을 불산가스가 아닌 XeF
2 또는 BrF
3 가스로 제거하므로 상부전극과 변형층이 손상되지 않으며, 별도의 식각 방지층을 형성할 필요가 없으므로 제조 공정이 단순해진다.
또한, 종래의 박막형 광로조절장치에 있어서 멤브레인은 질화물을 800℃의 저압 화학기상증착방법으로 형성하였다. 이때, 구동기판에 내장된 트랜지스터는 800℃의 고온에 의해 손상되었으나, 본 발명에서는 멤브레인을 400℃의 플라즈마 화학기상증착방법으로 형성하므로 구동기판에 내장된 트랜지스터가 손상되는 것을 방지한다.

公开(公告)号：KR1019990035319A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970057114

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 거울의 수명을 증가시키며 그 수평도를 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시된다. 액티브 매트릭스의 상부에 액츄에이터를 형성한 후, 액츄에이터의 상부에 제2 희생층을 형성한다. 제2 희생층의 상부에 포토레지스트를 도포하고 제2 희생층이 완만한 경사를 갖는 패턴을 갖도록 1차로 이방성 건식 식각 처리를 수행하고 2차로 등방성 습식 식각을 수행한 후 포스트 및 거울을 형성한다. 거울 및 포스트를 형성하는 동안 포스트에 응력이 집중되는 모서리 부분이 형성되지 않고 포스트가 제2 희생층 패턴의 완만한 경사를 따라 같은 형상을 갖게 된다. 포스트로부터 발생하는 균열이 거울로 전파되는 것을 방지할 수 있고, 거울의 수평도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 거울의 열화도 최소화하여 거울의 수명을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990034625A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970056260

申请日：1997-10-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 거울을 평탄하게 형성하여 광효율을 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 장치는, 액티브 매트릭스의 상부에 지지층, 하부 전극, 변형층, 그리고 상부 전극을 포함하는 액츄에이터가 형성된다. 거울은 상부 전극에 하부가 접촉되며 양측이 수평하게 형성되고 그 하부에는 거울의 변형을 방지할 수 있는 보강 부재가 형성된다. 거울의 주변 하부에 거울을 형성하는 동안 인가되는 압력이나 장력 등으로 인하여 발생하는 잔류 응력 등과 같은 변형 응력을 견딜 수 있도록 기계적으로 안정한 여러 가지 구조 중에서 임의적으로 선택할 수 있는 형상을 갖는 보강 부재를 형성함으로써 비록 거울을 증착시켜 형성하는 동안 변형 응력이 발생하더라도 상기 보강 부재가 거울이 상방 또는 하방으로 휘어지는 것을 방지하기 때문에 거울의 수평도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 거울의 반사각을 균일하게 유지할 수 있으며, 광원으로부터 입사되는 광의 광효율을 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990034624A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970056259

申请日：1997-10-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 포스트 부분의 단차를 제거함으로써 거울과 액츄에이터를 안정적으로 연결할 뿐만 아니라 입사되는 광의 산란을 방지하여 광효율을 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시된다. 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 포함하는 액츄에이터를 형성한 후, 제2 희생층을 형성한다. 제2 희생층을 패터닝하여 상부 전극의 일부를 노출시키고 전기 도금 방법으로 제2 희생층 패턴 부분의 단차를 극복하면서 거울의 포스트를 형성함으로써 포스트 부분의 단차가 제거된다. 거울은 이와 같이 단차가 제거된 포스트 및 제2 희생층 상에 형성되므로 거울과 액츄에이터의 상부 전극을 안정적으로 연결할 뿐만 아니라 광원으로부터 입사되는 광이 포스트 부분에서 산란되는 것을 방지하여 광효율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990004774A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019970028915

申请日：1997-06-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은, M×N (M, N은 정수)개의 MOS 트랜지스터 및 제1 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 제공하는 단계; 상기 액티브 매트릭스의 상부에 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액츄에이터를 형성하는 단계; 상기 액츄에이터의 상부에 광을 반사하는 거울층을 형성하는 단계; 그리고 상기 거울층을 화학 기계적 연마(CMP) 방법으로 평탄화시키는 단계를 포함한다. 상기 방법에 따르면, 액츄에이터와 거울층과의 연결 부위의 단차가 CMP 공정으로 제거되어 거울면의 평탄도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100271002B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019970057107

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing thin film actuated mirror arrays is provided to improve a horizontal degree of a mirror by forming the mirror on the second sacrifice having a flat surface. CONSTITUTION: An active matrix(100) is prepared which includes the first metal layer having a drain pad that is extended from a drain of a MOS transistor. The first sacrifice layer(180) is formed on an entire surface of the active matrix. After patterning the first sacrifice layer, an actuator having a support layer, a bottom electrode, an active layer, and a top electrode is formed on the first patterned sacrifice layer. A back side metal layer is formed on a back surface of the active matrix, and the second sacrifice layer is formed on the actuator. A part of the top electrode(180) is exposed by patterning the second sacrifice layer. A post(220) and a mirror(230) are formed on the exposed top electrode and the second sacrifice layer, which are simultaneously removed using BrF3 or XeF2.

Abstract translation: 目的：提供用于制造薄膜致动反射镜阵列的方法，以通过在具有平坦表面的第二牺牲上形成反射镜来改善反射镜的水平度。 构成：制备有源矩阵（100），其包括具有从MOS晶体管的漏极延伸的漏极焊盘的第一金属层。 第一牺牲层（180）形成在有源矩阵的整个表面上。 在图案化第一牺牲层之后，在第一图案化牺牲层上形成具有支撑层，底部电极，有源层和顶部电极的致动器。 背面金属层形成在有源矩阵的背面上，第二牺牲层形成在致动器上。 通过图案化第二牺牲层来暴露顶部电极（180）的一部分。 在暴露的顶部电极和第二牺牲层上形成柱（220）和反射镜（230），它们使用BrF 3或XeF 2同时去除。