公开(公告)号：KR1020140063618A

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020147004522

申请日：2012-07-17

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  츠카모토히데오 ,  이시하라요스케

IPC: H01L23/373 ,  C22C26/00 ,  C22C32/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04

CPC classification number: H01L23/3735 ,  B22D18/02 ,  B22F7/08 ,  B32B15/016 ,  C22C21/00 ,  C22C26/00 ,  C22C45/04 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/00 ,  F28F3/00 ,  H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 다이아몬드 입자를 40~70체적％ 함유하고, 잔부가 알루미늄을 주성분으로 하는 금속으로 이루어지며, 두께가 0.4~6mm인 판상체의 양면에 알루미늄을 주성분으로 하는 금속 또는 알루미늄-세라믹계 복합 재료로 이루어진 피복층을 피복해 알루미늄-다이아몬드계 복합체를 형성하고, 그 적어도 양주면에 주면측으로부터 순서대로 (1) 막 두께가 0.1~1㎛인 비결정성의 Ni 합금층, (2) 막 두께가 1~5㎛인 Ni층, (3) 막 두께가 0.05~4㎛인 Au층을 형성해서 이루어지며, 여기서 Ni 합금층과 Ni층의 비율(Ni 합금층 두께/Ni층 두께)이 0.3 이하인 반도체 소자용 방열 부품이 개시된다.

公开(公告)号：KR101334503B1

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020087017539

申请日：2007-05-08

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 이와모토고 ,  히로츠루히데키

IPC: C04B35/565 ,  B22D19/00 ,  B24C1/00 ,  H01L23/15

CPC classification number: C04B41/88 ,  B22D19/14 ,  B24C1/045 ,  B26F3/004 ,  C04B35/565 ,  C04B35/6316 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/6583 ,  C22C29/065 ,  H01L21/4878 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24999 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/515 ,  C04B41/53 ,  C04B38/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 파워 모듈용 베이스판 등으로서 바람직한 알루미늄-탄화규소질 복합체를 제공한다.
평판상의 탄화규소질 다공체에 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 함침시켜 이루어지는 알루미늄-탄화규소질 복합체로서, 양 주면에 알루미늄을 주성분으로 하는 금속으로 이루어지는 알루미늄층을 갖고, 측면부 및 구멍부를 워터제트 가공하여, 측면에는 알루미늄을 주성분으로 하는 금속으로 이루어지는 알루미늄층을 측면에 갖지 않는 것을 특징으로 하는 알루미늄-탄화규소질 복합체.
알루미늄-탄화규소질 복합체

公开(公告)号：KR1020110040923A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020117003393

申请日：2009-07-08

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  츠카모토히데오

IPC: B22D19/00 ,  B22D18/02 ,  C22C1/02 ,  H01L23/373

CPC classification number: C22C26/00 ,  B22F3/26 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/26 ,  B22D19/00 ,  B22D18/02 ,  C22C1/02 ,  H01L23/373 ,  C22C1/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/20 ,  H01L2924/00

Abstract: 높은 열전도율과 반도체 소자에 가까운 열팽창률을 겸비하고, 나아가서는 반도체 소자의 히트 싱크 등으로 사용하는데 적합하도록 표면의 도금성 및 표면의 면 거칠기를 개선시킨 알루미늄-다이아몬드계 복합체를 제공한다. 다이아몬드 입자와 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 포함하는 평판 모양의 알루미늄-다이아몬드계 복합체로서, 상기 알루미늄-다이아몬드계 복합체는 복합화부 및 상기 복합화부의 양면에 마련된 표면층으로 이루어지고, 상기 표면층이 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 포함하는 재료로 이루어지며, 상기 다이아몬드 입자의 함유량이 상기 알루미늄-다이아몬드계 복합체 전체의 40부피%~70부피%인 것을 특징으로 하는 알루미늄-다이아몬드계 복합체를 제공한다.

公开(公告)号：KR101021450B1

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：KR1020067027916

申请日：2005-09-07

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 이와모토고 ,  히로츠루히데키 ,  히라하라가즈노리

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H05K1/05 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3733 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0284 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/09018 ,  Y10T428/12007 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/249986 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/26 ,  C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  H01L2924/00

Abstract: 고신뢰성이 요구되는 반도체 부품을 탑재하는 세라믹 회로 기판의 베이스판으로서 바람직한 알루미늄-탄화 규소질 복합체를 제공한다. 평판 형상의 탄화 규소질 다공체에 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 함침하여 이루어지고, 양 주면에 알루미늄을 주성분으로 하는 금속으로 이루어지는 알루미늄층을 갖고, 일 주면이 회로 기판에 접합되어 타 주면이 방열면으로서 사용되는 알루미늄-탄화 규소질 복합체에 있어서, 탄화 규소질 다공체의 방열면을 볼록형의 휨 형상으로 성형 또는 기계 가공하여, 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 함침 후, 방열면의 알루미늄층에 추가로 기계 가공을 하고, 휨을 부여한 것을 특징으로 하는 알루미늄-탄화 규소질 복합체.

公开(公告)号：KR1020070064293A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020067027916

申请日：2005-09-07

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 이와모토고 ,  히로츠루히데키 ,  히라하라가즈노리

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H05K1/05 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3733 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0284 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/09018 ,  Y10T428/12007 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/249986 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/26 ,  C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  H01L2924/00

Abstract: An aluminum-silicon carbide composite suitably used as the base plate of a ceramic circuit board for mounting a semiconductor component requiring high reliability. An aluminum-silicon carbide composite comprising a flat silicon carbide porous element impregnated with a metal mainly containing aluminum and having an aluminum layer consisting of a metal mainly containing aluminum on each of its opposite main surfaces, one main surface being joined to a circuit board and the other main surface being used as a radiation surface, characterized in that the radiation surface of the silicon carbide porous element is formed or machined into a convexly warped shape and is impregnated with a metal mainly containing aluminum, and then the aluminum layer on the radiation surface is further machined to form a warp.

Abstract translation: 适合用作陶瓷电路板的基板的铝 - 碳化硅复合体，用于安装需要高可靠性的半导体部件。 一种铝 - 碳化硅复合体，包括浸渍有主要含有铝的金属的平坦碳化硅多孔元件，并且在其相对的主表面中的每一个上具有由主要含有铝的金属组成的铝层，一个主表面接合到电路板和 另一个主表面用作辐射表面，其特征在于，碳化硅多孔元件的辐射表面被形成或加工成凸形的弯曲形状，并且浸渍有主要包含铝的金属，然后在辐射上浸入铝层 进一步加工表面以形成翘曲。