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公开(公告)号：KR1020160129920A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020167030579
申请日：2010-02-10
Applicant: 덴카 주식회사
IPC: B22D18/02 , B22F3/26 , C04B41/00 , C04B41/52 , C04B41/90 , C22C26/00 , C22C29/06 , C22C29/12 , C22C29/16
CPC classification number: B22D18/02 , B22F3/26 , B22F2998/10 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C22C26/00 , C22C29/06 , C22C29/12 , C22C29/16 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12007 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4541 , C04B41/5144 , C04B41/51 , C04B41/522 , C04B35/04 , C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B35/505 , C04B41/00 , C23C30/00 , H01L2924/00
Abstract: LED를구성하는Ⅲ-Ⅴ족반도체결정과선열팽창율의차가작고, 또한열전도성이우수하며, 고출력 LED용으로서바람직한 LED 발광소자용기판을제공한다. 탄화규소, 질화알루미늄, 질화규소, 다이아몬드, 흑연, 산화이트륨및 산화마그네슘중에서선택되는 1종이상으로부터이루어지며, 기공률이 10∼50 부피%, 3점굴곡강도가 50 MPa 이상인다공체에용탕단조법으로함침압력 30 MPa 이상에서알루미늄합금또는순수알루미늄을함침하고, 판두께 0.05∼0.5mm이며, 표면거칠기 (Ra) 0.01∼0.5㎛로절단및/또는연삭가공한후, 표면에 Ni, Co, Pd, Cu, Ag, Au, Pt, Sn 중에서선택되는 1종이상의금속층을두께가 0.5∼15㎛이되도록형성하여 LED 발광소자용복합재료기판을제조한다.
Abstract translation: 一种具有与构成LED的III-V半导体晶体的线性热膨胀系数差小的LED发光元件用基板，具有优异的导热性，适用于高输出LED。 多孔体包括选自碳化硅，氮化铝，氮化硅，金刚石，石墨，氧化钇和氧化镁中的一种或多种材料，其孔隙率为10〜50体积％，三点弯曲强度为50 MPa以上。 多孔体通过液态金属锻造，以30MPa或更大的渗透压力渗入铝合金或纯铝，切割和/或研磨至0.05至0.5mm的厚度和表面粗糙度（Ra） 为0.01〜0.5μm，然后在其表面上形成具有选自Ni，Co，Pd，Cu，Ag，Au，Pt和Sn中的一种或多种元素的金属层，厚度为0.5〜15μm， 从而制造用于LED发光元件的复合衬底。
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公开(公告)号：KR101344152B1
公开(公告)日：2013-12-20
申请号：KR1020087020448
申请日：2007-04-23
Applicant: 덴카 주식회사
IPC: H01L23/373
Abstract: 파워 모듈용 베이스판으로서 바람직한 알루미늄-탄화규소질 복합체를 제공한다.
평판 형상의 탄화규소질 다공체를 면내 두께 차이가 100㎛ 이하가 되도록 성형 또는 가공한 후, 면 방향의 조임 토크가 1 ∼ 20Nm 가 되도록 이형판의 사이에 끼워 적층시키고, 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 함침시킨 알루미늄-탄화규소질 복합체로 이루어지고,
양 주면에 알루미늄을 주성분으로 하는 금속으로 이루어지는 알루미늄층을 가지고, 그 알루미늄층의 평균 두께가 10 ∼ 150㎛ 이며, 알루미늄층의 면내 두께의 최대치와 최소치의 차이가 80㎛ 이하이고, 양 주면의 알루미늄층의 평균 두께의 차이가 50㎛ 이하이며, 또한 상기 탄화규소질 다공체의 형상이 직사각형이거나 또는 구멍부를 둘러싸는 부분의 외주부가 직사각형으로 부가된 형상인 것을 특징으로 하는 파워 모듈용 베이스판.-
公开(公告)号：KR1020120082865A
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020127004793
申请日：2010-07-29
Applicant: 덴카 주식회사
CPC classification number: C04B35/565 , B22F2998/10 , C04B35/52 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2235/3826 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C22C1/1036 , C22C1/1094 , C22C26/00 , C22C29/065 , C22C29/16 , H01L33/0079 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/23 , C04B38/00 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/185 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4572 , C04B41/5031 , C04B41/4529 , C04B41/4574 , C04B41/5111 , C04B41/5144 , C04B41/522 , C04B41/4564 , C04B41/5116 , B22F3/04 , C23C16/00 , C25D7/12 , H01L2924/00
Abstract: LED와의 선열팽창계수 차이가 작고, 게다가 열전도성이 뛰어난 LED 탑재용 웨이퍼와, 이 LED 탑재용 웨이퍼의 제조 방법과, 이 LED 탑재용 웨이퍼를 이용해 제조된 LED 탑재 구조체를 제공한다. LED 탑재용 웨이퍼 (6)는 금속 함침 세라믹스 복합체 (61)와, 그 주위에 형성된 보호층 (62)으로 이루어지며, 금속 함침 세라믹스 복합체 (61)는 표면에 금속의 박층 (63)을 가지고 있는 것이 바람직하다. 웨이퍼의 제조 방법은 금속제 또는 세라믹스제의 관상체의 내부에, 세라믹스 다공체, 세라믹스 분말 성형체 및 세라믹스 분말로부터 선택된 적어도 한쪽을 충전한 후, 이들 세라믹스 다공체, 세라믹스 분말 성형체 및 세라믹스 분말로부터 선택된 적어도 한쪽을 가지는 공극부에 금속을 함침시킨 후, 가공하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 提供了一种用于LED安装的晶片，其具有与LED相当的热膨胀系数差并且具有优异的导热性，用于制造用于LED安装的晶片的方法，以及通过使用用于LED安装的晶片制造的LED安装结构。 用于LED安装（6）的晶片由金属渗透陶瓷复合材料（61）和形成在其周围的保护层（62）构成。 金属渗透性陶瓷复合体（61）的表面优选具有薄的金属层（63）。 制造晶片的方法的特征在于，将从由多孔陶瓷体，陶瓷粉末压块和陶瓷粉末组成的组中选出的至少一种填充到由金属或陶瓷制成的管状体中，然后将金属浸渍到至少 选自由多孔陶瓷体，陶瓷粉末压块和陶瓷粉末组成的组，然后进行处理。
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公开(公告)号：KR1020120068831A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020127004099
申请日：2010-07-16
Applicant: 덴카 주식회사
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L23/373
CPC classification number: H01L33/641 , H01L23/142 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/647 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: Provided is a highly reliable LED package with significantly improved heat radiating properties, manufacturing method of the LED package, and an LED chip assembly used in the LED package. The LED package is characterized in that the LED chip assembly (10) is bonded to a circuit board (11) created by forming metal circuitry (3) on a metal substrate (5) with an insulation layer (4) therebetween, whereas an LED chip (1) of the LED chip assembly and the metal circuitry (3) of the circuit board are connected via an electrical connection member (9), and at least the LED chip assembly and the electrical connection member are encapsulated with resin encapsulant (8) including fluorescent material.
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公开(公告)号：KR1020090004864A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020087020448
申请日：2007-04-23
Applicant: 덴카 주식회사
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3733 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/52 , C04B41/88 , C04B41/90 , C04B2111/00844 , C22C1/1036 , C22C29/065 , C22C32/0063 , C22C2001/1073 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , Y10T428/12479 , Y10T428/24496 , Y10T428/24999 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B41/515 , C04B14/4631 , C04B41/4541 , C04B41/5144 , C04B35/565 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: An aluminum/silicon carbide composite suitable for use as a base plate for power modules. The base plate for power modules comprises an aluminum/silicon carbide composite obtained by producing, through molding or processing, a porous silicon carbide object of a flat shape having an in-plane thickness difference of 100 mum or smaller, sandwiching the porous object between release plates at a plane-direction clamping torque of 1-20 Nm to thereby form a multilayer structure, and infiltrating a metal comprising aluminum as the main component thereinto. It is characterized in that it has on each main side thereof an aluminum layer made of a metal comprising aluminum as the main component, the aluminum layers have an average thickness of 10-150 mum, the difference between the maximum value and minimum value of the in-plane thickness of each aluminum layer is 80 mum or smaller, and the difference in average aluminum layer thickness between the two main sides is 50 mum or smaller. It is further characterized in that the shape of the porous silicon carbide object is rectangular or a shape which further includes rectangular peripheral areas surrounding hole parts.
Abstract translation: 铝/碳化硅复合材料适用于电源模块的基板。 用于功率模块的基板包括铝/碳化硅复合体，其通过模制或加工制造平面形状的多孔碳化硅物体，其面内厚度差为100μm以下，将多孔物体夹在释放之间 板以1〜20Nm的平面方向夹紧扭矩形成多层结构，并浸渍以铝为主要成分的金属。 其特征在于，在其主要侧面上具有由以铝为主要成分的金属制成的铝层，铝层的平均厚度为10-150μm，最大值与最小值之间的差为 每个铝层的面内厚度为80μm以下，两个主面之间的平均铝层厚度差为50μm以下。 其特征还在于，多孔碳化硅物体的形状为矩形或还包括围绕孔部的矩形周边区域的形状。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160042883A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020167003279
申请日：2014-08-12
Applicant: 덴카 주식회사
CPC classification number: H05K1/0271 , C08K7/00 , C08K2003/385 , C08K2201/004 , H05K1/0203 , H05K1/0306 , H05K1/0353 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K3/38 , H05K2201/0104 , H05K2201/066
Abstract: 고방열, 고신뢰성을갖는질화붕소-수지복합체회로기판을제공한다. 평균장직경이 5~50㎛인질화붕소입자가 3차원으로결합한질화붕소소결체 30~85부피%와수지 70~15부피%를함유하여이루어지는판두께가 0.2~1.5mm인판형수지함침질화붕소소결체의양 주면에구리또는알루미늄의금속회로가접착되어이루어지는, 수지함침질화붕소소결체의면방향의 40~150℃의선열팽창계수(CTE1)와금속회로의 40~150℃의선열팽창계수(CTE2)의비(CTE1/CTE2)가 0.5~2.0인것을특징으로하는질화붕소-수지복합체회로기판.
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公开(公告)号：KR1020110134878A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020117021088
申请日：2010-02-10
Applicant: 덴카 주식회사
CPC classification number: B22D18/02 , B22F3/26 , B22F2998/10 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C22C26/00 , C22C29/06 , C22C29/12 , C22C29/16 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12007 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4541 , C04B41/5144 , C04B41/51 , C04B41/522 , C04B35/04 , C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B35/505 , C04B41/00 , C23C30/00 , H01L2924/00
Abstract: LED를 구성하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 결정과 선열팽창율의 차가 작고, 또한 열전도성이 우수하며, 고출력 LED용으로서 바람직한 LED 발광소자용 기판을 제공한다.
탄화규소, 질화알루미늄, 질화규소, 다이아몬드, 흑연, 산화이트륨 및 산화마그네슘 중에서 선택되는 1종 이상으로부터 이루어지며, 기공률이 10∼50 부피%, 3점 굴곡 강도가 50 MPa 이상인 다공체에 용탕단조법으로 함침 압력 30 MPa 이상에서 알루미늄 합금 또는 순수 알루미늄을 함침하고, 판 두께 0.05∼0.5mm이며, 표면 거칠기 (Ra) 0.01∼0.5㎛로 절단 및/또는 연삭가공한 후, 표면에 Ni, Co, Pd, Cu, Ag, Au, Pt, Sn 중에서 선택되는 1종 이상의 금속층을 두께가 0.5∼15㎛이 되도록 형성하여 LED 발광소자용 복합재료 기판을 제조한다.-
公开(公告)号：KR1020110117694A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020117020362
申请日：2010-02-08
Applicant: 덴카 주식회사
IPC: C04B41/88 , C01B31/04 , H01L23/373
CPC classification number: C04B41/88 , B22F3/26 , B23D57/0023 , B23D61/185 , B28D5/045 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B2111/00844 , H01L23/142 , H01L23/373 , H01L23/3735 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , H05K1/05 , H05K2201/0323 , Y10T83/04 , Y10T428/24273 , Y10T428/24909 , Y10T428/24917 , C04B41/4519 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B35/522 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 알루미늄-흑연 복합체의 표면 거칠기(Ra)가 0.1~3㎛, 온도 25℃의 열전도율이 150~300W/mK, 직교하는 3방향의 열전도율의 최대값/최소값이 1~1.3, 온도 25℃~150℃의 열팽창 계수가 4×10
-6 ~7.5×10
-6 /K, 직교하는 3방향의 열팽창 계수의 최대값/최소값이 1~1.3, 또한 3점 휨 강도가 50~150MPa인 알루미늄-흑연 복합체를 멀티 와이어 소를 이용하여 하기 (1)~(4)의 조건：(1) 접합하는 지립이 다이아몬드, C-BN, 탄화규소, 알루미나로부터 선택되는 1종 이상으로 평균 입자 지름이 10~100㎛, (2) 와이어 선 지름이 0.1~0.3㎜, (3) 와이어 이송 속도가 100~700m/분, (4) 절삭 속도가 0.1~2㎜/분 하에 두께 0.5~3㎜의 판 모양으로 가공하는 기판의 제조 방법.Abstract translation: 一种生产基材的方法，其包括在下列条件（1）至（4）中使用多线锯将铝/石墨复合材料加工成厚度为0.5-3mm的板：（1）所述金属丝具有磨料 作为选自金刚石，C-BN，碳化硅，氧化铝中的一种或多种物质的平均粒径为10〜100μm的颗粒; （2）电线的直径为0.1-0.3mm; （3）电线以100-700m / min的速度运行; 和（4）以0.1-2mm / min的速率切割复合材料。 铝/石墨复合体的表面粗糙度（Ra）为0.1-3μm，25℃下的热导率为150-300W / m·K，三个垂直方向的最大值与最小导热系数之比 1-1.3，25-150℃的热膨胀系数为4×10 -6〜7.5×10 -6 / K，三个垂直方向的最大热膨胀系数与最小热膨胀系数之比为1 -1.3，三点弯曲强度为50-150MPa。
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公开(公告)号：KR102208501B1
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：KR1020157035419
申请日：2014-06-02
Applicant: 덴카 주식회사
IPC: C04B35/583 , C04B41/00 , C04B41/48 , C04B41/49 , C04B41/83 , H01L23/14 , H01L23/373 , H05K1/03
Abstract: 본발명은열전도율및 강도가뛰어난수지함침질화붕소소결체및 전도율이뛰어나고열전도율의이방성이작은수지함침질화붕소소결체를제공하는것에있다. 본발명에의하면질화붕소입자가 3차원으로결합된질화붕소소결체 30~90부피%와수지 10~70부피%로이루어지고, 질화붕소소결체의기공률이 10~70%, 질화붕소입자의평균장직경이 10㎛이상, 분말 X선회절법에의한흑연화지수가 4.0 이하이며, I.O.P.에의한배향도가 0.01~0.05 또는 20~100인수지함침질화붕소소결체, 및질화붕소입자가 3차원으로결합된질화붕소소결체 30~90부피%와수지 10~70부피%를함유하여이루어지고, 질화붕소소결체의칼슘함유율이 500~5000ppm, 질화붕소소결체의분말 X선회절법에의한흑연화지수가 0.8~4.0이며, 질화붕소소결체가평균장직경 10㎛이상의인편상질화붕소입자로이루어지고, I.O.P.의배향도가 0.6~1.4인수지함침질화붕소소결체가제공된다.
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