얼굴검출장치 및 이를 이용한 얼굴검출방법
    21.
    发明公开
    얼굴검출장치 및 이를 이용한 얼굴검출방법 失效
    使用相同的面部检测装置和面部检测

    公开(公告)号:KR1020100102449A

    公开(公告)日:2010-09-24

    申请号:KR1020090020834

    申请日:2009-03-11

    CPC classification number: G06K9/00228 G06K9/00234 G06T7/13 G06T7/507 G06T7/90

    Abstract: PURPOSE: A face detecting apparatus and a face detecting method using the same processes by using the color of a skin and a face detecting method using the same are provided to perform operation with latency of two frames. CONSTITUTION: A skin detection unit(110) detects the skin area after extracting the color of the skin from outside. A shadows detection unit(130) detects the shadow area among the video signal. An edge detector(120) detects the edge region among the video signal. A labeling unit(140) levels the domain in which the color of the skin collected.

    Abstract translation: 目的:提供使用与皮肤颜色相同的处理的面部检测装置和面部检测方法以及使用其的脸部检测方法,以进行两帧延迟的操作。 构成:皮肤检测单元(110)从外部提取皮肤的颜色后检测皮肤区域。 阴影检测单元(130)检测视频信号中的阴影区域。 边缘检测器(120)检测视频信号中的边缘区域。 标签单元(140)对所收集的皮肤的颜色进行调整。

    드라이 에칭을 이용한 사파이어 웨이퍼의 분할 방법
    22.
    发明授权
    드라이 에칭을 이용한 사파이어 웨이퍼의 분할 방법 失效
    使用干蚀刻技术将蓝宝石晶片分离成色块的方法

    公开(公告)号:KR100550857B1

    公开(公告)日:2006-02-10

    申请号:KR1020030066080

    申请日:2003-09-23

    Inventor: 김주현 오방원

    CPC classification number: B28D5/00 H01L21/78 H01L33/0095

    Abstract: 본 발명은 사파이어 웨이퍼를 개별 칩 단위로 분할 시, 상기 사파이어 웨이퍼의 배면을 그라인딩(grinding), 래핑(lapping)한 후, 드라이 에칭(dry-etching) 공정을 이용하여 가공한 이후 스크라이빙(scribing)함으로써 사파이어 웨이퍼를 보다 효율적으로 분할 가능하게 하는 사파이어 웨이퍼의 분할 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 상면에 반도체 소자가 형성된 사파이어 웨이퍼의 배면을 소정의 두께로 그라인딩하는 단계와, 상기 그라인딩된 사파이어 웨이퍼의 배면을 소정의 두께로 래핑하는 단계와, 상기 래핑된 사파이어 웨이퍼의 배면을 균일하게 소정의 두께로 RIE(Reactive Ion Etch)법으로 드라이 에칭하여 상기 사파이어 웨이퍼 배면의 스크래치를 제거하는 단계 및 상기 드라이 에칭된 사파이어 웨이퍼의 배면을 스크라이빙하는 단계를 포함하는 사파이어 웨이퍼의 분리방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 칩의 외관불량을 개선하여 수율을 향상시키고, 고가의 다이아몬드 팁의 사용량을 감소시켜 생산원가를 절감함으로써 생산성을 높이고 나아가 제품의 가격 경쟁력을 확보할 수 있는 효과가 있다.
    질화갈륨, 사파이어, 웨이퍼, 응력, 드라이 에칭(dry etching), 스크라이빙, 폴리싱, 래핑

    레이저 스크라이빙공정를 이용한 반도체 웨이퍼 절단방법
    23.
    发明授权
    레이저 스크라이빙공정를 이용한 반도체 웨이퍼 절단방법 失效
    使用激光切割切割半导体波形的方法

    公开(公告)号:KR100489827B1

    公开(公告)日:2005-05-16

    申请号:KR1020030021703

    申请日:2003-04-07

    CPC classification number: H01L21/78 H01L33/0095

    Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 절단방법에 관한 것이다. 본 발명은, 반도체층이 형성된 상면을 갖는 웨이퍼를 소정의 크기를 갖는 칩 단위로 절단하는 방법에 있어서,상기 웨이퍼가 소정의 두께를 갖도록 상기 웨이퍼의 하면을 래핑하는 단계와, 상기 웨이퍼의 하면에 칩 크기로 레이저 빔을 주사하여 스크라이브 라인을 형성하는 단계와, 상기 스크라이브 라인이 형성된 상기 웨이퍼 하면을 폴리싱하는 단계와, 상기 웨이퍼를 상기 스크라이브 라인을 따라 칩단위로 분리하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 절단방법을 제공한다.
    상기 방법에 따르면, 세척공정과 같은 추가적인 공정없이 스크라이브 형성과정에서 발생되는 분진 및 얼룩 등의 오염물을 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼 두께를 감소시키는 래핑공정과 레이저 빔을 이용한 스크라이빙공정을 결합하여 GaN계 반도체 웨이퍼와 같은 경도가 큰 반도체 웨이퍼를 용이하게 절단할 수 있다.

    레이저 스크라이빙공정를 이용한 반도체 웨이퍼 절단방법
    24.
    发明公开
    레이저 스크라이빙공정를 이용한 반도체 웨이퍼 절단방법 失效
    使用激光切割工艺去除污染物的半导体切割方法

    公开(公告)号:KR1020040087674A

    公开(公告)日:2004-10-15

    申请号:KR1020030021703

    申请日:2003-04-07

    CPC classification number: H01L21/78 H01L33/0095

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor wafer cutting method using a laser scribing process is provided to remove contaminants by disposing a laser scribing process between a wrapping process and a polishing process, and to cut easily GaN compound semiconductor wafer. CONSTITUTION: A wafer(11) having predetermined thickness is formed by performing a wrapping process on a bottom face of the wafer. A scribe line(15) is formed on the bottom face of the wafer in chip units by irradiating laser beams on the bottom face of the wafer. A polishing process is performed to polish the bottom face of the wafer. The wafer is divided into chip units along the scribe line.

    Abstract translation: 目的:提供使用激光划线工艺的半导体晶片切割方法,通过在包装工艺和抛光工艺之间设置激光划线工艺来去除污染物,并且容易地切割GaN化合物半导体晶片。 构成:通过在晶片的底面上进行包装处理来形成具有预定厚度的晶片(11)。 通过在晶片的底面上照射激光束,在芯片单元的底面上形成刻划线(15)。 进行抛光处理以抛光晶片的底面。 晶片沿划线划分成芯片单元。

    팬-아웃 반도체 패키지
    26.
    发明公开
    팬-아웃 반도체 패키지 审中-实审
    扇出半导体封装

    公开(公告)号:KR1020170143404A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:KR1020160077630

    申请日:2016-06-21

    Abstract: 본개시는관통홀을가지며일측에배선패턴이형성된프레임, 프레임의관통홀에배치되며일측에접속패드가형성된반도체소자, 프레임및 반도체소자의일측에배치되며프레임의배선패턴및 반도체소자의접속패드와연결된재배선층, 및프레임및 반도체소자의적어도일부를봉합하며재배선층의일면과접하는봉합재를포함하며, 재배선층과봉합재의계면은, 재배선층과배선패턴의계면및 재배선층과접속패드의계면과다른레벨에위치하는, 팬-아웃반도체패키지에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明具有设置在形成布线图案框架的通孔的通孔,在一侧的框架被设置在半导体元件的一侧,所述框架和所述半导体元件连接到形成在布线图案的一侧和框架连接垫的半导体元件焊盘 和重分布层,以及密封至少所述框架和所述半导体元件的一部分,并且包括与再配线层,重分布层和密封材料的表面,该表面的材料和重分布层和布线层和布线图案的连接焊盘的一个面接触的密封材料被连接 输出位于与接口不同级别的半导体封装。

    적층 인덕터
    28.
    发明公开
    적층 인덕터 审中-实审
    层压电感

    公开(公告)号:KR1020170032017A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:KR1020150129742

    申请日:2015-09-14

    Inventor: 김주현

    Abstract: 본개시의일 실시예에따른적층인덕터는코일부, 상기코일부의상부및 하부중 적어도하나에배치된커버부및 상기커버부의내부영역중 상기커버부의표면과이격된일 영역에배치된비자성체층을포함한다. 이로인해, 적층인덕터의인덕턴스특성을향상시킴과동시에 DC 바이어스특성을개선할수 있다.

    Abstract translation: 根据本公开一个实施例的层叠电感器被引导到线圈,布置在所述至少花枝地方所述盖部分和盖部分的内部区域的上部和下部的线圈中的一个区域中的非磁性层和间隔开,以在盖部的表面 它包括。 因此,可以在同一时间增强的层叠电感器的电感特性改善直流叠加特性。

    음성검출장치 및 그 제어방법
    29.
    发明公开
    음성검출장치 및 그 제어방법 审中-实审
    用于检测语音和其控制方法的装置

    公开(公告)号:KR1020150098021A

    公开(公告)日:2015-08-27

    申请号:KR1020140019041

    申请日:2014-02-19

    Inventor: 김주현

    Abstract: 본 발명에 따른 음성검출장치는 압전체(Piezoelectric)에 감지된 초기음성신호로부터 유도된 제 1 출력전압 과 기설정된 제 1 기준전압을 이용하여, 구동신호를 생성하는 구동신호 처리부 및 상기 구동신호처리부로부터 상기 구동신호가 인가되는 경우에만, 턴온(Turn-On)되어, 마이크로부터 음성신호를 입력받으며, 상기 음성신호에 특정단어가 포함되는지 여부를 판단하는 제어부를 포함할 수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明,语音检测装置包括:驱动信号处理单元,用于通过使用由压电体感测到的初始语音信号引起的第一输出电压和预设的第一参考电压来产生驱动信号; 以及控制单元,其仅当从驱动信号处理单元施加驱动信号时才被接通,从麦克风接收语音信号,并且确定特定字是否包括在语音信号中。 在施加驱动信号的预定时间段期间,在没有从语音信号检测到特定字的情况下,控制单元改变第一参考电压,并且还通过将第一参考电压与 当不施加驱动信号时,以预定间隔的第二参考电压。

    적층 세라믹 전자 부품
    30.
    发明公开
    적층 세라믹 전자 부품 审中-实审
    多层陶瓷电子元件

    公开(公告)号:KR1020150069892A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:KR1020130156584

    申请日:2013-12-16

    Inventor: 김주현

    CPC classification number: H01F17/0013 H01F10/30 H01F27/28

    Abstract: 본개시는복수의자성체층이적층된본체; 상기복수의자성체층 적어도일부의사이에개재되는비자성체층; 상기복수의자성체층에형성되는제1 코일; 및상기비자정체층에형성되는제2 코일;을포함하고, 상기제2 코일의내부면적은상기제1 코일의내부면적과다른것을특징으로하는적층세라믹전자부품에관한것이다.

    Abstract translation: 本公开涉及多层陶瓷电子部件。 它包括一个堆叠磁性材料的主体; 插入在所述磁性材料的至少一部分中的非磁性材料层; 形成在磁性材料上的第一线圈; 以及形成在非磁性材料层上的第二线圈。 第二线圈的内部区域与第一线圈的内部区域不同。

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