公开(公告)号：KR1020110115012A

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：KR1020100034455

申请日：2010-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김남건 ,  조성일 ,  김윤재 ,  이두영

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894

Abstract: 반도체소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판을 준비하는 것을 포함한다. 상기 기판의 제1 영역에 제1 요소(first element)를 형성한다. 상기 기판의 제2 영역에 상기 제1 요소 보다 높은 레벨에 위치하는 상부면을 갖는 제2 요소(second element)를 형성한다. 상기 제1 및 제2 요소들을 덮는 절연막을 형성한다. 상기 절연막 상에 마스크를 형성한다. 상기 마스크에 대하여 사진 및 식각 공정을 진행하여, 상기 제1 영역 상에서 상기 마스크를 관통하며 상기 절연막을 노출시키는 제1 마스크 개구부를 형성함과 아울러, 상기 제2 영역 상에서 상기 절연막을 노출시키지 않는 예비 마스크 개구부를 형성한다. 상기 제1 영역 상에서 상기 제1 마스크 개구부에 의해 노출된 상기 절연막을 식각하여 예비 콘택 개구부를 형성한다. 상기 제2 영역 상에서 상기 예비 마스크 개구부 하부의 절연막이 노출되도록, 상기 예비 마스크 개구부 하부에 잔존하는 마스크를 식각하여, 제2 마스크 개구부를 형성한다. 상기 제1 영역 상에서 상기 예비 콘택 개구부의 바닥 영역과 상기 제1 요소 사이의 상기 절연막을 식각하여, 상기 제1 요소를 노출시키는 제1 콘택 개구부를 형성함과 아울러, 상기 제2 영역 상에서 상기 제2 마스크 개구부에 의해 노출된 상기 절연막을 식각하여 상기 제2 요소를 노출시키는 제2 콘택 개구부를 형성한다.