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公开(公告)号：KR100645061B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050015492
申请日：2005-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 노현필
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14683 , H01L27/14689 , H01L31/03529
Abstract: 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 이미지 센서 및 그 제조 방법에 따르면, 포토 다이오드 영역에 실리콘 게르마늄 에피택시얼층과 실리콘 에피택시얼층이 적층된다. 이후 상기 포토 다이오드 영역 상에 N형 불순물을 이온 주입하여 반도체 기판 내에 N형의 불순물층을 형성하고, 상기 실리콘 게르마늄 에피택시얼층과 실리콘 에피택시얼층에 P형 불순물을 주입하여 포토 다이오드를 형성한다. 상기 실리콘 게르마늄 에피택시얼층은 밴드 갭이 낮기 때문에 전하 생성량이 증가하여 광감도가 향상된다.
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