公开(公告)号：KR1020160004182A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020140161076

申请日：2014-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노현필 ,  김정운 ,  이석하

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L2224/05 ,  H01L25/0657 ,  H01L21/76229 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/49827

Abstract: 반도체칩, 패키지및 그제조방법이제공된다. 상기반도체칩은제1 영역과제2 영역을포함하는기판상에제공된층간절연막, 상기제1 영역의층간절연막에형성되는크랙스토퍼(crack stopper), 상기제2 영역의층간절연막에형성되는배선, 상기층간절연막상에형성되고상기배선과전기적으로접속되는패드배선; 및상기제1 영역에서패드배선과연결되며상기층간절연막상에형성되는본딩패드를포함할수 있다. 상기크랙스토퍼는상기본딩영역을둘러싸도록형성된다.

Abstract translation: 提供半导体芯片，封装及其制造方法。 半导体芯片包括：设置在包括第一和第二区域的基板上的层间绝缘膜; 形成在第一区域的层间绝缘膜上的裂纹塞; 形成在第二区域的层间绝缘膜上的线; 形成在层间绝缘膜上并与电线电连接的焊盘; 以及接合焊盘，其在所述第一区域中连接到所述焊盘焊丝，并形成在所述层间绝缘膜上。 裂缝挡板形成为包围接合区域。

公开(公告)号：KR1020100116048A

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020090034767

申请日：2009-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노현필

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66575

Abstract: PURPOSE: The manufacturing method of the image sensor having gettering sites metallic ions inserted in the formation of the source / drain region within the semiconductor substrate can be effectively sampled with the stress in gettering sites which are adjacently arranged. CONSTITUTION: The manufacturing method of the image sensor having gettering sites the gate electrode(124) is formed on the semiconductor substrate(100). The source / drain region is formed on the semiconductor substrate region of the gate electrode one side. It includes to form the gettering site within the semiconductor substrate adjacent to the source / drain region.

Abstract translation: 目的：具有吸收位置的图像传感器的制造方法可以在相邻布置的吸杂位置中的应力下有效地采样插入半导体衬底内的源极/漏极区域的金属离子。 构成：在半导体衬底（100）上形成具有栅电极（124）的吸杂位置的图像传感器的制造方法。 源极/漏极区域形成在栅电极的一侧的半导体衬底区域上。 它包括在与源/漏区相邻的半导体衬底内形成吸杂位点。

公开(公告)号：KR1020160017686A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020140098251

申请日：2014-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노현필 ,  이동철 ,  이석하 ,  박찬 ,  신승호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는기판, 상기기판내에배치된광전변환소자, 상기기판내에상기광전변환소자와이격된제 1 저장영역, 상기제 1 저장영역상에배치된게이트, 상기게이트를덮는차광막, 및상기게이트와상기차광막사이에개재되고, 상기기판의상부면으로연장되는유전막, 상기기판상에상기차광막을덮는층간절연구조체, 및상기층간절연구조체상에상기광전변환소자과서로중첩되도록위치하는마이크로렌즈를포함하되, 상기게이트의측벽에인접하는상기차광막의측벽은상기유전막의상부면으로부터수직으로연장되는제 1 두께를갖고, 상기차광막의상기제 1 두께는상기게이트상에위치하는상기차광막의제 2 두께보다두껍다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的图像传感器包括：基板; 布置在基板中的光电转换装置; 与基板中的光电转换元件分离的第一存储区域; 布置在第一存储区域上的门; 覆盖门的遮光层; 介电层，介于所述栅极和所述遮光层之间，并从所述基板的上表面延伸; 覆盖基板上的遮光层的层间电介质结构; 以及位于与层间电介质结构上的光电转换装置重叠的微透镜。 与遮光板的侧壁相邻的遮光层的侧壁具有从电介质层的上表面垂直延伸的第一厚度。 遮光层的第一厚度比位于栅极上的遮光层的第二厚度厚。

公开(公告)号：KR100714484B1

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：KR1020050074445

申请日：2005-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노현필

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463

Abstract: 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 비도핑된 절연 물질로 형성된 소자 분리막에 의해 활성 영역이 정의된 반도체 기판, 활성 영역 내에 형성된 광전 변환부 및 전하 검출부, 광전 변환부와 전하 검출부 사이의 활성 영역 상에 형성되어 광전 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부로 전송하는 전하 전송부 및 광전 변환부와 소자 분리막의 경계에 일도전형의 불순물로 형성되어 암전류를 방지하는 전하 이동 방지 영역을 포함한다.
소자 분리막, 전하 이동 방지 영역, 암전류

Abstract translation: 提供了一种图像传感器及其制造方法。 形成在非绝缘材料由掺杂的半导体基板形成的器件隔离膜，形成在所述有源区转换单元和充电检测部，光电转换部分和在光电转换部分中累积的电荷检测部的光电限定的有源区之间的有源区 工作电荷到电荷传输部的边界与所述光电转换部分和器件隔离膜上形成由型杂质转移到电荷检测部件包括用于防止暗电流的电荷转移保护区域。

公开(公告)号：KR101544511B1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：KR1020090034767

申请日：2009-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노현필

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66575

Abstract: 반도체기판내에금속원자들을포집하기위한다수의게터링영역을갖는 CMOS 이미지센서의제조방법을개시한다. 상기기술적과제를달성하기위하여본 발명의실시예에따른이미지센서의제조방법은, 반도체기판에게이트전극을형성한다. 상기게이트전극일측의상기반도체기판부분에소오스/드레인영역을형성한다. 상기소오스/드레인영역에인접한상기반도체기판내에게터링영역(Gettering area)을형성한다. 상기게터링영역은상기소오스/드레인영역으로부터 1Å∼ 3,000Å이격된다. 상기게이트타측의상기반도체기판부분에포토다이오드를형성할수 있다. 상기게터링영역은탄소(C) 원자를이온주입하여형성할수 있다. 상기소오스/드레인영역및 상기게터링영역은동일한이온주입마스크를이용하고, 상호다른불순물을이온주입하여형성할수 있다.

公开(公告)号：KR101425619B1

公开(公告)日：2014-08-04

申请号：KR1020080005079

申请日：2008-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기범 ,  노현필

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645

Abstract: 이미지 센서의 저조도 특성을 향상시킬 수 있는 기판 표면 처리 방법, 이를 이용한 이미지 센서의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서가 제공된다. 기판 표면 처리 방법은 표면 결함이 있는 실리콘 기판을 준비하고, 실리콘 기판의 표면에 표면 처리용 케미칼 용액을 제공하여, 실리콘 기판의 표면을 소모시키면서 실리콘 기판 상에 케미칼 산화막을 형성하여 표면 결함을 제거하는 것을 포함한다.
후면 조사형, 표면 결함, 케미칼 산화막

公开(公告)号：KR1020160012803A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020140095004

申请日：2014-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이석하 ,  노현필

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643

Abstract: 본발명의기술적사상에따른이미지센서는, 입사광에따른신호전하를생성하는포토다이오드가배열된기판, 포토다이오드에서전송된신호전하를일시적으로저장하고포토다이오드의일측면에위치하는전하저장부, 전하저장부에축적된신호전하를전송하기위한트랜스퍼게이트, 및전하저장부를감싸고기판에접촉하는쉴드금속을포함하는것이다.

Abstract translation: 根据本发明的技术思想，图像传感器包括：基板，其中布置有用于根据入射光产生信号电荷的光电二极管; 电荷存储单元，其被配置为临时存储从所述光电二极管发送并位于所述光电二极管的一侧的信号电荷; 传输门，用于传送累积在电荷存储单元中的信号电荷; 以及围绕电荷存储单元并与衬底接触的屏蔽金属。 因此，本发明提供了可靠的图像传感器结构。

公开(公告)号：KR1020150134543A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020140061340

申请日：2014-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최준영 ,  김태곤 ,  노현필 ,  배제식 ,  최삼종

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

Abstract: 반도체소자제조용기판및 반도체소자에서, 상기반도체소자제조용기판은제1 불순물농도의 N형불순물이도핑된하부기판이마련된다. 상기하부기판상에는에피택셜막이구비된다. 또한, 상기하부기판내부에서상기에피택셜막과이격되도록배치되고, 전하를갖는불순물이도핑되고, 상기불순물들은상기제1 불순물농도보다높은제2 불순물농도를갖고, 격자결함들이포함되어있는금속포집영역이포함된다. 상기금속포집영역에서금속오염물들이효과적으로포집될수 있다. 따라서, 상기반도체소자제조용기판의에피택셜막에서의금속오염물이감소될수 있다. 또한, 상기소자제조용기판을이용하여금속오염물에따른영향이거의없는고성능을갖는반도체소자를제조할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种用于制造半导体器件的衬底和半导体器件。 用于制造半导体器件的衬底包括：掺杂有具有第一杂质浓度的N型杂质的下衬底; 形成在下基板上的外延层; 以及金属收集区域，其设置成与下部基板中的外延层间隔开，掺杂有具有电荷的杂质，其中杂质具有比第一杂质浓度更高的杂质浓度的第二杂质，并且包括晶格缺陷。 金属污染物可以有效收集在金属收集区域。 因此，可以减少用于制造半导体器件的衬底的外延层中的金属污染物。 此外，可以通过使用用于制造器件的衬底来制造几乎不受金属污染物影响的具有高性能的半导体器件。

公开(公告)号：KR101503682B1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：KR1020080036375

申请日：2008-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노현필 ,  이덕형 ,  박두철

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643

Abstract: 공유 픽셀형 이미지 센서가 제공된다. 공유 픽셀형 이미지 센서는 반도체 기판 내에 형성된 플로팅 확산 영역, 상기 반도체 기판 내에 일 방향으로 인접하여 형성된 제1 및 제2 광전 변환 영역, 상기 제1 및 제2 광전 변환 영역에 축전된 전하를 상기 플로팅 확산 영역으로 각각 전송하는 두개의 전송 소자, 상기 플로팅 확산 영역의 전하를 출력하는 드라이브 소자, 상기 플로팅 확산 영역 상에 형성된 제1 콘택, 상기 드라이브 소자 상에 형성된 제2 콘택 및 상기 제1 콘택 및 상기 제2 콘택을 연결하여 상기 플로팅 확산 영역과 상기 드라이브 소자를 전기적으로 연결하되, 상기 제1 콘택 및 상기 제2 콘택의 상면보다 낮은 높이에 형성된 국부 배선을 포함한다.
공유 픽셀 이미지 센서, 국부 배선

公开(公告)号：KR101463609B1

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：KR1020080014038

申请日：2008-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김홍기 ,  이덕형 ,  노현필

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 이미지 센서는 센서 어레이 영역과 주변 회로 영역이 정의된 기판, 주변 회로 영역에 형성되고, 제1 다층 배선을 포함하는 제1 절연막 구조체, 및 센서 어레이 영역에 형성되고, 제2 다층 배선을 포함하는 제2 절연막 구조체를 포함하고, 제1 다층 배선의 최상층 배선은 제2 다층 배선의 최상층 배선보다 높고, 제1 절연막 구조체는 등방성 식각 정지막을 포함하고, 제2 절연막 구조체는 등방성 식각 정지막을 포함하지 않는다.
이미지 센서, 등방성 식각 정지막