公开(公告)号：KR1020050089315A

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1020040014653

申请日：2004-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 리밍

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4925 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

Abstract: 다층 채널을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 이 반도체 소자는 반도체 기판 상에 형성되고, 서로 이격된 복수의 채널층; 상기 복수의 채널층의 양측의 상기 반도체 기판 상에 각각 형성되어 상기 채널층들과 연결되며 평평한 상부면을 갖는 한쌍의 소오스/드레인 영역들; 상기 복수의 채널층들 중 최상층에 위치하는 채널층의 상부 및 상기 채널층들 사이를 가로지르는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층들 사이에 개재된 게이트 절연막을 구비한다. 이때 상기 한쌍의 소오스/드레인 영역들은 적어도 한쌍의 차례로 적층된 제 1 에피택시얼층 및 제 2 에피택시얼층을 구비하는 것을 특징으로 한다.