公开(公告)号：KR3006255180000S

公开(公告)日：2011-12-19

申请号：KR3020100044562

申请日：2010-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박민영

公开(公告)号：KR1020110008553A

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：KR1020090065952

申请日：2009-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤홍식 ,  조금석 ,  백인규 ,  심현준 ,  박민영

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/8229 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  Y10S977/935

Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device and a method of forming the same are provided to implement a high integration semiconductor memory device by connecting a nano-tube as a mechanical switch to a memory cell. CONSTITUTION: A second wire(16a) is crossed with a first wire(5). A resistance change part(10) is arranged at an intersecting point of the first wire and the second wire and electrically connects them. The mechanical switch is interposed between the resistance change part and the second wire while including a nano-tube.

Abstract translation: 目的：提供半导体存储器件及其形成方法，通过将作为机械开关的纳米管连接到存储单元来实现高集成半导体存储器件。 构成：第二线（16a）与第一线（5）交叉。 电阻变化部（10）被布置在第一线和第二线的交叉点处并将它们电连接。 机械开关插入在电阻变化部和第二线之间，同时包括纳米管。

公开(公告)号：KR1020100116938A

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：KR1020090035610

申请日：2009-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤홍식 ,  조금석 ,  백인규 ,  심현준 ,  박민영

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77

Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device is provided to drive memory cells at a cross point with a memory block unit by using one word line decoder and one sense amplifier. CONSTITUTION: Memory blocks(BLK0~BLKn) comprise a plurality of word lines, bit lines and memory cells. The memory blocks are respectively connected to a local word line selection unit and a local bit line selection unit(20). The local word line selection units share a word line decoder(30). The local bit line selection units share a sense amplifier(40). The word line decoder decodes the address inputted from the outside.

Abstract translation: 目的：通过使用一个字线解码器和一个读出放大器，提供了一种非易失性存储器件来驱动与存储块单元交叉的存储单元。 构成：存储块（BLK0〜BLKn）包含多个字线，位线和存储单元。 存储块分别连接到本地字线选择单元和本地位线选择单元（20）。 本地字线选择单元共享字线解码器（30）。 本地位线选择单元共享读出放大器（40）。 字线解码器解码从外部输入的地址。

公开(公告)号：KR1020100093364A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：KR1020090012513

申请日：2009-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백인규 ,  조금석 ,  심현준 ,  윤홍식 ,  박민영

IPC: G11C16/04 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  G11C13/0004

Abstract: PURPOSE: A multi-level non-volatile memory device is provided to stably write the multilevel data by offering the multilevel memory cell having the multi resistance level according to applying write bias. CONSTITUTION: A multi-level memory cell comprises a first electrode(110), a second electrode(130) formed on first and second oxide layers and the second oxide layer sequentially formed on the first electrode. The multi-level memory cell is coupled to the word line and the bit line. The multi-level memory cell has the first resistance level and the second resistance level as first and second write biases of same polarity are applied. The multi-level memory cell has third and fourth resistance levels between the first and second resistance levels as the third and fourth write biases are applied.

Abstract translation: 目的：提供多级非易失性存储器件，以通过根据应用写入偏置提供具有多电平电平的多电平存储器单元来稳定地写入多电平数据。 构成：多层存储单元包括第一电极（110），形成在第一和第二氧化物层上的第二电极（130）和顺序地形成在第一电极上的第二氧化物层。 多电平存储单元耦合到字线和位线。 多电平存储单元具有第一电阻电平，第二电阻电平作为相同极性的第一和第二写入偏置。 当施加第三和第四写偏移时，多电平存储单元在第一和第二电阻电平之间具有第三和第四电阻级。

公开(公告)号：KR1020100027388A

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：KR1020080086289

申请日：2008-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이미영 ,  박민영

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76837

Abstract: PURPOSE: The insulation layer of a semiconductor device and a method for forming the semiconductor device using the same are provided to prevent the curing defect of a spin-on-glass(SOG) layer by forming the SOG layer on an insulation layer for supplying oxygen. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is prepared(S10). An insulation layer for supplying oxygen is formed on the semiconductor substrate(S20). An SOG layer is coated on the insulation layer for supplying oxygen(S30). An organic solvent component is removed from the SOG layer(S40). The coated SOG layer is cured(S50). The SOG oxide layer is formed on the insulation layer for supplying oxygen(S60).

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的绝缘层和使用其形成半导体器件的方法，以通过在用于供给氧的绝缘层上形成SOG层来防止旋涂玻璃（SOG）层的固化缺陷 。 构成：准备半导体基板（S10）。 在半导体基板上形成用于供给氧的绝缘层（S20）。 在绝缘层上涂覆SOG层供给氧气（S30）。 从SOG层除去有机溶剂成分（S40）。 涂覆的SOG层被固化（S50）。 在用于供给氧的绝缘层上形成SOG氧化物层（S60）。

公开(公告)号：KR100715437B1

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：KR1020050051341

申请日：2005-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박태상 ,  이종성 ,  문영준 ,  박민영

IPC: H05K1/14

Abstract: 본 발명은, 복수의 전자부품이 실장된 기판본체를 갖는 인쇄회로기판에 관한 것으로서, 상기 기판본체의 표면에 형성되며 외부에 노출된 신호선과; 상기 기판본체와 결합되며 상기 신호선을 커버하는 커버부재를 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 콤팩트한 구조로 신호선의 고밀도화 및 전자파의 차단을 함께 도모할 수 있는 인쇄회로기판이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020060131127A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020050051341

申请日：2005-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박태상 ,  이종성 ,  문영준 ,  박민영

IPC: H05K1/14

CPC classification number: H05K1/147 ,  H05K3/281 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0154

Abstract: A printed circuit board is provided to effectively block an electromagnetic wave by arranging coupling agents at both sides of signal lines separately and consecutively and coupling a cover unit with a substrate body. In a printed circuit board(20) including a substrate body(30), a signal line(31) is formed on a surface of the substrate body(30) to be exposed outside. A cover unit(40) coupled with the substrate body(30) covers the signal line(31). An electronic part is mounted on a surface of the cover unit(40). The signal line(31) transmits a high frequency signal.

Abstract translation: 提供印刷电路板，以通过在信号线的两侧分开并连续地布置耦合剂并将盖单元与基板本体耦合来有效地阻挡电磁波。 在包括基板主体（30）的印刷电路板（20）中，在基板主体（30）的表面上形成信号线（31）以暴露在外部。 与基板主体（30）连接的盖单元（40）覆盖信号线（31）。 电子部件安装在盖单元（40）的表面上。 信号线（31）发送高频信号。

公开(公告)号：KR1019960028109A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940040812

申请日：1994-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민영

IPC: H04N1/32

Abstract: 데이타 단말 장치의 폴링 제어 방법에 관한 것으로, 특히 설정된 시간마다 연속적으로 폴링을 수행하는 데이터 단말 장치의 연속 폴링 예약 및 상기 예약된 폴링을 수행하는 제어 방법을 제공한다. 상기의 폴링 제어 방법은 폴링 기능을 설정하는 메모리에 상대방의 전화번호. 폴링 시작 시간. 폴링 종료 시간. 폴링 인터발 시간등을 등록함으로서 개시된다.
이와 같은 폴링 정보가 등록된 상태에서의 본 발명에 따른 폴링 동작은 하기와 같이된다. 등록된 폴링시작 시간을 검출시 폴링 수신을 실하고, 폴링 시작 시간에 인터발 시간을 가산하여 상기 폴링 시작 시간을 갱신한다. 그리고, 상기 갱신된 폴링 시작 시간과 폴링 종료 시간을 비교하여 상기 갱신된 폴링 시작 시간이 폴링 종료 시간 보다 적을때 폴링을 세트하여 수행하고, 상기 갱신된 폴링 시작 시간이 폴링 종료시간 보다 클때 날짜를 증가함과 동시에 폴링 시작 시간을 본래의 폴링 시작 시간으로 초기화한다.

公开(公告)号：KR1019950002332A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019930011329

申请日：1993-06-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민영

IPC: H04M1/27

Abstract: 전화단말장치에서 다이얼정보 등록시 등록시키고자 하는 다이얼정보에 대한 다이얼번호를 일일이 입력시켜야만 하는 것을 개선한다. 이를 위하여 원-터치 다이얼번호, 단축 다이얼번호중 적어도 하나 이상의 번호에 대응하여 다이얼정보를 등록하기 위한 다이얼정보 데이타베이스를 가지는 메모리수단을 구비하여, 다이얼정보 등록모드로 선택설정된 상태에서 다이얼정보 데이타베이스에서 미등록 영역을 검색하며, 검색결과 미등력 영역이 있을 경우 해당 미등록 영역에 입력되는 다이얼정보를 저장하여 등록한다. 따라서 다이얼정보에 대한 다이얼번호를 일일이 입력하지 않아도 다이얼정보를 미등록 영역에 자동으로 저장하여 등록한다.

公开(公告)号：KR1019940005061A

公开(公告)日：1994-03-16

申请号：KR1019920015390

申请日：1992-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민영

IPC: H04N1/00

Abstract: 팩시밀리 시스템에 있어서 다이얼링시 원고자동송신방법에 관한 것으로, 특히 원고를 피딩시켜 다이얼링한 후 시작키(Start Key)를 누르지 않고 자동으로 원고를 송신하는 팩시밀리 시스템에 관한 것이다.
훅크오프 상태에서 전화번호를 입력하여 다이얼링을 한후 팩스모드 유무를 검출하여 팩스모드일시 원고의 화상 데이타를 전화라인으로 송신 원고송신시 오퍼레이션동작을 간단히 하여 팩시밀리를 편리하게 사용할 수 있다.