公开(公告)号：KR1020110131977A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：KR1020100051734

申请日：2010-06-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태형 ,  손철수 ,  장태성 ,  이상범 ,  양종인 ,  송상엽 ,  이시혁 ,  우종균

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/36 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/36 ,  H01L2924/12041

Abstract: PURPOSE: A light emitting device, a lighting apparatus including the same, and a light emitting device manufacturing method are provided to arrange a first electrode and a reflecting layer for improving total reflectance on the surface of a second semiconductor, thereby improving the efficiency of light generated from an active layer. CONSTITUTION: A light emitting structure(110) comprises a first semiconductor layer(111), an active layer(112), and a second semiconductor layer(113). A first electrode(121) is arranged in a partial region of the second semiconductor layer. A reflecting layer(132) is arranged in a region excluding the partial region in which the first electrode is arranged among the second semiconductor layer. A bond metal layer(141) is arranged in the first electrode and reflecting layer. A protection film(151) is arranged on the bond metal layer in order to cover the light emitting structure.

Abstract translation: 目的：提供一种发光器件，包括该发光器件的发光器件和发光器件制造方法，以设置用于提高第二半导体表面上的全反射率的第一电极和反射层，从而提高光的效率 从活动层生成。 构成：发光结构（110）包括第一半导体层（111），有源层（112）和第二半导体层（113）。 第一电极（121）布置在第二半导体层的部分区域中。 反射层（132）配置在除了在第二半导体层中配置有第一电极的部分区域以外的区域。 键合金属层（141）布置在第一电极和反射层中。 为了覆盖发光结构，在接合金属层上设置有保护膜（151）。

公开(公告)号：KR1020110128078A

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020100047704

申请日：2010-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장태성 ,  우종균 ,  이시혁 ,  김태형 ,  송상엽 ,  양종인

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device which includes an electrode pattern is provided to improve current spreading to a horizontal direction by uniformly maintaining constant resistance with the second conductive layer of a second conductive type electrode. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting device comprises a conductive board, a light emitting structure, and the second conductive type electrode. The light emitting structure is formed on the conductive board and comprises a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer. The second conductive type electrode comprises a pad(151), a finger(152), and an insulation pattern(151b). The pad is formed on the second conductive type semiconductor layer. The finger is extended from the pad. The insulation pattern is located in a part between the pad and the second conductive type semiconductor layer so that the surface in which the pad and the second conductive type semiconductor layer are contacted is reduced.

Abstract translation: 目的：提供包括电极图案的半导体发光器件，以通过与第二导电型电极的第二导电层均匀地保持恒定的电阻来改善向水平方向的电流扩展。 构成：半导体发光器件包括导电板，发光结构和第二导电型电极。 发光结构形成在导电板上，并且包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层。 第二导电型电极包括垫（151），手指（152）和绝缘图案（151b）。 焊盘形成在第二导电类型半导体层上。 手指从垫子延伸。 绝缘图案位于焊盘和第二导电类型半导体层之间的部分中，使得焊盘和第二导电类型半导体层接触的表面减小。

公开(公告)号：KR1020110116453A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：KR1020100035872

申请日：2010-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장태성 ,  류영호 ,  양종인 ,  송상엽 ,  이시혁 ,  김태형 ,  우종균

IPC: H01L33/10

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/145 ,  H01L33/22 ,  H01L33/36 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/12041

Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자 및 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, 도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 형성된 금속 베리어층과, 상기 금속 베리어층 상면 중 일부 영역 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 제2 도전형 전극을 포함하며, 상기 금속 베리어층은 적어도 상기 발광구조물이 형성되지 않은 영역에 대응하는 부분이 Ag 또는 Al을 포함하는 물질로 이루어진 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 금속 배리어층을 광 반사도가 높은 물질로 형성함으로써 발광 효율이 향상될 수 있는 반도체 발광소자를 얻을 수 있으며, 특히, 이러한 반도체 발광소자를 패키지 구조에 적용할 경우, 광 추출 효율이 향상될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110098600A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100085707

申请日：2010-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김제원 ,  장태성 ,  우종균 ,  이종호

IPC: H01L33/08 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L33/08 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/502

Abstract: 본 발명은 반도체 발광장치 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, 기판과, 상기 기판 상에 배열되며, 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층과 그 사이에 형성되되 청색광을 방출하는 활성층을 갖는 복수의 발광 셀과, 상기 발광 셀의 제1 및 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나를 다른 발광 셀의 제1 및 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나와 전기적으로 연결하는 배선 구조 및 상기 복수의 발광 셀이 이루는 발광 영역 중 적어도 일부에 형성되며, 적색의 광 변환 물질을 갖는 적색 광 변환부 및 녹색의 광 변환 물질을 갖는 녹색 광 변환부 중 적어도 하나를 포함하는 광 변환부를 포함하는 반도체 발광장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광장치를 사용할 경우, 단위 면적당 전류 밀도를 개선하여 광 효율을 향상되며, 나아가, 고 연색성의 백색광을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110082936A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：KR1020100002883

申请日：2010-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송상엽 ,  손철수 ,  장태성 ,  이시혁 ,  우종균 ,  김태형 ,  이상범 ,  양종인

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to form a light transmissive dielectric layer in the lower part of a connection electrode, thereby light emitted from an active layer from being blocked by a connection electrode. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(120) is formed on a conductive substrate. An active layer(130) is formed on the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(140) is formed on the active layer. A second conductive electrode(400) is formed on the second conductive semiconductor layer. A light transmissive dielectric layer(200) is formed in the lower part of a connection electrode area.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以在连接电极的下部形成透光电介质层，由有源层发射的光被连接电极阻挡。 构成：在导电基板上形成第一导电半导体层（120）。 在第一导电半导体层上形成有源层（130）。 在有源层上形成第二导电半导体层（140）。 第二导电电极（400）形成在第二导电半导体层上。 在连接电极区域的下部形成透光性电介质层（200）。

公开(公告)号：KR1020100067441A

公开(公告)日：2010-06-21

申请号：KR1020080126013

申请日：2008-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수열 ,  장태성 ,  우종균

IPC: H01L33/36

Abstract: PURPOSE: A vertical structure semiconductor light emitting device including a static protective function is provided to prevent a damage of the light emitting device in a reverse voltage generation due to a static by simultaneously embodying the light emitting device and a schottky diode using one substrate. CONSTITUTION: A lamination structure(10) includes a first conductive semiconductor layer(11), an active layer(12) and a second conductive semiconductor layer(13). A first ohmic contact layer(14a) is formed on the second conductive semiconductor layer upper side of the first area. A second ohmic contact layer(14b) is formed on a part of the second electrical conductive semiconductor layer upper side of the second area. A middle electrode(15) is electrically isolated with the active layer and the second conductive semiconductor layer. A first electrode(16) is formed on the lower-part of the first conductive semiconductor layer. A second electrode(17) is formed on the first ohmic contact layer.

Abstract translation: 目的：提供一种包括静电保护功能的垂直结构半导体发光器件，以通过同时实现发光器件和使用一个衬底的肖特基二极管来防止由于静态而导致的反向电压产生中的发光器件的损坏。 构成：叠层结构（10）包括第一导电半导体层（11），有源层（12）和第二导电半导体层（13）。 第一欧姆接触层（14a）形成在第一区域的第二导电半导体层上侧上。 第二欧姆接触层（14b）形成在第二区域的第二导电半导体层上侧的一部分上。 中间电极（15）与有源层和第二导电半导体层电隔离。 第一电极（16）形成在第一导电半导体层的下部。 在第一欧姆接触层上形成第二电极（17）。