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公开(公告)号：KR1019960012401A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940022005
申请日：1994-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 메모리 테스트와 로직 테스트를 선택적으로 실행할 수 있는 반도체 집적장치에 있어서, 다수의 동작기능을 로직으로 실현한 로직부와, 소정의 집적도를 가지며 데이타를 저장하는 메모리부와, 각각의 테스트에 따른 제어 신호를 입출력하는 패드로 구성된 패드부와, 고직부와 메모리부와 패드부에 각각 접속하는 스위치부와, 스위치부를 제어하여 메모리 테스트 및 로직 테스트를 선택적으로 제어하는 스위치 제어부를 구비함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 메모리를 테스트하기 위한 경로에 메모리 결함과 로직 결함을 구분하여 별도의 로직 테스트가 가능하며, 메모리 신호 경로와 로직 신호 경로 그리고 용도에 따라 선택적으로 사용되는 패드경로를 각각 구비한 후 노멀 모드 및 테스트 모드시 구분 할 수 있도록 제어할 수 있으며, 로직 부분과 메모리 부분을 선택적으로 테스트하여 메모리를 내장한 칩의 품질을 향상시킬 수 있으며, 메모리 제어 및 데이타 입출력에 관한 별도의 핀의 사용없이 패키지 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101541706B1
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：KR1020090004051
申请日：2009-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C5/147 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C2211/4065 , H03K3/011 , H03K3/0315
Abstract: 온도감지발진회로는기준전압생성기, 증폭회로, 및발진기를포함한다. 기준전압생성기는외부전압을입력받아온도에대하여선형적으로변화하는기준전압을생성한다. 증폭회로는기준전압을증폭하여내부전압을생성한다. 발진기는내부전압에기초하여온도에대하여선형적으로변화하는주기를갖는가변발진신호를생성한다. 온도감지발진회로는온도에따른선형성을향상시켜갱신동작시 온도따라데이터유지특성이상이함에따른소모전력을줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070088168A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020060018425
申请日：2006-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/20 , G09G3/3685 , G09G5/18 , G09G5/395 , G09G2310/027 , G09G2360/128 , G09G2360/18
Abstract: An integrated circuit and a method for driving a display device including a memory with a DRAM structure are provided to connect a scan register and data read from an activated cell block by selectively turning on and off a switching element corresponding to the activated cell block. An integrated circuit for driving a display device including a memory with a DRAM structure includes a memory(210), a scan register(230), a source driver(240), and a switching unit(220). The memory having a DRAM(Dynamic Random Access Memory) structure stores data for driving a panel and includes at least one cell blocks. The scan register receives data from the memory, latches the data, and outputs the latched data. The source driver receives the data from the scan register and outputs the data to the panel. The switching unit is selectively turned on and off corresponding to an activated cell block when the data is read from the memory, and controls a connection between data from the activated cell block and the scan register.
Abstract translation: 提供一种用于驱动包括具有DRAM结构的存储器的显示装置的集成电路和方法，用于通过选择性地打开和关闭与激活的单元块相对应的开关元件来连接扫描寄存器和从激活的单元块读取的数据。 用于驱动包括具有DRAM结构的存储器的显示装置的集成电路包括存储器（210），扫描寄存器（230），源极驱动器（240）和开关单元（220）。 具有DRAM（动态随机存取存储器）结构的存储器存储用于驱动面板的数据，并且包括至少一个单元块。 扫描寄存器从存储器接收数据，锁存数据，并输出锁存的数据。 源驱动器从扫描寄存器接收数据并将数据输出到面板。 当从存储器读取数据时，对应于激活的单元块选择性地打开和关闭切换单元，并控制来自激活的单元块和扫描寄存器的数据之间的连接。
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公开(公告)号：KR100675015B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020060018424
申请日：2006-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
Abstract: An embedded memory including and a redundancy repair and scan method are provided to reduce the area of an additional layout by performing a scan function and a column redundancy function in a conventional memory structure. A 0th memory block(201) includes a 0th cell array in order to output 0th cell array data, 0th group cell array data, and 0th group column selection signals. A first memory block(202) includes a first cell array in order to output first cell array data, first group cell array data, and first group column selection signals. An (M-2)th memory block(204) includes an (M-2)th cell array in order to output (M-2)th cell array data, (M-2)th group cell array data, and (M-2)th group column selection signals. An (M-1)th memory block(205) includes an (M-1)th cell array in order to output (M-1)th cell array data, (M-1)th group cell array data, and (M-1)th group column selection signals. A redundancy block(230) includes a redundancy cell array and outputs redundancy cell array data.
Abstract translation: 提供一种包括冗余修复和扫描方法的嵌入式存储器，以通过在常规存储器结构中执行扫描功能和列冗余功能来减小附加布局的面积。 第0存储块（201）包括第0单元阵列以便输出第0单元阵列数据，第0组单元阵列数据和第0组列选择信号。 第一存储块（202）包括第一单元阵列以便输出第一单元阵列数据，第一组单元阵列数据和第一组列选择信号。 第（M-2）存储块（204）包括第（M-2）单元阵列以便输出第（M-2）单元阵列数据，第（M-2）组单元阵列数据和（M -2）组列选择信号。 第（M-1）存储块（205）包括第（M-1）单元阵列以便输出第（M-1）单元阵列数据，第（M-1）组单元阵列数据和（M -1）组列选择信号。 冗余块（230）包括冗余单元阵列并且输出冗余单元阵列数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050008129A
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：KR1020030047975
申请日：2003-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device having twisted bit-lines is provided to form reliable cells by maintaining uniformity of cell patterns. CONSTITUTION: A plurality of transistors are formed in uniform and continuous patterns on a cell array region of a semiconductor memory device. A plurality of storage elements are electrically connected to the transistors in uniform and continuous patterns. Word line couples and bit line couples are perpendicular to each other. The bit line couples crosses each other in an insulating state on a predetermined region in which the transistors and the bit line couples are not electrically connected to each other.
Abstract translation: 目的：提供具有扭曲位线的半导体存储器件，以通过保持单元图案的均匀性来形成可靠的单元。 构成：在半导体存储器件的单元阵列区域上以均匀且连续的图案形成多个晶体管。 多个存储元件以均匀且连续的图案电连接到晶体管。 字线对和位线对彼此垂直。 位线耦合在绝缘状态下在其中晶体管和位线耦合彼此不电连接的预定区域彼此交叉。
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公开(公告)号：KR1020000014072A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980033281
申请日：1998-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이철하
Abstract: PURPOSE: A memory logic complex semiconductor device and test method thereof for wafer burn-in test are provided to intercept power source supplied to a logic block when a wafer burn-in test is perform and to reduce the number of test pad. CONSTITUTION: The semiconductor device comprises a first pad for inputting a wafer burn-in enable signal from a tester, a second pad for inputting a test mode signal from the tester, a plurality of pads for inputting a test control signal or a test data when a function test or a wafer burn-in test is performed, a memory for providing the test control signal to an internal memory input terminals, and a logic circuit having a plurality of multiplexors for multiplexing an inputted signal in normal mode or test mode. The logic circuit transfers the function test control signal and the test data to the memory in response to the test mode signal or transfers a predetermined data inputted from external to the memory in normal mode.
Abstract translation: 目的：提供一种用于晶片老化测试的存储器逻辑复合半导体器件及其测试方法，用于在执行晶片老化测试时截取供应给逻辑块的电源，并减少测试焊盘的数量。 构成：半导体器件包括用于从测试器输入晶片老化使能信号的第一焊盘，用于从测试器输入测试模式信号的第二焊盘，用于输入测试控制信号或测试数据的多个焊盘， 执行功能测试或晶片老化测试，用于将测试控制信号提供给内部存储器输入端的存储器和具有用于在正常模式或测试模式下复用输入信号的多个多路复用器的逻辑电路。 逻辑电路响应于测试模式信号将功能测试控制信号和测试数据传送到存储器，或者以正常模式将从外部输入的预定数据传送到存储器。
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公开(公告)号：KR1019990012403A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019970035777
申请日：1997-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이철하
IPC: G11C11/34
Abstract: 클럭 발생기와 적어도 2개의 지연기들 및 스위치들을 구비하는 클럭 버퍼가 개시되어있다. 클럭 발생기는 외부로부터 입력되는 클럭 신호에 응답하여 액티브될 때의 전압 레벨이 상기 클럭 신호와 상이한 다른 클럭 신호를 발생하고, 지연기들은 상기 클럭 발생기에 전기적으로 연결되고 상기 다른 클럭 신호를 각각 상이한 시간으로 지연시키며, 스위치들은 상기 지연기들의 출력단들에 각각 전기적으로 연결되고 외부로부터 입력되는 제어 신호에 응답하여 상기 지연기들의 출력을 제어한다.
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公开(公告)号：KR1019970051116A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950057153
申请日：1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이철하
IPC: G11C7/00
Abstract: 바이트 제어 리드/라이트 기능을 갖는 반도체 메모리장치가 포함되어 있다. 본 발명은 메모리 셀 데이터를 리드/라이트 할때 바이트 단위의 비트 제어를 하기 위해서, 소정의 바이트 인에이블 제어신호를 발생하는 바이트 제어신호 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 바이트 제어신호 발생수단은 TTL입력신호인 마스터 클락에 동기하여 소정의 바이트 제어신호를 발생시키고, 상기 마스터 클락과 동기되는 바이트 인에이블 정보가 디스에이블되더라도, 소정의 데이터가 지속될 수 있도록 하는 2단 래치수단과, 멀티 칩에 의한 인터리빙(interleaving)수행시 정확한 데이터 온/오프 시간을 결정하기 위한 딜레이 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 종래기술에서
에 의한 내부 데이터 패쓰의 제어가 배제되고 단지 데이터 출력버퍼단과 라이트 드라이버단에 상기 바이트 제어신호 발생수단의 출력인 바이트 인에이블 제어신호가 직접 연결되므로, 제어가 용이하고 제어회로가 간단해지며, 상기 바이트 제어신호 발생수단에 내장된 딜레이단에 방향성을 주어 정확한 온/오프 시간을 얻을 수 있는 것이 장점이다.-
公开(公告)号：KR1019970030675A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042356
申请日：1995-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이철하
IPC: H01L21/82
Abstract: 본 발명은 소정의 셀 어래이와 상기 셀을 엑세스하기 위한 주변회로를 구비한 메모리를 내장한 주문형 반도체 장치에 관한 것으로서, 칩의 소모 전력을 줄이기 위하여, 상기 주문형 반도체에 내장된 메모리 블록과 주문형 반도체의 로직 블록에 전력을 공급하는 전력선이 분리되어 있으며, 칩 내부에 주문형 반도체의 동작 상태에 따라 각 마스터 클럭에 동기하여 대기(standby) 상태와 활성(active) 상태를 구분하여 동작하는 내부전압 발생기를 구비함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 하나의 칩내에서 메모리 블록과 내부 로직 블록에서 사용되는 전력선을 분리하고 각각의 마스터 클럭을 이용하여 내부 전력 발생을 제어함으로써 주문형 반도체 장치의 전력 소모를 효과적으로 줄일 수 있다.
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