반도체 레이저 다이오드
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020060035396A

    公开(公告)日:2006-04-26

    申请号:KR1020040084875

    申请日:2004-10-22

    Inventor: 임대호

    CPC classification number: H01S5/125 H01S5/18361 H01S5/3205

    Abstract: 개시된 레이저 다이오드는: 하부 분산 브래그 반사기; 상기 하부 분산 브래그 반사기 위해 형성되는 공진기; 상기 공진기 상면에 형성되는 것으로 전류주입윈도우를 가지는 절연층; 상기 공진기 상의 전류주입 윈도우 위에 형성되는 콘택트층; 상기 콘택트층 위에 마련되는 상부 분산 브래그 반사기; 그리고, 상기 콘택트층의 측면에 접촉되는 전극층을 구비한다. 구조적으로 안정하며, 특히 열방출 효과가 뛰어나다.
    레이저, 다이오드, 통전영역, 단차

    반도체 기판의 식각방법
    22.
    发明公开
    반도체 기판의 식각방법 失效
    蚀刻半导体衬底的方法

    公开(公告)号:KR1020060034068A

    公开(公告)日:2006-04-21

    申请号:KR1020040083200

    申请日:2004-10-18

    Inventor: 임대호

    CPC classification number: H01L21/3081 H01L21/0332

    Abstract: 반도체 기판의 식각 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 기판 상에 금속성 식각 조절막을 형성하는 단계와, 상기 금속성 식각 조절막 상에 상기 금속성 식각 조절막의 일부가 노출되는 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 금속성 식각 조절막의 노출된 일부와 기판을 식각하여 상기 기판에 소정 형태의 홈을 형성하는 단계를 포함한다.

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