公开(公告)号：KR100590566B1

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020040088167

申请日：2004-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종완 ,  임대호

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/30

Abstract: 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 레이저 다이오드는, 기판; 기판의 상부에 형성되며, 가운데 부분에는 리지(ridge)가 형성된 제1 클래드층; 제1 클래드층의 상면에 형성되는 것으로, 리지의 상면 및 경사면에 위치하는 상부 평탄부 및 경사부와, 리지의 양측에 위치하는 하부 평탄부를 포함하는 활성층; 활성층의 상면에 제1 클래드층의 리지에 대응되는 형상으로 형성되는 제2 클래드층; 및 제2 클래드층의 상부에 형성되는 것으로, 전류통과 영역과 전류통과 영역의 양측에 위치하며 산화물로 이루어지는 전류차단 영역을 포함하는 적어도 하나의 물질층;을 구비한다.

Abstract translation: 激光二极管及其制造方法中公开。 所公开的激光二极管，包括：衬底; 形成在基板的顶部上，脊部（脊）形成的第一包层的中心; 首先在包层的顶部上形成，有源层，包括其位于所述上表面和脊的倾斜面的上部平坦部和倾斜部，位于所述脊部的两侧的下部平坦部; 形成在对应于所述第一包覆层的脊部的形状在有源层的顶部的第二包覆层; 并且，所形成的第二包层上，位于所述电流通过区域，电流通过区域和包含氧化物的形成的电流阻挡区域的至少一个材料层的任一侧;包括：a。

公开(公告)号：KR1020130141290A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020120064588

申请日：2012-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임대호 ,  김주성 ,  김재균 ,  탁영조

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/122 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003

Abstract: Disclosed are a super lattice structure and a semiconductor device having the same. The super lattice structure includes a pair of a lower layer and an upper layer that consists of different materials and laminated pairs consisting of at least two pairs. Two layers in one pair have the same thickness. The total thickness of each laminated pair is different. [Reference numerals] (AA) Growth direction

Abstract translation: 公开了一种超晶格结构和具有该超晶格结构的半导体器件。 超晶格结构包括由不同材料和由至少两对组成的层叠对组成的一对下层和上层。 一对中的两层具有相同的厚度。 每个层叠对的总厚度是不同的。 （标号）（AA）生长方向

公开(公告)号：KR100647292B1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：KR1020040085096

申请日：2004-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임대호

IPC: H04B10/291 ,  H04B10/2525 ,  H04B10/07

Abstract: 본 발명은 시험빔에 의한 분산보상광섬유의 유도 브릴리언 산란을 이용하여 전광 증폭 이득이 고정된 어븀 첨가 광섬유 증폭기에 관한 것이다. 본 발명의 한 유형에 따르면, 제 1 단 광섬유 증폭기와 제 2 단 광섬유 증폭기가 직렬로 연결된 2단형 광섬유 증폭기에 있어서, 상기 제 1 단 광섬유 증폭기는: 입력되는 광신호가 되돌아오는 산란을 막기 위한 제 1 광아이솔레이터; 입력된 광신호를 증폭시켜 출력하는 제 1 증폭매체; 상기 제 1 증폭매체에 밀도반전을 일으키기 위한 제 1 레이저펌프; 상기 제 1 증폭매체에서 출력된 광신호가 되돌아오는 산란을 막기 위한 제 2 광아이솔레이터; 상기 제 1 증폭매체와 제 2 광아이솔레이터 사이에 배치되며, 유도 브릴리언 산란광을 방출하여 상기 제 1 증폭매체에 입력시킴으로써, 상기 제 1 증폭매체를 포화시켜 제 1 증폭매체의 신호출력을 제한하기 위한 제 1 비선형 광물질; 및 상기 제 1 광아이솔레이터와 제 1 증폭매체 사이에 배치되며, 상기 제 1 비선형 광물질의 유도 브릴리언 산란을 발생시키기 위한 시험빔을 제공하는 제 1 시험빔 제공장치;를 포함하고, 상기 제 2 단 광섬유 증폭기는: 상기 제 1 단 광섬유 증폭기로부터 입력된 광신호를 증폭시켜 출력하는 제 2 증폭매체; 상기 제 2 증폭매체에 밀도반전을 일으키기 위한 제 2 레이저펌프; 상기 제 2 증폭매체에서 출력된 광신호가 되돌아오는 산란을 막기 위한 제 3 광아이솔레이터; 상기 제 1 단 광섬유 증폭기와 제 2 증폭매체 사이에 배치되며, 유도 브릴리언 산란광을 방출하여 상기 제 2 증폭매체에 입력시킴으로써, 상기 제 2 증폭매체를 포화시켜 제 2 증 폭매체의 신호출력을 제한하기 위한 제 2 비선형 광물질; 및 상기 제 3 광아이솔레이터와 제 2 증폭매체 사이에 배치되며, 상기 제 2 비선형 광물질의 유도 브릴리언 산란을 발생시키기 위한 시험빔을 제공하는 제 2 시험빔 제공장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100634520B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020040086115

申请日：2004-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종완 ,  임대호

IPC: H01L21/304

Abstract: 연마장치는: 소정의 속도로 회전하는 연마원판과; 상기 연마원판 위에 소정 높이로 위치하는 프레임과; 상기 연마원판에 대응하는 연마대상물 밀착면을 가지며 상기 프레임에 설치되는 연마 대상물 홀더를; 상기 연마원판에 연마재를 공급하는 공급장치를; 구비하며, 상기 홀더의 밀착면의 가장자리에 상기 연마대상물의 두께보다 낮은 높이의 테두리가 마련되어 있다. 따라서, 연마재가 홀더의 하부 둘레에 머물러 있는 시간이 길어 지고 따라서 연마대상에 대한 연마재의 공급이 효과적으로 이루어지고 자연 연마속도가 증대되게 된다.

公开(公告)号：KR100634519B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020040084875

申请日：2004-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임대호

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/30

Abstract: 개시된 레이저 다이오드는: 하부 분산 브래그 반사기; 상기 하부 분산 브래그 반사기 위해 형성되는 공진기; 상기 공진기 상면에 형성되는 것으로 전류주입윈도우를 가지는 절연층; 상기 공진기 상의 전류주입 윈도우 위에 형성되는 콘택트층; 상기 콘택트층 위에 마련되는 상부 분산 브래그 반사기; 그리고, 상기 콘택트층의 측면에 접촉되는 전극층을 구비한다. 구조적으로 안정하며, 특히 열방출 효과가 뛰어나다.
레이저, 다이오드, 통전영역, 단차

Abstract translation: 所公开的激光二极管包括：较低色散布拉格反射器; 为较低色散布拉格反射器形成的谐振器; 形成在谐振器的上表面上并具有电流注入窗口的绝缘层; 形成在谐振器上的电流注入窗口上的接触层; 设置在接触层上的上分散布拉格反射器; 并且接触接触层的侧表面的电极层。 它结构稳定，散热效果极佳。

公开(公告)号：KR1020060041413A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020040090494

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임대호

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/2214 ,  H01L33/145 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3202

Abstract: 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 레이저 다이오드는, 기판; 기판의 상부에 형성되며, 가운데 부분에는 리지(ridge)가 형성된 제 1 클래드층; 제 1 클래드층의 상면에 형성되는 것으로, 리지의 상면 및 경사면에 위치하는 상부 평탄부 및 경사부와, 리지의 양측에 위치하는 하부 평탄부를 포함하는 활성층; 활성층의 상면에 제 1 클래드층의 리지에 대응되는 형상으로 형성되는 제 2 클래드층; 및 상기 제 2 클래드층의 상부 리지의 상부 평탄부에 대응하는 윈도우를 가지는 것으로 산화물질층을 포함하는 전류차단층;을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020060035996A

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：KR1020040085096

申请日：2004-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임대호

IPC: H04B10/291 ,  H04B10/2525 ,  H04B10/07

CPC classification number: H04B10/2912 ,  H04B10/2525

Abstract: 본 발명은 시험빔에 의한 분산보상광섬유의 유도 브릴리언 산란을 이용하여 전광 증폭 이득이 고정된 어븀 첨가 광섬유 증폭기에 관한 것이다. 본 발명의 한 유형에 따르면, 제 1 단 광섬유 증폭기와 제 2 단 광섬유 증폭기가 직렬로 연결된 2단형 광섬유 증폭기에 있어서, 상기 제 1 단 광섬유 증폭기는: 입력되는 광신호가 되돌아오는 산란을 막기 위한 제 1 광아이솔레이터; 입력된 광신호를 증폭시켜 출력하는 제 1 증폭매체; 상기 제 1 증폭매체에 밀도반전을 일으키기 위한 제 1 레이저펌프; 상기 제 1 증폭매체에서 출력된 광신호가 되돌아오는 산란을 막기 위한 제 2 광아이솔레이터; 상기 제 1 증폭매체와 제 2 광아이솔레이터 사이에 배치되며, 유도 브릴리언 산란광을 방출하여 상기 제 1 증폭매체에 입력시킴으로써, 상기 제 1 증폭매체를 포화시켜 제 1 증폭매체의 신호출력을 제한하기 위한 제 1 비선형 광물질; 및 상기 제 1 광아이솔레이터와 제 1 증폭매체 사이에 배치되며, 상기 제 1 비선형 광물질의 유도 브릴리언 산란을 발생시키기 위한 시험빔을 제공하는 제 1 시험빔 제공장치;를 포함하고, 상기 제 2 단 광섬유 증폭기는: 상기 제 1 단 광섬유 증폭기로부터 입력된 광신호를 증폭시켜 출력하는 제 2 증폭매체; 상기 제 2 증폭매체에 밀도반전을 일으키기 위한 제 2 레이저펌프; 상기 제 2 증폭매체에서 출력된 광신호가 되돌아오는 산란을 막기 위한 제 3 광아이솔레이터; 상기 제 1 단 광섬유 증폭기와 제 2 증폭매체 사이에 배치되며, 유도 브릴리언 산란광을 방출하여 상기 제 2 증폭매체에 입력시킴으로써, 상기 제 2 증폭매체를 포화시켜 제 2 증 폭매체의 신호출력을 제한하기 위한 제 2 비선형 광물질; 및 상기 제 3 광아이솔레이터와 제 2 증폭매체 사이에 배치되며, 상기 제 2 비선형 광물질의 유도 브릴리언 산란을 발생시키기 위한 시험빔을 제공하는 제 2 시험빔 제공장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060034934A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020040083979

申请日：2004-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임대호

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/3205 ,  H01L33/145 ,  H01S5/168

Abstract: 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 n형 화합물 반도체층과, 상기 n형 화합물 반도체층 상에 순차적으로 구비된 n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 통전층, 통전 용이층, 캡층과, 상기 n형 화합물 반도체층 밑면에 형성된 n형 전극과, 상기 캡층 상에 형성된 p형 전극을 포함하되, 상기 통전층은 상기 활성층보다 폭이 좁고 그 둘레에 에어 갭이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드와 그 제조 방법을 제공한다.

Abstract translation: 公开了一种半导体激光二极管及其制造方法。 n型化合物半导体层包括n型覆盖层，有源层，p型覆盖层，导电层，易导电层，覆盖层， 和形成在所述底层上，它包括一个n型电极：形成在所述帽层上的p型电极，所述导电层是半导体激光二极管及其制造方法，它其特征在于，所述宽度大于所述有源层的宽度窄是形成于周向的空气间隙 提供。

公开(公告)号：KR100590567B1

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020040090494

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임대호

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/30

Abstract: 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 레이저 다이오드는, 기판; 기판의 상부에 형성되며, 가운데 부분에는 리지(ridge)가 형성된 제 1 클래드층; 제 1 클래드층의 상면에 형성되는 것으로, 리지의 상면 및 경사면에 위치하는 상부 평탄부 및 경사부와, 리지의 양측에 위치하는 하부 평탄부를 포함하는 활성층; 활성층의 상면에 제 1 클래드층의 리지에 대응되는 형상으로 형성되는 제 2 클래드층; 및 상기 제 2 클래드층의 상부 리지의 상부 평탄부에 대응하는 윈도우를 가지는 것으로 산화물질층을 포함하는 전류차단층;을 구비한다.

公开(公告)号：KR100590562B1

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020040086135

申请日：2004-10-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임대호

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/06

Abstract: 본 발명은 다중 양자장벽 클래드층 구조를 지닌 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다. 반도체 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 클래드층, InGaP 활성층 및 상부 클래드층을 포함하는 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 하부 클래드층 및 상부 클래드층은 양자 우물층과 양자 장벽층이 교대로 적층된 다중 양자 장벽 구조를 지니며, 상기 InGaP 활성층으로부터 멀어질 수록 그 두께가 증가하는 다중 양자장벽 클래드층 구조를 지닌 반도체 레이저 다이오드를 제공한다.