유기 광전 소자 및 이미지 센서
    26.
    发明公开
    유기 광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
    有机光电器件和图像传感器

    公开(公告)号:KR1020170024805A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:KR1020150120302

    申请日:2015-08-26

    Abstract: 서로마주하는애노드와캐소드, 상기애노드와상기캐소드사이에위치하는흡광층, 그리고상기캐소드와상기흡광층사이에위치하는제1 보조층을포함하고, 상기제1 보조층은 3.0 내지 4.5eV의에너지밴드갭을가지고, 상기캐소드의일함수와상기제1 보조층의 HOMO 에너지준위의차이는 1.5eV 내지 2.0eV 인유기광전소자및 이를포함하는이미지센서에관한것이다.

    Abstract translation: 有机光电子器件包括阳极(10)和彼此面对的阴极(20),阳极和阴极之间的光吸收层(30)和阴极和发光体之间的第一辅助层(40) 吸收层,第一辅助层具有约3.0eV至约4.5eV的能带隙,并且第一辅助层的阴极功函数和最高占据分子轨道(HOMO)能级之间的差为约1.5eV 至约2.0eV。

    이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
    27.
    发明公开
    이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 审中-实审
    图像传感器和电子设备,包括它们

    公开(公告)号:KR1020170022773A

    公开(公告)日:2017-03-02

    申请号:KR1020150118209

    申请日:2015-08-21

    Abstract: 제1 가시광을선택적으로감지또는흡수하는제1 광검출소자, 상기제1 가시광보다장파장영역인제2 가시광을선택적으로감지또는흡수하는제2 광검출소자, 그리고상기제1 광검출소자와상기제2 광검출소자의상부에위치하고상기제1 가시광과상기제2 가시광사이의파장영역인제3 가시광을선택적으로감지또는흡수하는제3 광검출소자를포함하고, 상기제1 광검출소자의최대투과파장또는최대흡수파장은 440nm 미만이고상기제2 광검출소자의최대투과파장또는최대흡수파장은 630nm 초과인이미지센서및 이를포함하는전자장치에관한것이다.

    Abstract translation: 图像传感器包括被配置为选择性地感测或吸收第一可见光的第一光检测装置,被配置为选择性地感测或吸收具有比第一可见光更长的波长区域的第二可见光的第二光检测装置,以及第三光检测装置 在第一光检测装置和第二光检测装置上。 第一光检测装置具有小于约440nm的最大透射波长和最大吸收波长中的一个,第二光检测装置具有大于约630nm的最大透射波长和最大吸收波长中的一个,并且第三光 检测装置被配置为选择性地感测或吸收具有在第一可见光和第二可见光之间的波长区域的第三可见光。

    광전 소자 및 이미지 센서
    29.
    发明公开
    광전 소자 및 이미지 센서 审中-实审
    光电器件和图像传感器

    公开(公告)号:KR1020140106768A

    公开(公告)日:2014-09-04

    申请号:KR1020130019422

    申请日:2013-02-22

    Abstract: The present invention relates to a photoelectric device which comprises: a transmissible metal electrode comprising a first metal; a diffusion preventing layer located on one side of the transmissible metal electrode comprising a second metal which has a lower thermal diffusivity than the first metal; an active layer located on one side of the diffusion preventing layer; and an opposite electrode located on one side of the active layer, and to an image sensor comprising the photoelectric device.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光电器件,它包括:一个包含第一金属的透射金属电极; 位于所述透射金属电极的一侧上的扩散防止层,包括具有比所述第一金属低的热扩散率的第二金属; 位于扩散防止层一侧的有源层; 以及位于有源层的一侧上的相对电极以及包括该光电装置的图像传感器。

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