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    고분자 혼합물, 이를 이용한 유기 발광 소자 및 그 발광층의 전하 이동도 조절 방법
    21.
    发明公开
    고분자 혼합물, 이를 이용한 유기 발광 소자 및 그 발광층의 전하 이동도 조절 방법 审中-实审
    聚合物混合物，使用其的有机发光二极管和控制其发射层的充电动力的方法

    公开(公告)号：KR1020130112601A

    公开(公告)日：2013-10-14

    申请号：KR1020120035109

    申请日：2012-04-04

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 주원제 ,  박연정 ,  정용식

    IPC: C08L65/00 ,  C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  H05B33/10

    CPC classification number: C08L65/00 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3245 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/95 ,  C08L2205/02 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1475 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5012 ,  H01L2251/308 ,  H05B33/14

    Abstract: PURPOSE: A polymer mixture controls hole mobility and electron mobility and improves the efficiency and lifetime of a light emitting diode. CONSTITUTION: A polymer mixture includes a first polymer having a unit represented by chemical formula 1 and a second polymer having a unit represented by chemical formula 2. An organic light-emitting diode (100) includes a first electrode (12); a second electrode facing the first electrode; and an organic layer inserted between the first electrode and the second electrode. The organic layer includes a light emitting layer (16) which includes the polymer mixture. A method for controlling the charge mobility of the light emitting layer of an organic light-emitting diode includes a step of controlling the composition ratio of the first polymer and the second polymer of the organic light-emitting diode.

    Abstract translation: 目的：聚合物混合物控制空穴迁移率和电子迁移率，并提高发光二极管的效率和寿命。 构成：聚合物混合物包括具有由化学式1表示的单元的第一聚合物和具有由化学式2表示的单元的第二聚合物。有机发光二极管（100）包括第一电极（12）; 面对所述第一电极的第二电极; 以及插入在第一电极和第二电极之间的有机层。 有机层包括包含聚合物混合物的发光层（16）。 用于控制有机发光二极管的发光层的电荷迁移率的方法包括控制有机发光二极管的第一聚合物和第二聚合物的组成比的步骤。

    고분자 및 상기 고분자를 포함한 유기 발광 소자
    22.
    发明公开
    고분자 및 상기 고분자를 포함한 유기 발광 소자 审中-实审
    聚合物和有机发光二极管包括它

    公开(公告)号：KR1020130065318A

    公开(公告)日：2013-06-19

    申请号：KR1020110132128

    申请日：2011-12-09

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 양혜연 ,  강호석 ,  손준모 ,  정용식 ,  김미정 ,  김태곤 ,  주원제 ,  최현호 ,  홍석환

    IPC: C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  C09K11/06 ,  H05B33/10

    CPC classification number: C08G73/06 ,  C08G73/0672 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5016

    Abstract: PURPOSE: A polymer is provided to have a wide energy band gap and high triplet energy level, and to transfer both holes and electrons. CONSTITUTION: A polymer comprises a repeating unit represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, X1 is a single bond, -[C(R20)(R21)]a-, -Si(R22)(R23)-, -S-, or -O-; a is an integer from 1-5; each of R1-R14 is hydrogen, deuterium, halogen, hydroxy, cyano, nitro, amino, amidino, hydrazine, hydrazone, carboxy group or salts thereof, phosphorous or salts thereof, substituted or unsubstituted C1-60 alkyl, substituted or unsubstituted C2-60 alkenyl, substituted or unsubstituted C2-60 alkynyl, substituted or unsubstituted C1-60 alkoxy, substituted or unsubstituted C3-60 cycloalkyl, substituted or unsubstituted C3-60 cycloalkenyl, substituted or unsubstituted C5-60 aryl, substituted or unsubstituted C5-60 aryloxy, substituted or unsubstituted C5-60 arylthio, substituted or unsubstituted C2-60 heteroaryl, -N(Q1)(Q2), or -Si(Q3)(Q4)(Q5).

    Abstract translation: 目的：提供聚合物以具有宽能带隙和高三重态能级，并且传输空穴和电子。 化学式1中，X 1为单键， - [C（R 20）（R 21）] a - ， - Si（R 22）（R 23） - ，-S - 或-O- a是1-5的整数; 卤素，羟基，氰基，硝基，氨基，脒基，肼，腙，羧基或其盐，它们的磷或其盐，取代或未取代的C1-60烷基，取代或未取代的C2- 60个烯基，取代或未取代的C 2-60炔基，取代或未取代的C 1-6烷氧基，取代或未取代的C 3-60环烷基，取代或未取代的C 3-60环烯基，取代或未取代的C 5-60芳基，取代或未取代的C 5-60芳氧基 取代或未取代的C 5-60芳硫基，取代或未取代的C2-60杂芳基，-N（Q1）（Q2）或-Si（Q3）（Q4）（Q5）。

    3중 보호막 구조를 갖는 반도체 장치
    23.
    发明公开
    3중 보호막 구조를 갖는 반도체 장치 无效
    具有三重保护膜结构的半导体器件

    公开(公告)号：KR1019970018709A

    公开(公告)日：1997-04-30

    申请号：KR1019950033251

    申请日：1995-09-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정용식 ,  이해문

    IPC: H01L29/78

    Abstract: 본 발명은 반도체장치에 있어서 특히 반도체장치의 보호막구조에 관한 것으로, 소정의 반도체 기판과, 상기 기판상에 형성된 MOS트랜지스터를 구비하는 반도체 장치에 있어서, 상기 반도체 장치의 보호막이 제1 실리콘질화막과 PSG막과 제2 실리콘질화막을 순차적으로 적층하여 보호막을 형성함으로써, 낮은 스트레스와 충분한 수분 저항력을 가짐과 동시에 수소가 기판내로 유입되는 현상을 방지하여 최적의 반도체 특성을 확보할 수 있으며 금속의 부식을 막을 수 있는 부대효과에 함께, 보호막의 스텝 커버리지(step coverage)를 향상시킬 수 있는 복합보호막을 제공한다.

    반도체 장치의 소자분리 구조체 형성방법
    29.
    发明公开
    반도체 장치의 소자분리 구조체 형성방법 有权
    形成半导体器件的器件隔离结构的方法

    公开(公告)号：KR1020100088960A

    公开(公告)日：2010-08-11

    申请号：KR1020090008123

    申请日：2009-02-02

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정용식 ,  한정욱 ,  박원호 ,  심병섭

    IPC: H01L21/76

    CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76

    Abstract: PURPOSE: A method for forming an element isolation structure of a semiconductor device is provided to differentiate the depths of trenches by performing a patterning process twice. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(21) is divided into a region I, a region II, and a region III. A pad oxide film(31) and a mask nitride film(32) are successively formed on the semiconductor substrate. A first photo-resist pattern(41) is formed on the mask nitride film. A hard mask pattern(33) is formed by partially eliminating the mask nitride film and the pad oxide film. The first photo-resist pattern and the hard mask pattern have openings(41A, 41B).

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的元件隔离结构的方法，以通过执行图案化工艺两次来区分沟槽的深度。 构成：将半导体衬底（21）分为区域I，区域II和区域III。 衬底氧化膜（31）和掩模氮化物膜（32）依次形成在半导体衬底上。 在掩模氮化物膜上形成第一光刻胶图案（41）。 通过部分地去除掩模氮化物膜和衬垫氧化物膜来形成硬掩模图案（33）。 第一光刻胶图案和硬掩模图案具有开口（41A，41B）。

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