公开(公告)号：KR100634169B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020040016253

申请日：2004-03-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상원 ,  최정운

IPC: G11C7/06

Abstract: 본 발명은 가변형 기준레벨 발생 기능을 가진 센스 앰프 및 그것의 기준레벨 발생 방법에 관한 것으로, 상기 센스 앰프는 반도체 메모리 장치의 전원전압의 변화에 무관하게 데이터 인식에 필요한 온 셀 마진 및 오프 셀 마진을 충분히 확보할 수 있도록 상기 전원전압의 변화에 따라 기준 셀 전류를 가변시켜 준다. 그 결과, 전압 마진의 부족으로 인한 독출 오류가 미연에 방지된다.
센스앰프, 기준레벨, 기준전류

公开(公告)号：KR1020050090911A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：KR1020040016253

申请日：2004-03-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상원 ,  최정운

IPC: G11C7/06

Abstract: 본 발명은 가변형 기준레벨 발생 기능을 가진 센스 앰프 및 그것의 기준레벨 발생 방법에 관한 것으로, 상기 센스 앰프는 반도체 메모리 장치의 전원전압의 변화에 무관하게 데이터 인식에 필요한 온 셀 마진 및 오프 셀 마진을 충분히 확보할 수 있도록 상기 전원전압의 변화에 따라 기준 셀 전류를 가변시켜 준다. 그 결과, 전압 마진의 부족으로 인한 독출 오류가 미연에 방지된다.

公开(公告)号：KR1020020068598A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：KR1020010008693

申请日：2001-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최정운

IPC: G05F3/02

Abstract: PURPOSE: A power generator is provided to output stable voltage though a voltage level provided from the outside though voltage level is higher than a predetermined voltage level. CONSTITUTION: A voltage divider(10) divides an external voltage(VEXT) applied from an outside and outputs the divided voltage. A voltage detector(30) outputs a detection signal(DET) when the external voltage(VEXT) is higher than a predetermined voltage. A power selector(20) outputs selectively the external voltage(VEXT) or the divided voltage outputted from the voltage divider(10). The voltage detector(30) is formed with resistances(R1,R2), resistances(R3,R4), a differential amplifier, a diode(37), and inverters(38,39). The resistances(R1,R2) is used for dividing external voltage(VEXT). The resistances(R3,R4) are used for dividing a supply voltage(VCC). The differential amplifier is formed with the PMOS transistors(31,32) and NMOS transistors(33-36).

Abstract translation: 目的：提供发电机，通过从外部提供的电压电平输出稳定的电压，尽管电压电平高于预定的电压电平。 构成：分压器（10）将从外部施加的外部电压（VEXT）除以输出分压。 当外部电压（VEXT）高于预定电压时，电压检测器（30）输出检测信号（DET）。 功率选择器（20）选择性地输出外部电压（VEXT）或从分压器（10）输出的分压。 电压检测器（30）形成有电阻（R1，R2），电阻（R3，R4），差分放大器，二极管（37）和反相器（38,39）。 电阻（R1，R2）用于分压外部电压（VEXT）。 电阻（R3，R4）用于分压电源电压（VCC）。 差分放大器由PMOS晶体管（31,32）和NMOS晶体管（33-36）形成。

公开(公告)号：KR1019990086743A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980019869

申请日：1998-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기원 ,  한의규 ,  최정운

IPC: G11C29/00

Abstract: 여기게 개시된 반도체 메모리 장치는 리던던시 디코더 인에이블 회로 및 리던던시 디코더 회로를 구비한다. 상기 리던던시 활성화 회로는, 제 1 퓨즈를 가지며, 전원 전압을 분압한 제 1 레벨의 제 1 분압을 발생하는 제 1 분압 회로, 제 2 퓨즈를 가지며, 상기 전원 전압을 분압한 상기 전원 전압과 상기 제 2 레벨 사이의 제 3 레벨을 가지는 제 2 분압을 발생하는 제 2 분압 회로, 그리고 상기 제 1 및 제 2 분압들을 비교한 비교 신호를 발생하는 비교 회로를 포함한다.