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公开(公告)号：WO2017057928A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/KR2016/010922
申请日：2016-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 응축수가 흡입되는 흡입구조 및 응축수가 배출되는 배출구조를 개선하여 제습기가 전도되거나 제습기를 이동시키는 과정에서 응축수가 물통 외부로 흐르는 것을 방지할 수 있는 제습기를 제공한다. 제습기는 흡입구를 갖는 본체, 상기 본체 내부에 마련되며, 공기 중의 습기를 제거하는 열교환기, 상기 열교환기에서 발생된 응축수를 집수하는 집수장치를 포함하며, 상기 집수장치는, 응축수가 집수되는 보조물통, 응축수를 상기 보조물통으로 가이드하는 하우징, 절곡부를 갖도록 마련되어 상기 보조물통과 상기 하우징을 연결하는 연결호스, 응축수를 배수하도록 상기 본체의 상부에 착탈 가능하게 마련되는 상부물통 및 상기 보조물통에 집수된 응축수를 상기 상부물통으로 펌핑하는 펌프를 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种除湿机，其特征在于，在所述除湿器翻转时或者除湿器移动时，能够防止冷凝液流向水箱外部，因为提高了用于抽出冷凝的吸引结构和排出冷凝物的排出结构。 除湿器包括：具有吸入口的主体; 设置在主体内部并去除空气中的水分的热交换器; 以及用于收集在所述热交换器中产生的冷凝水的收集装置，其中所述收水装置包括：收集冷凝物的辅助水容器; 用于将冷凝物引导到辅助水容器的壳体; 连接软管，设置成具有弯曲部分，以便连接辅助水容器和壳体; 可拆卸地设置在主体的上部以便排出冷凝物的上部水容器; 以及用于向上部水容器泵送收集在辅助水容器中的冷凝物的泵。
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公开(公告)号：WO2017057898A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/KR2016/010850
申请日：2016-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 보스의 강성 강화로 제품 신뢰성이 향상된 압축기 고정 구조를 가지는 공기조화기를 개시한다. 공기조화기는 냉매를 압축하는 압축기, 압축기를 지지하는 베이스, 베이스에 결합되어 압축기를 지지하는 압축기 지지부, 베이스로부터 돌출되는 적어도 하나의 보스, 압축기 지지부와 보스 사이에 배치되어 압축기에서 발생된 진동을 흡수하는 흡진부재 및 체결부재를 포함하고, 체결부재는 보스 및 흡진부재에 삽입되고, 체결부재의 적어도 일부분이 베이스의 하단면 아래로 돌출될 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种具有压缩机固定结构的空调，其由于凸台的硬度增强而具有提高的产品可靠性。 空调机包括：用于压缩制冷剂的压缩机; 用于支撑压缩机的基座; 耦合到所述基座以支撑所述压缩机的压缩机支架; 至少一个从基座突出的凸台; 用于吸收由压缩机产生的振动的振动吸收构件; 以及紧固构件，其中所述紧固构件插入所述凸台和所述振动吸收构件中，并且所述紧固构件的至少一部分可以突出到所述底座的底表面的下方。
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公开(公告)号：WO2017052219A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/KR2016/010570
申请日：2016-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 제습기는 본체와, 본체의 상측에 장착되는 물통을 포함하며, 본체는 그 상측에 마련되어 물통이 안착되는 안착부와, 안착부로부터 상측으로 돌출된 중공의 연결포트를 포함하며, 물통은 연결포트가 삽입되는 연결구와, 물통이 본체에 장착됨에 따라 연결구를 개방하는 밸브를 포함하여, 물통이 본체에서 분리된 상태에서 연결구를 통해 물통 내부의 응축수가 누설되는 것을 방지할 수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面的除湿器包括：主体; 以及安装在所述主体的上侧的水容器，其中，所述主体包括设置在其上侧的座部件和从所述座部件向上突出的中空连接端口，所述水容器稳定地放置在所述座椅部件上，以及 水容器包括连接孔插入其中的连接孔和当水容器安装在主体上时打开连接孔的阀。 因此，在水容器与其主体分离的状态下，除湿器可以防止水容器中的冷凝水从连接孔泄漏。
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公开(公告)号：KR100714485B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050077385
申请日：2005-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/12
CPC classification number: G11C16/102
Abstract: 비휘발성 반도체 메모리 장치가 제공된다. 비휘발성 반도체 메모리 장치는 워드선, 워드선과 교차하는 복수의 비트선 및 그 교차 위치에 배치되고, 드레인이 비트선에, 게이트가 워드선에 각각 접속된 복수의 셀 트랜지스터와, 복수의 셀 트랜지스터의 소스에 접속된 소스선을 갖는 셀 어레이, 셀 어레이에 입력되는 프로그램 선택 셀 트랜지스터 수에 응답하여 변조된 프로그램 전압을 셀 어레이의 소스선에 제공하는 프로그램 전압 변조부를 포함한다.
비휘발성, 플로팅 게이트, 소스선Abstract translation: 提供了一种非易失性半导体存储器件。 本发明提供一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：与字线和字线交叉的多个位线;以及漏极与位线连接，栅极与字线连接的多个单元晶体管， 以及编程电压调制部分，用于将响应于输入到单元阵列的编程选择单元晶体管的数量而调制的编程电压提供给单元阵列的源极线。
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公开(公告)号：KR1020060112357A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050034667
申请日：2005-04-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , G11C5/14 , G11C7/06 , G11C17/16 , G11C29/787
Abstract: An e-fuse circuit using a leakage current path of a transistor is provided to perform a fusing program, using a leakage current formed by breaking down the transistor by applying a high voltage, thereby assuring repeatability and reliability. A program circuit(101) includes a program transistor programmed by forming a leakage current path by a program voltage. A switch circuit(102) is connected between the program circuit and a ground node, and connects the leakage current path and the ground node in response to the program voltage. A current supply circuit(103) is connected to the program circuit, and supplies a current to the leakage current path after the program transistor is programmed. A sense amplifier circuit(104) is connected to a program node connected to the current supply circuit and the leakage current path and then senses and outputs the program result.
Abstract translation: 提供使用晶体管的漏电流路径的电熔丝电路，以使用通过施加高电压来分解晶体管而形成的漏电流来执行熔断程序，从而确保重复性和可靠性。 编程电路（101）包括通过用编程电压形成漏电流路径来编程的程序晶体管。 开关电路（102）连接在编程电路和接地节点之间，并根据编程电压连接漏电流路径和接地节点。 电流供给电路（103）连接到编程电路，并且在编程晶体管被编程之后将电流提供给漏电流路径。 感测放大器电路（104）连接到连接到电流供应电路和泄漏电流路径的节目节点，然后感测并输出节目结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100826500B1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：KR1020060102805
申请日：2006-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/28
Abstract: 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 상기 비휘발성 반도체 메모리 장치의 데이터 복구 방법이 개시된다. 상기 데이터 복구 방법은 상기 비휘발성 반도체 메모리 장치가 기준전류를 조절하는 단계, 조절된 기준전류에 기초하여 적어도 하나의 메모리 셀의 데이터를 리드하는 단계, 리드된 데이터를 버퍼메모리에 저장하는 단계, 및 상기 버퍼메모리에 저장된 데이터를 상기 적어도 하나의 메모리 셀에 기입하는 단계를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020170038310A
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150137524
申请日：2015-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 보스의강성강화로제품신뢰성이향상된압축기고정구조를가지는공기조화기를개시한다. 공기조화기는냉매를압축하는압축기, 압축기를지지하는베이스, 베이스에결합되어압축기를지지하는압축기지지부, 베이스로부터돌출되는적어도하나의보스, 압축기지지부와보스사이에배치되어압축기에서발생된진동을흡수하는흡진부재및 체결부재를포함하고, 체결부재는보스및 흡진부재에삽입되고, 체결부재의적어도일부분이베이스의하단면아래로돌출될수 있다.
Abstract translation: 它公开了具有凸起的刚性增强的改进产品的可靠性压缩机固定结构的空调机。 空调压缩机用于压缩制冷剂，被耦合到所述底座，用于支撑压缩机被布置在所述至少一个凸台之间的基座，所述压缩机支撑部分和从压缩机支撑部伸出的凸台，用于支撑压缩机的底座吸收在压缩机产生的振动 包括除尘部件和紧固部件，和可在凸台和吸尘构件被插入紧固构件，所述紧固bujaeui至少一部分突出下方的基底的底表面。
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公开(公告)号：KR1020080036332A
公开(公告)日：2008-04-28
申请号：KR1020060102805
申请日：2006-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A nonvolatile semiconductor memory device and a data recovery method of the nonvolatile semiconductor memory device are provided to recover data with error generated by the degradation of data retention capability of a memory cell at a specific condition like lapse of time or high temperature. A nonvolatile semiconductor memory device comprises a memory cell array(110), a buffer memory(150), an interface/controller(160), a reference current generation part(120), a sense amplifier(130) and a data controller(140). The buffer memory stores data read out from the memory cell array temporarily. The interface/controller controls to read, program, erase or recover data in the memory cell array. The reference current generation part generates a controllable reference current in response to a memory recovery signal outputted from the interface/controller. The sense amplifier reads data of at least one memory cell included in the memory cell array on the basis of the reference current outputted from the reference current generation part. The data controller receives the read data outputted from the sense amplifier, and outputs the received data to the interface/controller or the buffer memory selectively.
Abstract translation: 提供非易失性半导体存储器件和非易失性半导体存储器件的数据恢复方法，以在诸如时间或高温的特定条件下由存储器单元的数据保持能力的劣化产生的误差恢复数据。 非易失性半导体存储器件包括存储单元阵列（110），缓冲存储器（150），接口/控制器（160），参考电流产生部分（120），读出放大器（130）和数据控制器 ）。 缓冲存储器暂时存储从存储单元阵列读出的数据。 接口/控制器控制读取，编程，擦除或恢复存储单元阵列中的数据。 参考电流产生部分响应于从接口/控制器输出的存储器恢复信号产生可控参考电流。 读出放大器基于从基准电流产生部分输出的基准电流来读取包含在存储单元阵列中的至少一个存储单元的数据。 数据控制器接收从读出放大器输出的读取数据，并选择性地将接收到的数据输出到接口/控制器或缓冲存储器。
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公开(公告)号：KR1020070024750A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：KR1020050077385
申请日：2005-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/12
CPC classification number: G11C16/102 , G11C5/063 , G11C16/12 , G11C16/30
Abstract: A nonvolatile semiconductor memory device is provided to improve a program operation by applying a higher program voltage as the number of program selection cell transistors connected to a selected source line increases and applying lower program voltage as the number of program non-selection cell transistors connected to selected source line increases. A cell array has a word line, a plurality of bit lines crossing the word line, a plurality of cell transistors arranged on the crossing point, and a source line connected to a source of the cell transistors. The cell transistor has a drain connected to the bit line and a gate connected to the word line. A program voltage modulation part(500) supplies a modulated program voltage to the source line of the cell array in response to the number of program selection cell transistors inputted to the cell array.
Abstract translation: 提供了一种非易失性半导体存储器件，用于随着连接到所选择的源极线的编程选择单元晶体管的数目增加而应用较高的编程电压来提高编程操作，并将较低的编程电压作为连接到的编程非选择单元晶体管的数量 所选源线增加。 单元阵列具有字线，与字线交叉的多个位线，布置在交叉点上的多个单元晶体管和连接到单元晶体管的源极的源极线。 单元晶体管具有连接到位线的漏极和连接到字线的栅极。 程序电压调制部分（500）响应于输入到单元阵列的编程选择单元晶体管的数量，将调制的编程电压提供给单元阵列的源极线。
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公开(公告)号：KR100673002B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050034667
申请日：2005-04-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발은 트랜지스터의 절연파괴 전후의 누설 전류 차에 따라 데이터를 저장하는 이-퓨즈 회로를 제공한다. 상기 이-퓨즈 회로는 프로그램 전압에 의해 누설전류 패스를 형성함으로써 프로그램되는 프로그램 트랜지스터를 포함하는 프로그램 회로; 프로그램 전압에 응답하여 누설전류 패스와 접지 노드를 연결하는 스위치 회로; 프로그램 트랜지스터가 프로그램된 후에 누설전류 패스로 소정의 전류를 공급하는 전류 공급 회로; 그리고 프로그램 노드에 연결되어 상기 프로그램 결과를 감지하여 출력하는 감지/증폭회로를 포함한다.
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