公开(公告)号：KR1019980040796A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960060033

申请日：1996-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체 장치의 금속층 부식방지를 위한 패드형성 방법이 개시된다. 개시된 방법은 금속층 및 캡층을 증착하는 공정과, 상기 캡층의 일부를 식각하여 단차를 형성하는 공정과, 상기 금속층과 상기 캡층을 식각하여 메탈패턴을 형성하는 공정과, 패시베이션층을 침적하는 공정과, 상기 패시베이션층의 일부를 식각하는 공정을 순차로 진행하여 패드를 형성함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980015538A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034907

申请日：1996-08-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  김정래 ,  이재훈

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 기판상에 반도체 메모리 장치의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 금속플로우 과정시 발생되는 보이드 및 미충진을 방지하기 위하여, 반도체 기판상에 형성된 제 1막상에 제 1포토레지스트를 형성하고 선택적 에칭하여 패턴을 형성하고, 상기 제 1포토레지스트를 마스크로 등방성 습식식각으로 준콘택홀을 형성하는 제 1과정과, 상기 제 1포토레지스트를 제거하고, 상기 준콘택홀 상의 양측 중 적어도 어느 한측에 연장되도록 제 2포토레지스트를 형성하고, 그 제 2포토레지스트를 마스크로 이방성 건식식각으로 비대칭적인 콘택홀을 형성하여 효과적이며 신뢰성있는 금속 플로우공정을 진행할 수 있다.