公开(公告)号：KR1020040091414A

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：KR1020030025238

申请日：2003-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  선지현 ,  구태현

IPC: H04Q9/00

CPC classification number: H04B1/202

Abstract: PURPOSE: A wireless remote control device for supplying a navigation function and a navigation function supplying method for the wireless remote control device are provided to supply a navigation function for easily using various functions of a product in a mixed-type remote controller consisting of an LCD and buttons, and to realize a function of additionally inputting functions of each product. CONSTITUTION: A wireless transceiver(350) receives a remote control signal, and wirelessly transceives with a controlled apparatus according to the received signal. A display(320) supplies apparatus information on the controlled apparatus. A storage(330) stores remote control key code information on the controlled apparatus with the apparatus information. At least more than two functional keys selectively operate in the first mode at which the remote control key code information is delivered and in the second mode at which the apparatus information desired by a user is selected. A mode conversion switch selects the first and second modes. An apparatus information selection key selects the selected apparatus information. A controller(310) delivers the remote control key code information, and supplies the apparatus information to the display(320).

Abstract translation: 目的：提供一种用于提供导航功能的无线遥控设备和用于无线遥控设备的导航功能提供方法，以提供一种导航功能，用于在由LCD组成的混合型遥控器中轻松使用产品的各种功能 和按钮，并且实现附加地输入每个产品的功能的功能。 构成：无线收发器（350）接收远程控制信号，并根据接收到的信号与受控设备进行无线收发。 显示器（320）提供关于受控设备的设备信息。 存储器（330）使用设备信息将遥控密钥代码信息存储在受控设备上。 至少两个以上的功能键选择性地在传送遥控键码信息的第一模式和在用户所期望的装置信息被选择的第二模式中操作。 模式转换开关选择第一和第二模式。 设备信息选择键选择所选择的设备信息。 控制器（310）传送遥控键码信息，并将设备信息提供给显示器（320）。

公开(公告)号：KR1020010075946A

公开(公告)日：2001-08-11

申请号：KR1020000002901

申请日：2000-01-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  송준의

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76224

Abstract: PURPOSE: A borderless contact structure and a method for forming the structure are provided to increase the integrity of SRAMs and to improve standby current characteristic of the SRAM. CONSTITUTION: The borderless contact structure includes a device isolation layer(61), an impurity region(72), an etching stop spacer(96), an etching stop layer(73) and interlayer isolation layer(75) and a contact hole(77a). The device isolation layer is formed on the predetermined region of the semiconductor substrate(51) and includes a protrusion higher than the surface of the semiconductor substrate. The impurity region is formed on an active region between device isolation layers. The etching stop spacer is formed on a sidewall of the protrusion. The etching stop layer and interlayer isolation layer are sequentially accumulated on the impurity region, device isolation layer and the etching stop spacer. The contact hole penetrates the interlayer isolation layer and the etching stop layer and exposes the etching stop spacer adjacent to the impurity region and the impurity region.

Abstract translation: 目的：提供无边界接触结构和形成该结构的方法以增加SRAM的完整性并提高SRAM的待机电流特性。 构成：无边界接触结构包括器件隔离层（61），杂质区（72），蚀刻阻挡间隔物（96），蚀刻停止层（73）和层间隔离层（75）和接触孔 ）。 器件隔离层形成在半导体衬底（51）的预定区域上并且包括高于半导体衬底表面的突起。 在器件隔离层之间的有源区上形成杂质区。 蚀刻停止间隔件形成在突起的侧壁上。 蚀刻停止层和层间隔离层依次堆积在杂质区域，器件隔离层和蚀刻停止间隔物上。 接触孔穿透层间隔离层和蚀刻停止层，并使邻近杂质区域和杂质区域的蚀刻停止隔片露出。

公开(公告)号：KR1019990085683A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980018238

申请日：1998-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성

IPC: H01L21/28

Abstract: 콘택과 중간 전도층 사이의 절연 마진이 증가된 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 하부 전도층이 형성된 반도체 기판상에 제1 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1 층간절연막상에 중간 전도층을 형성하는 단계와, 상기 중간 전도층을 절연막으로 덮는 단계와, 상기 절연막상의 단차 부분의 측벽에 상기 절연막과는 식각 특성이 다른 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 스페이서 위에 제2 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2 층간절연막, 절연막 및 제2 층간절연막을 통하여 상기 하부 전도층과 연결되는 콘택을 상기 스페이서에 의하여 자기정렬되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019980068811A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005593

申请日：1997-02-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  김영옥

IPC: H01L21/336

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조공정에서 게이트 산화막 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 반도체장치의 제조공정에서 게이트 산화막 형성방법에서는 게이트 산화막을 형성하고 게이트 도전층을 형성한 후 알곤(Ar)가스등과 같은 불활성 가스를 이온주입한다. 이렇게 주입된 불활성 가스 이온은 그레인 경계(grain boundary)부분을 메꾸어 이후 텅스텐 실리사이드층에 함유된 불소(F)이온이 후속 열처리 공정에서 게이트 산화막까지 확산되는 것을 억제하게 된다. 이 때, 두꺼운 게이트 산화막이 필요한 반도체기판의 제2 영역은 감광막 패턴으로 커버링하여 상기 불활성 가스의 이온주입을 막으면, 후속 열처리 공정에서 상기 제2 영역에서는 불소(F) 이온의 상기 게이트 산화막으로의 확산이 일어나서 게이트 산화막의 두께를 두껍게 성장시킬 수 있다. 이렇게 하여 게이트 산화막의 두께가 서로 다른 게이트 전극을 형성할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 의한 반도체장치의 제조공정에서 게이트 산화막 형성방법은 종래에 비해 게이트 산화막의 이원화공정이 단순할 뿐만 아니라 식각공정이 포함되지 않으므로 식각에 의한 게이트 산화막의 특성저하를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100513281B1

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：KR1020020087929

申请日：2002-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  구태현 ,  선지현

IPC: H04Q9/00

CPC classification number: G08C17/00 ,  G08C2201/92 ,  G08C2201/94 ,  H04N21/47

Abstract: 본 발명은 다수의 기기들을 제어하기 위해 공통적으로 사용되는 버튼들을 기본유닛에 구비하고 상기 기본유닛에 착탈 가능하게 결합되는 추가유닛에 특정 기기의 제어에만 사용되는 추가 버튼들을 구비함으로써 통합 리모컨의 버튼 수를 줄이고, 외부 기기들에 추가되는 새로운 기능에 대해서도 효율적으로 제어할 수 있도록 업그레이드가 가능한 확장형 통합 리모컨 및 작동 방법에 관한 것으로, 본 발명의 확장형 통합 리모컨은 다수의 기기들을 제어하기 위해 공통적으로 사용되는 공통 입력선택 버튼들이 배치된 키 입력부와, 상기 공통 입력선택 버튼의 선택값에 따라 발생하는 해당 기기별 키코드를 해당 기기에 송출하는 리모컨 송신부와, 추가유닛의 특정 입력선택 버튼의 선택값에 따라 발생하는 해당 키코드를 수신하기 위한 데이터 라인이 � �성된 확장 연결단자부를 구비한 기본유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020030014845A

公开(公告)日：2003-02-20

申请号：KR1020010048728

申请日：2001-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  이광재

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal line is provided to prevent over-etching of a mis-aligned line by forming a spacer on a sidewall of an upper metal line. CONSTITUTION: The first conductive layer pattern(110) is formed on a semiconductor substrate(100). An interlayer dielectric is formed on the entire surface of the semiconductor substrate(100) including the first conductive layer pattern(110). A predetermined region of the first conductive layer pattern(110) is exposed by forming a contact hole(130). The second conductive layer is formed on the interlayer dielectric. The second conductive layer is connected with the first conductive layer pattern(110) through the contact hole(130). The second conductive layer pattern(151) is formed by patterning the second conductive layer. A spacer(181) is formed on a sidewall of the second conductive layer pattern(151).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属线的方法，以通过在上金属线的侧壁上形成间隔来防止误配线的过度蚀刻。 构成：第一导电层图案（110）形成在半导体衬底（100）上。 在包括第一导电层图案（110）的半导体衬底（100）的整个表面上形成层间电介质。 通过形成接触孔（130）来暴露第一导电层图案（110）的预定区域。 第二导电层形成在层间电介质上。 第二导电层通过接触孔（130）与第一导电层图案（110）连接。 第二导电层图案（151）通过图案化第二导电层而形成。 间隔物（181）形成在第二导电层图案（151）的侧壁上。

公开(公告)号：KR100326942B1

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：KR1020000002901

申请日：2000-01-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  송준의

IPC: H01L21/76

Abstract: 무경계 콘택 구조체(borderless contact structure) 및 그 형성방법이 제공된다. 반도체기판의 소정영역에 반도체기판의 표면보다 높은 돌출부를 갖는 소자분리막이 형성되고, 소자분리막들 사이의 활성영역에 불순물 영역이 형성된다. 돌출부의 측벽에는 식각저지 스페이서(etch stop spacer)가 형성되고, 불순물 영역, 소자분리막 및 식각저지 스페이서 상에 식각저지막 및 층간절연막이 차례로 적층된다. 층간절연막 및 식각저지막을 관통하는 콘택홀이 형성되고, 콘택홀은 불순물 영역 및 불순물 영역과 인접하는 식각저지 스페이서을 노출시킨다.

公开(公告)号：KR1019990061726A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019970082016

申请日：1997-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  이찬조

IPC: H01L27/11

Abstract: 폴리실리콘층의 수를 줄여 공정을 단순화할 수 있는 에스램(SRAM) 셀 및 그 의 제조방법에 대해 개시되어 있다. 이 SRAM 셀은, 두 개의 전송 트랜지스터, 두 개의 구동 트랜지스터 및 박막 트랜지스터로 이루어진 두 개의 부하소자가 플립플롭(flip flop) 형태로 연결되어 이루어진 메모리장치에 있어서, 상기 부하소자의 게이트는 반대편 노드의 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 동일한 도전층으로 이루어진다.

公开(公告)号：KR1019980084290A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970020043

申请日：1997-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성 ,  강용하

IPC: H01L21/28

Abstract: 자기정렬 콘택 형성방법에 대해 개시된다. 이 방법은, 반도체기판상에 제1도전층, 제2도전층 및 질화막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 질화막위에 소정의 마스크패턴을 적용하여 질화막, 제2도전층 및 제1도전층을 차례로 패터닝하는 단계와, 패터닝된 제1도전층, 제2도전층 및 질화막의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 결과물 전면에 SOG막을 형성하는 단계와, 사진공정을 거쳐 콘택이 생길 부분의 SOG막만 남기고 나머지 부분의 SOG막을 식각하는 단계와, 결과물 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막에 대하여 상기 SOG막이 드러나도록 평탄화하는 단계와, 습식식각을 통해 상기 드러난 SOG막을 식각하는 단계와, 결과물 전면에 금속확산방지층 및 금속층을 소정두께 형성한 후 패터닝하여 자기정렬 콘택을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 사진공정의 추가없이 기존의 선택적 식각시 스페이서의 식각에 따른 게이트와 콘택 사이의 절연문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR100574920B1

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：KR1019990023817

申请日：1999-06-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하회성

IPC: H01L21/28

Abstract: 자기정렬된 보덜리스(borderless) 콘택을 구비하는 반도체장치와 그 제조방법에 대해 개시되어 있다. 그 제조방법은, 반도체기판 상에 비활성영역을 노출시키는 마스크층을 형성하는 단계와, 반도체기판의 비활성영역에 트렌치를 형성하는 단계와, 트렌치에 매립된 소자분리막을 형성하는 단계와, 소자분리막의 일부를 식각하는 단계와, 결과물의 전면에 식각저지층을 형성하는 단계와, 소자분리막 상부의 식각저지층 상에 절연막을 형성하는 단계와, 마스크층을 제거하는 단계와, 소자분리막 상부의 식각저지층의 측면에 제1 스페이서를 형성하는 단계와, 반도체기판에 게이트를 형성하는 단계와, 게이트의 측벽에 제2 스페이서를 형성하는 단계와, 결과물을 덮는 층간절연막을 형성하는 단계와, 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계, 및 콘택홀을 채우는 도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.