公开(公告)号：KR101334174B1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：KR1020070003965

申请日：2007-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  이정현 ,  배형진 ,  이창수

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/101 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/765 ,  Y10S977/94

Abstract: 본 발명은 배선 구조체 및 상기 배선 구조체를 포함한 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 배선 구조체는 제1 배선을 포함하는 배선 구조체로서, 상기 제1 배선은 수 내지 수십 나노미터의 폭을 갖는 제1 영역; 및 상기 제1 영역보다 큰 폭을 갖는 제2 영역;을 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020130044916A

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：KR1020110109267

申请日：2011-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종현 ,  이정현 ,  김기성 ,  윤석호 ,  김영선

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/28 ,  H01L33/36

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/45578 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: PURPOSE: A zinc oxide based transparent conductive thin film, a manufacturing method thereof, a semiconductor light emitting device including the same, and a method for manufacturing the semiconductor light emitting device are provided to improve the electrical property of the thin film by periodically doping the thin film with III group elements to form the zinc oxide based transparent conductive thin film. CONSTITUTION: A wafer is pre-annealed by heating a reaction chamber(S1). A zinc oxide based thin film is grown on the wafer by injecting a Zn precursor, an oxidizer, a III group element precursor, and a carrier gas to the reaction chamber(S2). The zinc oxide based thin film is grown by injecting the zinc precursor and the oxidizer except the III group element precursor into the reaction chamber(S3). A stabilization temperature section is performed for 10 to 120 minutes to heat the reaction chamber(S4). A post-annealing process is performed at 200 to 600 degrees centigrade for 40 to 120 minutes(S5). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) 3-7 times; (CC) End; (S1) Pre-annealing step; (S2) Doping step; (S3) III group element undoping step; (S4) Stabilization temperature section; (S5) Post-annealing step

Abstract translation: 目的：提供一种氧化锌基透明导电薄膜，其制造方法，包括该半导体发光器件的半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法，以通过周期性地掺杂 具有III族元素的薄膜以形成氧化锌基透明导电薄膜。 构成：通过加热反应室对晶片进行预退火（S1）。 通过向反应室（S2）注入Zn前体，氧化剂，III族元素前体和载气，在晶片上生长氧化锌系薄膜。 通过将锌前体和III族元素前体以外的氧化剂注入反应室来生长氧化锌系薄膜（S3）。 进行10〜120分钟的稳定化温度加热反应室（S4）。 后退火处理在200〜600℃下进行40〜120分钟（S5）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）3-7次; （CC）结束; （S1）预退火工序; （S2）掺杂步骤; （S3）III组元件去掺杂步骤; （S4）稳定温度段; （S5）后退火工序

公开(公告)号：KR1020130008203A

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：KR1020110068801

申请日：2011-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 맹종선 ,  김범준 ,  류현석 ,  이정현 ,  김기성

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/14 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254

Abstract: PURPOSE: A method for growing a semiconductor thin film and a method for manufacturing a semiconductor light emitting device using the same are provided to etch a material remaining within a gas supply part and to prevent nozzle jam. CONSTITUTION: Multiple wafers are loaded in a wafer holder(20). The wafers are arranged in a reaction chamber(10). A gas supply part(30) is extended along the loading direction of the wafers. Reaction gas includes an organometallic compound. The reaction gas is spread on the wafers.

Abstract translation: 目的：提供一种用于生长半导体薄膜的方法和使用其制造使用其的半导体发光器件的方法，以蚀刻气体供应部件中剩余的材料并防止喷嘴堵塞。 构成：多个晶片装载在晶片支架（20）中。 晶片布置在反应室（10）中。 气体供给部（30）沿晶片的装载方向延伸。 反应气体包括有机金属化合物。 反应气体扩散在晶片上。

公开(公告)号：KR101223498B1

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020060128663

申请日：2006-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  세르게이베자트프 ,  정태철 ,  김은아 ,  스테파노프미하일

IPC: H04L9/32 ,  H04L9/30

CPC classification number: H04L9/3073

Abstract: 본 발명은 타원 곡선 암호 방식(ECC: Elliptic Curve Cryptography)에서 공개키를 생성하는 방법 및 상기 방법을 수행하는 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 타원 곡선 암호 방식(ECC: Elliptic Curve Cryptography)에서 공개키를 생성하는 방법은, 비밀키(k)를 부호가 있는 삼진수에 대한 타우-애딕(τ-adic) 형태로 변환하는 단계, 타원 곡선, 프로베니우스 맵핑(Frobenius mapping) 및 특성 방정식을 이용하여 상기 타우-애딕 형태로 변환된 비밀키의 시퀀스 길이를 감소시키는 단계 및 상기 시퀀스 길이가 감소된 비밀키에 상기 타원 곡선의 한 점(P)을 결합하여 공개키(kP)를 계산하는 단계를 포함한다.
타원 곡선 암호 방식(ECC: Elliptic Curve Cryptography), 프로베니우스 맵핑(Frobenius mapping), 코블리츠 방법(Koblitz method), 타우-애딕(τ-adic), 스플리팅 알고리즘(splitting algorithm), 공개키 암호 시스템

公开(公告)号：KR3006753120000S

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：KR3020120007614

申请日：2012-02-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 문신위 ,  이정현

公开(公告)号：KR3006589010000S

公开(公告)日：2012-09-10

申请号：KR3020110040437

申请日：2011-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이정현 ,  원태연

公开(公告)号：KR101159074B1

公开(公告)日：2012-06-25

申请号：KR1020060004170

申请日：2006-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  이정현 ,  방상봉 ,  서범석 ,  이창수

IPC: G01Q70/12 ,  C01B31/02

CPC classification number: G01Q70/12 ,  G01Q70/14 ,  Y10S977/876 ,  Y10S977/879

Abstract: A conductive carbon nanotube tip and a manufacturing method thereof are provided. The conductive carbon nanotube tip includes a carbon nanotube tip substantially vertically placed on a substrate, and a ruthenium coating layer covering a surface of the carbon nanotube tip and extending to at least a part of the substrate. The manufacturing method includes substantially vertically placing a carbon nanotube tip on a substrate, and forming a ruthenium coating layer on the carbon nanotube tip and at least a part of the substrate.

公开(公告)号：KR3006314620000S

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：KR3020100051672

申请日：2010-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 이정현 ,  양준호

公开(公告)号：KR1020110049218A

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：KR1020090106136

申请日：2009-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 이정현 ,  이창수 ,  강윤묵

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A solar battery and manufacturing method thereof are provided to reduce defects occurring on a semiconductor substrate and a dielectric film, thereby increasing the efficiency of the solar battery. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(110) includes a p-type layer and an n-type layer. A dielectric layer(130) including aluminum nitride oxide is formed on one side of the semiconductor substrate. A first electrode is electrically connected to the p type layer of the semiconductor substrate. A second electrode is electrically connected to the n type layer of the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，以减少在半导体基板和电介质膜上发生的缺陷，从而提高太阳能电池的效率。 构成：半导体衬底（110）包括p型层和n型层。 在半导体衬底的一侧上形成包括氮化铝氧化物的电介质层（130）。 第一电极电连接到半导体衬底的p型层。 第二电极与半导体衬底的n型层电连接。

公开(公告)号：KR101022770B1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：KR1020100046021

申请日：2010-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  서범석 ,  민요셉 ,  조영진

IPC: H01G4/018 ,  H01G4/005

Abstract: 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이 구비된 커패시터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 ALD 장치에 반도체 기판을 로딩하는 제1 단계와, 반도체 기판 상에 제1 및 제2 반응요소가 소정의 조성비로 포함된 반응물을 증착시키는 제2 단계와, 상기 제1 및 제2 반응요소가 동시에 산화되도록 상기 반응물을 산화시켜 상기 반도체 기판 상에 상기 두 반응요소가 포함된 제1 고유전율 산화막을 형성하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법이 적용된 커패시터 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 산화막 형성에 사용되는 장치의 부피를 줄일 수 있고, 그 생산성은 증가시키면서 생산단가는 낮출 수 있다. 또한, 유전율이 높고, 누설전류 및 트랩 밀도가 낮은 고유전율 산화막을 얻을 수 있다. 이러한 산화막을 유전막으로 구비함으로써 커패시터의 누설전류 및 트랩 밀도가 낮아지게 된다.

Abstract translation: 一种形成高介电常数氧化膜的方法，具有通过该方法形成的介电膜的电容器及其制造方法。 所公开的发明是第二步骤，其是在ALD装置中的半导体衬底装载的第一步骤，在半导体衬底上沉积的反应产物在所述第一和第二反应元件包含预定组成比，其中，所述第一和第二 以及第三步骤，通过氧化反应物使得反应元素同时被氧化而在半导体衬底上形成包括两个反应元素的第一高介电常数氧化物膜， 还有一种制造电容器的方法。 利用本发明，可以减少用于形成氧化物膜的设备的体积，并且在提高生产率的同时降低生产成本。 另外，可以获得具有高介电常数和低漏电流和低陷阱密度的高介电常数氧化物膜。 通过提供这种氧化膜作为电介质膜，电容器的漏电流和陷阱密度降低。